• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1787-1790
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• 1996

• 대한수학회논문집
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• 제30권3호
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• pp.313-325
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• 2015

An H-magic labeling in a H-decomposable graph G is a bijection $f:V(G){\cup}E(G){\rightarrow}\{1,2,{\cdots},p+q\}$ such that for every copy H in the decomposition, $\sum{_{{\upsilon}{\in}V(H)}}\;f(v)+\sum{_{e{\in}E(H)}}\;f(e)$ is constant. f is said to be H-V -super magic if f(V(G))={1,2,...,p}. In this paper, we prove that complete bipartite graphs $K_{n,n}$ are H-V -super magic decomposable where $$H{\sim_=}K_{1,n}$$ with $n{\geq}1$.

• 충청수학회지
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• 제8권1호
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• pp.173-181
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• 1995

Let H and G be finite dimensional semisimple Hopf algebras and let A and B be left H and G-module algebras respectively. We use smash product algebras to show that 1) if A is right Artinian then $A^H$ is right Artinian, 2) $Soc\;V_A{\subset}Soc\;V_{A^H}$ and rad $V_A{\supset}\;radV_{A^H}$, 3) $K\;dim\;_BV_A=K\;dim\;_{B^G}V_{A^H}$.

• 대한화학회지
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• 제18권4호
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• pp.259-266
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• 1974

과염소산 수용액 중에서 바나듐(III)이온이 산소에 의해 산화되는 반응에 대해서 pH 범위1∼3에 걸쳐 $H_2O^{18}$을 이용한 동위원소 실험을 행했다. 반응속도식$-\frac{d[V(III)]}{dt}=k_1\frac{[O_2][V(III)]}{[H^+]}$가 성립되는 높은 히드로늄이온 농도(pH<∼2)에서는 반응생성물 $VO^{2+}$이온의 산소가 모두 산소분자에서 유래된다는 결과를 얻었다. 반면 $-\frac{d[V(III)]}{dt}=K_2\frac{[O_2][V(III)]^2}{[Ht]^2}$의 속도식이 성립하는 pH>∼2 범위에서의 추적자 실험은 바나딜이온의 산소의 50%가 산소분자에서 온다는 결과를 주었다. 반응속도론의 결과 화학량론적 결정과 아울러 동위원소 실험결과를 고려하면 다음과 같은 반응 메카니즘을 제안할 수 있다.$$V^{3+}\rightleftarrows VOH^{2+} + H+, 2VOH^{2+}\rightleftarrowsV_2(OH)_2^{4+}$$$$ 낮은\PH:\ VOH^{2+}+O_2 \rightarrow V(O_2)OH^{2+}, V(O_2)OH^{2+}+VOH^{2+}\rightarrow 2VO^{2+}+H_2O_2$$$$ 높은\PH:\V2(OH)_2^{4+}+O_2\rightarrow2VO^{2+}+H_2O_2, V_2(OH)_2^{4+}+H_2O_2\rightarrow2VO^{2+}+2H_2O$$

• 대한화학회지
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• 제28권6호
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• pp.361-365
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• 1984

공명 진동${\to}$진동 에너지 이동 과정, $H^{79}Br$(v = 1) + $H^{81}Br$(v = 0) ${\to}$ $H^{79}Br$(v = 0) + $H^{81}Br$(v = 1) + ${\Delta}E\;=\;0.38 cm^{-1}$에 대해 long-lived 충돌모형을 적용하여 에너지 이동 확률을 200 - 800K 범위에서 계산하였다. 계산된 확률은 온도가 상승함에 따라 감소하며 온도 의존성은 P ${\propto}\;T^{-1.8}$이었다. 또한 계산된 확률은 다른 이론들로부터 계산한 확률들 보다 알려져 있는 실험치와 더 잘 일치하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2016년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.415-416
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• 2016

본 논문은 입출력 전력품질이 우수하고 전압별 시리즈화가 용이한 Cascaded H-브릿지 멀티레벨 전력 회로를 적용한 고압 대용량 전동기 구동용 11,000V / 13,800V 고압인버터 개발에 관하여 기술하였다. 기존에 개발된 3,300V/200kVA - 6,600V/8,000kVA 고압인버터의 단상 인버터로 구성된 개별 파워 셀 전압 증대, 파워 셀의 직렬 갯수 추가, 입력 위상 전이 다권선 변압기 2차 권선수 확장, 그리고 분산 제어 기능을 확대하는 방식을 적용하여 전압을 증가시켰다. 실용량 제품의 제작 (11,000V/1,000kVA, 13,800V/2,400kVA) 및 실험을 통하여 개발된 11,000V/13,800V 고압인버터의 성능을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1238_1239
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• 2009

본 논문에서는 ELA poly-Si TFT보다 뛰어난 균일도를 갖고, a-Si:H TFT보다 전기적 안정도가 우수한 PMOS SPC-Si TFT의 특성을 연구하였다. SPC-Si의 계면 특성을 향상 시키기 위해 $SiO_2$ 게이트 절연막을 증착하기 전에 Solid Phase Crystalline 실리콘(SPC-Si) 채널 영역에 다양한 H2 플라즈마 처리를 해주었다. PECVD를 이용하여 100W에서 H2 플라즈마 처리를 5분 해주었을 때 SPC-Si TFT의 전기적 특성이 향상되는 것을 볼 수 있는데, $V_{TH}$가 약 -3.91V, field effect mobility가 $22.68cm^2$/Vs, 그리고 Subthreshold swing이 0.64 정도를 보였다. 또한 소자에 Hot carrier stress($V_{GS}$=14.91V, $V_{DS}$=-15V, for 2,000sec)를 주었을 때도 전기적 특성이 변하지 않았으며, 일정한 bias stress($V_{GS}$=-15V, $V_{DS}$=-10V, for 2,000sec)를 가하였을 때도 $V_{TH}$가 증가하지 않았다. 이러한 결과를 통해 SPC-Si가 poly-Si TFT보다 더욱 안정함을 알 수 있었다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제17권12호
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• pp.1944-1948
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• 2007

Silkworm hemolymph (SH), prepared from fifth-instar larvae of Bombyx mori and heat-treated at $60^{\circ}C$ for 30 min, was used to improve cell viability and the production of human cytotoxic T-lymphocyte antigen 4-immunoglobulin (hCTLA4Ig) in transgenic Oryza sativa L. cell suspension cultures. Even though SH could not elevate cell viability at the concentrations up to 3% (v/v), addition of 0.3% (v/v) SH to a culture medium enhanced the production of hCTLA4Ig by 36.8% over an SH-free medium. Moreover, the production period of hCTLA4Ig could be shortened in a 0.3% (v/v) SH-added medium compared with that in an SH-free culture. As a result, addition of 0.3% (v/v) SH improved the productivity of hCTLA4Ig significantly in transgenic rice cell cultures.

• 대한화학회지
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• 제30권6호
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• pp.532-537
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• 1986

$VO_2^+$와 $[Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}$의 반응에 대한 속도론은 25$^{\circ}$C에서 분광광도법으로 연구하였다. $[Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}$이 산화반응의 화학양론은$ Mo_2^V + 2V^V {\rightleftharpoons} 2Mo^{VI} + 2V^{IV}$이다. 관찰된 유사일차속도상수, $k_{obs}$는 수소이온과 $ VO^{2+}$에 의존한다. $[Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}$와 $VO^{2+}$의 산화-환원반응에 대한 메카니즘이 제시되며 이에 대하여 논의된다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권11호
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• pp.70-77
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• 1998

본 논문에서는 nickel/silicon carbide(Ni/SiC) 접합에 의한 Schottky 다이오드를 제작하고, 그 전기적 특성을 조사하였다. Ni/4H-SiC의 경우, 산화막 모서리 단락을 하였을 때 상온에서 973V의 역방향 항복전압이 측정되었으며 이는 모서리 단락되지 않은 Schottky 다이오드의 역방향 항복전압 430V에 비해 매우 높았다. Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우, 산화막으로 모서리 단락시켰을 때와 시키지 않았을 때의 역방향 항복전압은 각각, 920V와 160V 였다. 고온에서의 소자 특성도 매우 좋아서 Ni/4H-SiC Schottky 다이오드와 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 300℃까지 전류 특성의 변화가 거의 없었으며 550℃에서도 양호한 정류 특성을 보였다. 상온에서의 Schottky barrier height와 이상인자(ideality factor) 및 specific on-resistance는 Ni/4H-SiC의 경우는 1.55eV, 1.3, 3.6×10/sup -2/Ω·㎠이었으며 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우에 1.24eV, 1.2, 2.6×10/sup -2Ω·㎠/로 나타났다. 실험 결과 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 고온, 고전압 소자로서 우수한 특성을 나타냄이 입증되었다.