• Journal of Nutrition and Health
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• 제1권2호
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• pp.93-105
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• 1968

The variations of both thiamine and riboflavin value in the organs, viz. liver, small intestine, spleen and kidney of the rats were measured for observing some metabolic changes in the animals during fasting and feeding different quality of diets without V-E supplement. The animal used for the experiment was adult female ablino rat from a pure strain, weighing 225-280g. The animals were divided into 6 groups; the control group, the high carbohydrate diet group, the high carbohydrate diet with V-E group, the high protein diet group, the high protein diet with V-E group, and fasting group. The result obtained are summarized as follows; 1. The thiamine contents in the liver were once increased during early stage of starvation compared with the control group, thereafter they were decreased on the 8 days fasting while the contents in the small intestine and spleen were decreased during 1 to 8 days fasting. 2. The riboflavin contents in the liver and kidney were increased during starvation and the content in the small intestine was no marked change compared with control group. 3. The thiamine contents in the liver and small intestine during feeding the high carbohydrate with V-E supplement diet group were lower than that of the diet without V-E group and the content in the spleen was increased by feeding V-E enriched high carbohydrate diet. 4. The thiamine contents in the liver, small intestine and spleen during feeding the V-E supplemented diets were lower than that of the non-supplemented one's. 5. The riboflavin contents in the liver, small intestine, and kidney were increased during feeding the high carbohydrate diet compared to the control group, and they were decreased during feeding the V-E enriched high carbohydrate diet. 6. The riboflavin contents in each organ were increased during feeding the high protein diet compared to the control group, and they were much increased during 20 to 30 days of feeding the V-E supplemented high protein diet. 7. Therefore, as the above results showed, the variation of thiamine value in the each organs were not markedly changed during feeding different quality of the diets. The thiamine and riboflavin contents in the each organ in the V-E enriched high carbohydrate diet group were lower than without V-E supplemented one's The riboflavin contents in each organ were increased during feeding the high protein diet compared with the control group and the centents were increased during 20 to 30 days of the feeding V-E enriched high protein diet.

• Journal of Photoscience
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• 제7권1호
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• pp.27-30
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• 2000

The Photoluminescence (PL) measurement results of a very good quality GaN sample grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are reported. The temperature dependences of peak position, emission intensity, and the full width at half maximum (FWHM) of free-exciton (FX) A and B are presented. Our results show the fast thermal quenching of FX transition intensities and predominantly acoustic phonon scattering of emission line broadening. The transition-energy-shift following the Varshni's empirical equation, and by using it to fit the data, E$\_$A1/(T) = 3.4861 eV -6.046 $\times$ 10$\^$-4/T$^2$ (620.3+ T) eV, E$\_$B1/(T) = 3.4928 eV -4.777 $\times$ 10$\^$-4/T$^2$ / (408.2+ T) eV and E$\_$A2/ = 3.4991 eV -4.426 $\times$ 10$\^$-4/ T$^2$ / (430.6+ T) eV for A(n=1), B(n=1), and A(n=2) are obtained respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.687-692
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• 1998

Silicon doped $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ were growth by molecular beam epitaxy. Electroreflectance(ER) spectra of the $E_1$ transition of Schottky barrier Au/n-$Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ have been measured at various modulation voltage($V_{ac}$) and dc bias voltage($V_{bias}$). from the $E_1$peak, band gap energy of the $Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ is 1.883 eV which corresponds to an Al composition of 32%. As modulation voltage($V_{bias}$) is changed, a line shape at the $E_1$transition does not change, but its amplitude varies linearly. The amplitude of $E_1$signal decrease with increasing the forward dc bias voltage($V_{bias}$), but the line shape does not change. It suggests that the low field theory rather than Franz-Keldysh oscillation is Required to interpret spectra. Also, spectra at the $E_1$transition were broadened with increasing the reverse dc bias voltage($V_{bias}$) which suggests the presence of Field-induced broadening.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권6호
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• pp.553-557
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• 1999

MOCVD로 성장된 $A1_x$$Ga_{1-x}$N/GaN 박막의 광학적 특성을 이해하기 위하여 실온에서 광발광(PL), 광전류)PC), 광단속에 의한 광권도도(PPC) 측정하였다. PL과 PC로 결정된 $A1_x$$Ga_{1-x}$N/GaN 박막의 광학적 에너지 간격은 3.7eV 이었다. PC측정 시 빛을 시료의 위쪽에서 조사시켰을 때에는 3.70, 3.40eV의 peak와 2.2eV 근방에서 broad한 peak가 관측되었다. 그러나 기판 쪽에서 빛을 조사시켰을 때의 PC 스펙트럼은 2.2eV 근방에서 broad한 peak와 3.43eV peak 만을 볼 수 있었다. PPC실험에서 관측된 photocurrent quenching과 비정상적인 PPC현상은 GaN 띠간격내에 형성된 전위나 vacancy 등의 결정결함 준위내에 전자들이 포획되고 오랫동안 포화되어 있다가 다시 방전되는 현상으로 보인다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.345-345
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• 2011

MgO는 암염구조를 가진 전형적인 이온 결합성 화합물로서 7.8eV의 띠틈을 갖고 흡습성이 강하다. 면 방전 구조 PDP에서 MgO 보호막은 면 방전으로 인한 유전층의 식각을 보호하고 2차 전자 방출을 통해 방전 전압을 낮추는 역할을 한다. 하지만 MgO 보호막은 증착시 흡수된 수분이 제거되어야 하고, 방전 특성 개선 및 방전 효율 향상을 위해 가공 처리에 관한 연구가 진행 되어야 한다. 본 연구는 MgO 보호막의 전자적 특성의 변화를 알아보기 위해 $O_2$ 분위기에서 전자빔 증착법을 이용해 MgO Powder를 사용하여 시료를 제작하였다. 표면에 흡착된 수분제거로 인한 특성 변화를 알아보기 위해 진공 챔버내에서 시료를 $500^{\circ}C{\sim}550^{\circ}C$의 열처리를 실시한 후 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy), REELS(Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy), UPS(Ultraviolet photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 전자적 특성을 연구하였다. XPS 측정결과 시료의 열처리를 통해 C1s spectrum의 O-C=O(289eV) binding energy가 없어져 박막에 흡착된 불순물이 제거 되었으며 O1s spectrum에서 Hydroxides가 감소하고 530.0eV의 MgO 결합에너지쪽으로 커짐으로써 박막의 구조를 확인할 수 있었다. 그리고 $O^2$ 분위기에서 성장시킨 MgO 박막 기판을 열처리 후 REELS를 이용해 띠틈을 얻어보면 Ep=500eV에서 띠틈이 6.77eV, Ep=1500eV에서 띠틈이 7.33eV로 각각 측정되었다. Ep=500eV의 REELS 스펙트럼으로부터 산소 결함에 의한 표면 F Center는 4.22eV로 확인되었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 추계학술대회 초록집
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• pp.61.1-61.1
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• 2011

We report on a detailed study on gap-state distribution in thin amorphous silicon layers(a-Si:H) with film thickness between 5 nm and 20 nm c-Si wafers performed by UV excited photoelectron spectroscopy(UV-PES). We measured how the work function, the gap state density, the position of the Fermi-level and the Urbch-energy depend on the layer thickness and the doping level of the ultra thin a-Si:H(n) layer. It was found, that for phosphorous doping the position of the Fermi level saturates at $E_F-E_V$=1.47 eV. This is achieved at a gas phase concentration of 10000 ppm $PH_3$ in the $SiH_4/H_2$ mixture which was used for the PECVD deposition process. The variation of the doping level from 0 to 20000 ppm $PH_3$ addition results in an increase of the Urbach energy from 65 meV to 101 meV and in an increase of the gap state density at midgap($E_i-E_V$=0.86eV) from $3{\times}10^{18}$ to $2{\times}1019cm^{-3}eV^{-1}$.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.425-433
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• 2000

수평 전기로에서 $CuGaTe_2$다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $CuGaTe_2$단결정 박막을 반절연성 GaAs (100) 위에 성장하였다. $CuGaTe_2$단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 $670^{\circ}C$, $410^{\circ}C$로 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성이 10K에서 측정한 광발광 스펙트럼은 954.5 nm(1.2989 eV) 근처에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 139arcsec로 가장 작게 측정되어 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 $8.72{\times}10{23}$개 $\textrm m^3$, $3.42{\times}10^{-2}$ $\textrm m^2$/V.s였다. 상온에서 $CuGaTe_2$단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 1.22 eV였다. Bandedge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 varshni 관계식으로 설명되었으며, varshni 관계식의 상수값은 $E_g$(0) = 1.3982 eV, $\alpha$ = $4.27{\times}10^{-4}$eV/K, $\beta$ = 265.5K로 주어졌다. $CuGaTe_2$단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10K에서 측정된$\Delta$cr(crystal field splitting)은 0.0791 eV, $\Delta$s.o(spin orbit coupling)는 0.2463 eV였다. 10K에서 광발광 봉우리의 919.8nm(1.3479 eV) free exciton($E_x$), 954.5nm(1.2989 eV)는 donor-bound exciton 인 $I_2(D^0,X)$와 959.5nm(1.2921 eV)는 acceptor-bound exciton 인 $I_1(A_0, X)$이고, 964.6nm(1.2853 eV)는 donor-acceptor pair(DAP) 발광, 1341.9nm(0.9239 eV)는 self activated(SA)에 기인하는 광발광 봉우리로 고찰되었다.

• 헤리티지:역사와 과학
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• 제55권4호
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• pp.278-294
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• 2022

그동안 문화재교육은 국가의 요구와 개인의 필요로 인해 양적으로 많은 성장을 이루었다. 그러나 문화재교육의 질적 성장은 그에 뒤따르지 못했다. 문화재교육은 목표조차 제대로 설정되어 있지 못하였고, 그 결과 문화재교육은 그 정체성마저 흔들렸다. 지금의 문화재교육에서 가장 시급한 것은 먼저 문화재 교육의 목표를 설정하는 것이다. 본 연구는 현행 문화재교육의 목표를 분석하고, 문제점을 찾아낸 후 교육적으로 유의미하면서 국가의 요구와 개인의 필요를 충족시킬 수 있는 새로운 문화재교육 목표를 설정하고자 하였다. 현행 문화재교육 목표의 문제점은 문화재교육 관련자들이 교육목표의 개념을 정확하게 이해하지 못하고 있으며, 문화재교육 목표가 교육의 실제 내용을 제대로 담고 있지 못하다는 것이다. 또 문화재교육의 목표가 학습자의 다양한 역량과 흥미를 고려하고 있지 못하며, 시대 변화와도 맞지 않는다. 이런 문제점을 해결하기 위해서 'U.V.E.C. 문화재교육'이란 새로운 문화재교육을 제시하였다. U.V.E.C. 문화재교육은 문화재를 이해(Understand)하고, 문화재의 가치를 인식(Value)하고, 문화재를 향유(Enjoy)하고, 문화를 창조(Create)하는 교육이다. U.V.E.C. 문화재교육의 목표는 명확하고 실천적인 형식과 내용으로, 학습자 중심으로, 변용이 가능하도록 유연하게 설정하고자 하였다. 이런 방향을 바탕으로 총괄목표, 세부목표, 실천목표라는 단계별 목표를 설정하고 각 단계별 문화재교육 목표의 구체적 사례를 제시하였다. U.V.E.C. 문화재교육 목표는 교육으로서의 일반성과 문화재를 내용으로 하는 특수성을 고려하여 행동목표의 영역 다양성과 진술 명확성, 문제해결목표와 표현결과의 학습자 주도성과 개방성을 모두 포함하였다. U.V.E.C. 문화재교육 목표는 교수자에게는 명확하고 구체적인 목표를 제시해주어 교육의 효율성을 높이게 하고, 학습자에게는 흥미로우면서도 다양한 역량을 개발할 수 있게 할 것으로 생각된다. 아울러 U.V.E.C. 문화재교육 목표는 이제까지 제대로 연구된 적이 없는 문화재교육의 목표 설정에도 많은 영향을 줄 것으로 예상한다. 본 연구 이후에 U.V.E.C. 문화재교육의 내용과 방법에 대한 체계적이고 구체적인 연구가 지속적으로 이루어진다면 문화재교육 전반이 변화될 것이며 문화재교육은 새로운 학문의 한 영역으로 자리매김하게 될 것이다.

• 센서학회지
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• 제10권1호
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• pp.62-70
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• 2001

CBD방법으로 성장하여 $450^{\circ}C$로 열처리한 ZnSe 박막은 회전 무늬로부터 외삽법으로 구한 격자상수 $a_0$가 $5.6678\;{\AA}$인 zinc blend임을 알았다. Van der Pauw 방법으로 측정한 Hall 데이터에 의한 이동도는 10 K에서 150 K 까지는 불순물 산란 (impurity scatterimg)에 의하여, 150 K에서 293 K까지는 격자산란 (lattice scattering)에 의하여 감소하는 경향을 나타냈다. 또한 운반자 농도의 ln n대 1/T에서 구한 활성화 에너지($E_a$)는 0.27 eV였다. 투과 곡선의 투과단으로 본 띠 간격은 293 k에서 $2,700{\underline{5}}\;eV$이었던 것이 10K에서는 $2.873{\underline{9}}\;eV$로 변하였다. 광전류 봉우리 위치를 투과단과 비교할 때 293 K에서 30 K까지 관측된 한 개의 봉우리는 가전자대 ${\Gamma}_8$에서 전도대 ${\Gamma}_6$로 전이에 의한 광전류 봉우리이고, 10K에서 관측된 단파장대 417.3 nm($2.971{\underline{4}}\;eV$)의 봉우리는 가전자대 ${\Gamma}_7$에서 전도대 ${\Gamma}_6$로, 431.5 nm($2.873{\underline{3}}\;eV$)의 봉우리는 가전자대 ${\Gamma}_8$에서 전도대 ${\Gamma}_6$로 전이에 의한 광전류 봉우리가 관측된 것으로 판단된다. 광전류 봉우리의 10K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐(splitting)에 의해서 측정된 ${\Delta}so$(spin orbit coupling)는 $0.098{\underline{1}}\;eV$ 였다. 10 K에서 광발광 봉우리의 440.7 nm($2.812{\underline{7}}\;eV$)는 자유 엑시톤(free exciton : $E_x$), 443.5 nm ($2.795{\underline{5}}\;eV$)는 주개-얽매인 엑시톤(donor-bound exciton) 인 $I_2(D^0,\;X)$와 445.7 nm ($2.781{\underline{8}}\;eV$)는 반개-얽매인 엑시톤(acceptor-bound exciton) 인 $I_1(A^0,X)$이고, 460.5 nm ($2.692{\underline{3}}\;eV$)는 주개-받개쌍(donor-acceptor pair:DAP) 발광, 580 nm ($2.137{\underline{6}}\;eV$)는 self activated(A)에 기인하는 광발광 봉우리로 분석된다.

• 대한수학회논문집
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• 제30권3호
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• pp.313-325
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• 2015

An H-magic labeling in a H-decomposable graph G is a bijection $f:V(G){\cup}E(G){\rightarrow}\{1,2,{\cdots},p+q\}$ such that for every copy H in the decomposition, $\sum{_{{\upsilon}{\in}V(H)}}\;f(v)+\sum{_{e{\in}E(H)}}\;f(e)$ is constant. f is said to be H-V -super magic if f(V(G))={1,2,...,p}. In this paper, we prove that complete bipartite graphs $K_{n,n}$ are H-V -super magic decomposable where $$H{\sim_=}K_{1,n}$$ with $n{\geq}1$.