• Title/Summary/Keyword: $U_3Si$

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Study of relationship between diameter of carbon nanotubes and surface morphology of $Al_2O_3$ supporting layer

  • Kim, Su-Yeon;Song, U-Seok;Choe, Won-Cheol;Jeong, U-Seong;Jeon, Cheol-Ho;Park, Jong-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.72-72
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    • 2010
  • 탄소나노튜브(carbon nanotubes : CNTs)는 뛰어난 전기적, 물리적인 특성을 가지고 있기 때문에 다양한 분야에서 이를 활용하려는 노력들이 활발히 이루어지고 있다. CNTs의 전기적인 특성은 직경에 의해 결정되므로, 직경을 균일하게 제어하는 일이 CNTs를 기반으로 한 전자소자 응용에 가장 중요한 사항이라 할 수 있다. 일반적으로 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)으로 합성된 CNTs의 직경은 촉매의 크기에 의존하기 때문에, 촉매의 크기를 제어하기 위한 다양한 연구들이 활발히 진행되고 있다[1-3]. 하지만 CNTs의 성장온도 근처에서 촉매 입자는 표면 확산(surface diffusion)에 의해 응집(agglomeration)되기 때문에 작고 균일한 크기의 촉매를 얻기 어렵다. 본 연구에서는 Si(001) 기판 위에 지지층(supporting layer)인 Al의 두께를 변화시켜 증착하고, 열적산화과정을 통해 $Al_2O_3$ 층을 형성한 후 Fe을 증착하여 CNTs를 합성하였다. $Al_2O_3$ 지지층과 Fe 촉매입자의 구조와 화학적 상태를 원자힘현미경 (atomic force microscopy, AFM), 주사전자현미경 (scanning electron microscopy, SEM), 투과전자현미경 (transmission electron microscopy, TEM), X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 분석하였고, 성장된 CNTs는 SEM, TEM, 라만 분광법 (Raman spectroscopy)을 통해 분석하였다. 그 결과, $Al_2O_3$ 층은 두께에 따라 각기 다른 표면 거칠기(RMS roughness)와 결정립(grain)의 크기를 갖게 되며, 이러한 표면구조가 Fe 촉매입자의 표면확산에 의한 응집에 관여하여 CNTs의 직경에 영향을 미치는 것을 확인하였다. 또한 $Al_2O_3$ 지지층의 두께가 15 nm인 경우, Fe의 응집현상이 억제되어 좁은 직경분포를 지닌 고순도 단일벽 탄소나노튜브(Single-walled CNTs)가 성장되는 것을 확인하였다.

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Conservation of an endangered Corylopsis corona Uyeki in and ex situ and Development of cooperative model within local community I. Study for a Characteristic of Distribution Pattern in Corylopsis coreana $U_{YEKI}$ (보호종인 히어리의 자생지내외 보전과 지역사회 협력 모델 개발 I. 히어리 분포지 특성에 관한 연구)

  • 임동옥;황인천;정흥락;유윤미
    • Proceedings of the Korean Society of Environment and Ecology Conference
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    • 2005.04a
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    • pp.85-101
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    • 2005
  • This study was carried out a field survey and review articles to investigate a characteristic of the distribution pattern in Korean endemic Corylopsis coreana. Distribution of Corylopsis coreana was found from Boseung-gun, Gwangyang-si, Suncheon- si, Jeumanl-myeon Goheung-gun, Ganjeon-myeon Gurye-gun, Mt. Cheongwan Jangheung-gun, Nogodan Mt. Jiri in Jeollanam-do, Mt. Cheonhwang Namwon-si and Beamsagol and Banyabong Mt. Jiri, in Jeollabuk-do, Sancheong-gun, hadong-gun and Namhea-gun in Gyeongsangnam-do and Mt. Backun, Pocheon-si in Gyeonggi-do. Total flora in the distribution region of Coryloplsis coreana were recorded as 242 taxa; 70 families, 159 genus, 216 species, 22 varieties, 4 forma. Ratio of taxonomic categories was consisted of Pteridophyte $5.8\%$, Gymnosperm $3.7\%$, Dicotyledon $18.6\%$ and Monocotyledon $71.9\%$. Ratio of Life cycle styles was Annual $1.7\%$ and Perennial $98.3\%$. Ratio of growth habit was appeared to Herb $44.2\%$, Vine $12.4\%$, Shrub $17.8\%$ and Tree $25.6\%$. The distribution region of Corylopsis coreana found to typical type which distribute in N, NE or NE slope. The native Corylopsis coreana of Sinjeonri Sungju-eup in Jellanam-do appeared to a declining tendency which caused by influence of tree lager.

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Ferroelectric Properties of Pb[(Zr,Sn)Ti]N$bO_3$ Thin Films by Annealing (열처리에 따른 Pb[(Zr,Sn)Ti]N$bO_3$ 박막의 강유전 특성)

  • Choe, U-Chang;Choe, Hyeok-Hwan;Lee, Myeong-Gyo;Gwon, Tae-Ha
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.38 no.7
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    • pp.473-478
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    • 2001
  • Ferroelectric P $b_{0.99}$[(Z $r_{0}$ 6S $n_{0.4}$)/0.9/ $Ti_{0.1}$]0.98/N $b_{0.02}$ $O_3$(PNZST) thin films were deposited by a RF magnetron sputtering on L $a_{0.5}$S $r_{0.5}$Co $O_3$(LSCO)/Pt/Ti/ $SiO_2$/Si substrate using a PNZST target with excess PbO of 10 mole%. The crystallinity and electrical properties of the thin films annealed at various temperature and time were investigated. The thin films deposited at the substrate temperature of 500 $^{\circ}C$ and the power of 80 W were crystallized to a perovskite phase after rapid thermal annealing(RTA). The thin films annealed at 650 $^{\circ}C$ for 10 seconds in air exhibited the good crystal structures. The remanent polarization and coercive field of the PNZST capacitor were about 20 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 50 kV/cm, respectively. The reduction of the polarization after 2.2$\times$10$^{9}$ switching cycles was less than 10 %..10 %......

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Source Area of the Rocks Using the West Stone Pagoda of Gameunsaji Temple Site, Korea (감은사지삼층석탑(서탑)에 사용된 석재 공급지에 대한 연구)

  • Jwa, Yong-Joo;Kim, Kun-Ki;Ko, Seok-Bae;Kim, Jong-Sun
    • The Journal of the Petrological Society of Korea
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    • v.15 no.3 s.45
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    • pp.128-138
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    • 2006
  • The west stone pagoda of Gameunssji temple site (National Treasure No. 112) has been damaged mainly by fracture, exfoliation and granular disintegration. In this study, the source area of the rocks using the west stone pagoda was examined in terms of petrological feature, magnetic susceptibility, and ${\gamma}-ray$ spectrometer. The stones include abundant crystal fragments of biotite, quartz and feldspars in the fine-grained matrix; they are petrographically discriminated to vitric-crystal tuff or crystal tuff. Measured magnetic susceptibility values are of from 10 to 20 $({\times}10^{-3}\;SI\;unit)$. From the ${\gamma}-ray$ spectrometer measurement K, eU, and eTh contents of the stones are about 3%, 0 to 8ppm, and 9 to 18 ppm, respectively. These features are used as indicators to presume the source area of the stones. Comparing the petrographical and chemical characteristics between the stones of the west stone pagoda and the country rocks near the Gameunsaji temple site, it is suggested that the most similar country rock to the stones could be dacitic volcanic rocks of the Beomgokri group in the Waeup basin. The Beomgokri group is lithostratigraphically divided into Waeupri tuff, Yongdongri tuff and Beomgokri volcanic rocks. Among the three rocks, the crystal tuff of the Beomgokri volcanic rocks seems likely to have been the source rock of the stones of the west stone pagoda.

Purification of Glucose Oxidase by Affinity Chromatography and Its Characterization (친화성 크로마토그래피를 이용한 글루코오스 옥시다아제의 정제와 효소특성)

  • Ko Jung Hwan;Byun Si Myung
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.23 no.3
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    • pp.165-174
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    • 1979
  • A purification technique of glucose oxidase was developed. Using the gluconyl-${\omega}$-aminohexyl Sepharose affinity chromatography, it was partially purified 14.6 folds with 79.7% yield. With the combination of the affinity chromatography and Sepharose 6B gel filtration, the enzyme was purified 27.2 folds from the broth with 74.1% yield. The final purified preparation showed 90.83 U of glucose oxidase activity per mg of protein and a single band by 7% polyacrylamide gel electrophoresis. The absorption spectrum and substrate specificity of the enzyme were studied and the fianal preparation showed the optimal pH between 5.6 and 6.0, the optimal temperature at $40^{\circ}C$, $8.5{\times}10^{-3}M$ of $K_m$ for D-glucose, and 3.43 kcal/mole of the activation energy.

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SHRIMP V-Pb Zircon Ages of the Granite Gneisses from the Pyeonghae Area of the northeastern Yeongnam Massif (Sobaeksan Massif) (영남(소백산)육괴 북동부 평해지역 화강편마암류의 SHRIMP U-Pb 저콘 연대)

  • Kim, Nam-Hoon;Song, Yong-Sun;Park, Kye-Hun;Lee, Ho-Sun
    • The Journal of the Petrological Society of Korea
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    • v.18 no.1
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    • pp.31-47
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    • 2009
  • We performed petrological, geochemical, and geochronological study for the Pyeonghae granite gneiss and the Hada leuco-granite gneiss intruding the Paleoproterozoic meta-sedimentary rocks (pyeonghae formation and Wonnam formation) of the Pyeonghae area located in northeastem part of the Yeongnam (Sobaeksan) massif. The Pyeonghae granite gneiss generally has higher abundance of mafic minerals (biotite etc.), and posesses higher ${Fe_2}{O_3}^t$, MgO, CaO, $TiO_2$, $P_{2}O_{5}$ contents but lower $SiO_2$ and $K_{2}O$ contents than the Hada leuco-granite gneiss which tends to have slightly high $Al_{2}O_{3}$ and $Na_{2}O$ contents and slightly high larger negative Eu anomalies. However both gneisses reveal very similar REE concentrations and chondrite-normalized patterns and apparently show differentiation trend affected by crystallization of biotite, plagioclase, apatite and sphene. Their peraluminous and calc-alkaline chemistry suggests tectonic environment of volcanic arc. SHRIMP Zircon U-Pb age determinations yield upper intercept ages of $1990{\pm}23\;Ma$ ($2{\sigma}$) and $1939{\pm}41\;Ma$ ($2{\sigma}$), and weighted mean $^{207}Pb/^{206}Pb$ ages of $1982{\pm}6.3\;Ma$ ($2{\sigma}$) and $1959{\pm}28\;Ma$ ($2{\sigma}$) for the Pyeonghae granite gneiss and the Hada leuco-granite gneiss respectively, showing overlapping ages within the error. Our study suggests that the Precambrian granitoids in this area intruded contemporaneously with the Buncheon granite gneissin volcanic arc environment.

Real-time Evolution of Poly (3-hexylthiophene) type-II Phase in P3HT:PCBM Blend thin films

  • Lee, Hyeon-Hwi;Lee, Si-U;Geum, Hui-Seong;Kim, Han-Seong;Kim, Je-Han;Lee, Dong-Ryeol;Kim, Hyo-Jeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.168.2-168.2
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    • 2015
  • We observed the temperature-dependent evolution and behavior of P3HT type-II phase during a real time annealing process from a cryo-cooled low temperature in the absence and presence of an Al electrode. A poly (3-hexylthiophene) (P3HT) Type-II phase in the P3HT:PCBM films started to form near at $-10^{\circ}C$, regardless of Al layer presence. In the absence of an Al layer, type-II phase was extinct at $30^{\circ}C$. However, the extinction temperature was extended to $50^{\circ}C$ in the presence of the Al layer. Simultaneously, combined with the type-II phase, a 1:3 ordered P3HT type-II (1/3,0,0) super-lattice peak evolved. These type-II domains tended to be formed near the Al electrode layer with higher aligned status than host P3HT crystals.

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이중 터널막을 사용한 엔지니어드 터널베리어의 메모리 특성에 관한 연구

  • Son, Jeong-U;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.198-198
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    • 2010
  • 전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 Si3N4/HfAlO (3/3 nm)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 제 1 터널 산화막(Si3N4)의 두께를 wet etching 시간 (0, 10, 20 sec)에 따른 메모리 특성을 비교 분석하였다.

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Staggered Tunnel Barrier engineered Memory

  • Son, Jeong-U;Park, Gun-Ho;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.255-255
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    • 2010
  • 전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널 산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 $Si_3N_4$/HfAlO (Hf:Al=1:3)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 터널 산화막의 제 1층인 $Si_3N_4$의 두께를 1.5 nm, 3 nm일 때의 특성을 비교 분석하였다.

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Terahertz Generation and Detection Characteristics of InGaAs

  • Park, Dong-U;Han, Im-Sik;Kim, Chang-Su;No, Sam-Gyu;Ji, Yeong-Bin;Jeon, Tae-In;Lee, Gi-Ju;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.161-161
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    • 2012
  • 본 연구에서는 InGaAs을 이용한 테라헤르쯔(THz) 발생과 검출 특성을 GaAs에 의한 특성과 비교, 조사하였다. 고온성장(HTG, $530^{\circ}C$) InGaAs를 이용하여 photo-Dember (pD) 효과(표면방출)에 의한 THz 발생 특성을 조사하였으며, THz 검출 특성에는 저온성장(LTG, $530^{\circ}C$) InGaAs: Be을 이용하였다. HTG-InGaAs 기판 위에 패턴한 금속전극 (Ti/Au, ${\sim}500{\times}500{\mu}m$)의 가장자리에 Ti: Sapphire fs 펄스 레이저(30 ps/90 MHz)를 조사하여 LTG-GaAs 수신기(Rx)로 THz를 검출, 전류신호(a)와 Fourier transform (FT) 주파수 스펙트럼(b)을 얻었다. HTG-InGaAs에서 얻은 파형은 SI-GaAs에서와 거의 비슷한 모양이었으나, 주파수 범위(0.5~2 THz)는 SI-GaAs의 1~3 THz 보다 좁고 FT 스펙트럼의 세기는 약 1/8 정도로 낮았다. LTG-InGaAs 수신기 (Rx)의 안테나는 쌍극자 ($5/20{\mu}m$) 형태를 가지고 있으며, SI-GaAs Tx로 발생시킨 광원을 사용하여 THz 영역의 검출 특성을 조사하였다. HTG-InGaAs Tx 및 LTG-InGaAs Rx의 이득은 각각 약 $5{\times}10^{-8}$ A/W과 $2.5{\times}10^{-8}$ A/W인 것으로 분석되었다.

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