목적: $Ti_3O_5$와 $SiO_2$를 이용하여 중심파장이 500 nm에서 반치폭이 약 12 nm이고 투과율이 99%인 협대역 칼라투과필터를 제작하고, 이 칼라필터의 박막 특성을 연구하고자 한다. 방법: 두께 800 nm인 $Ti_3O_5$박막과 $SiO_2$박막의 투과율로부터 박막의 광학상수 n(굴절률)과 k(소멸계수)를 구하였고, Essential Macleod program을 이용하여 중심파장이 500 nm에서 반치폭이 약 12 nm이고 투과율이 99%인 협대역 칼라투과필터의 필터층과 AR 코팅층을 설계하였다. 또 한 electron beam evaporation 장치를 이용하여 $Ti_3O_5/SiO_2$ 다층막 칼라필터을 만든 후, 분광광도계를 이용하여 투과율을 측정하였고, SEM 사진에 의한 칼라필터의 단면으로부터 칼라필터의 박막두께와 층수를 알 수 있었고, XPS분석으로부터 박막 성분을 분석하였다. 결과: 칼라필터의 AR 코팅층의 최적조건은 6층으로 [air$|SiO_2(90)|Ti_3O_5(36)|SiO_2(5)|Ti_3O_5(73)|SiO_2(30)|Ti_3O_5(15)|$ glass]이며, 반치폭이 12 nm인 칼라필터의 필터층의 최적조건은 41층으로 [air$|SiO_2(20)|Ti_3O_5(64)|SiO_2(102)|Ti_3O_5(66)|SiO_2(112)|Ti_3O_5(74)|SiO_2(120)|Ti_3O_5(68)|SiO_2(123)|Ti_3O_5(80)|SiO_2(109)|Ti_3O_5(70)|SiO_2(105)|Ti_3O_5(62)|SiO_2(99)|Ti_3O_5(63)|SiO_2(98)|Ti_3O_5(51)|SiO_2(60)|Ti_3O_5(42)|SiO_2(113)|Ti_3O_5(88)|SiO_2(116)|Ti_3O_5(68)|SiO_2(89)|Ti_3O_5(49)|SiO_2(77)|Ti_3O_5(48)|SiO_2(84)|Ti_3O_5(51)|SiO_2(85)|Ti_3O_5(48)|SiO_2(59)|Ti_3O_5(34)|SiO_2(71)|Ti_3O_5(44)|SiO_2(65)|Ti_3O_5(45)|SiO_2(81)|Ti_3O_5(52)|SiO_2(88)|$ glass] 이었다. 위의 데이터를 이용하여 제작한 칼라필터는 SEM 사진에 의해 41층으로 확인되었으며, XPS 분석에 의해 $SiO_2$층이 맨 위층이며 $Ti_3O_5$층과 교번인 다층막으로 형성돼 있으며, $Ti_3O_5$박막 형성 시 TiO2 박막과 $Ti_3O_5$박막이 섞여 형성됨을 알 수 있었다. 결론: 41층의 $Ti_3O_5/SiO_2$ 다층박막을 이용하여 12 nm 반치폭을 갖으며 500 nm 중심파장에서 투과율은 99%인 협대역 칼라투과필터를 제작하였으며, 이 칼라필터는 $Ti_3O_5$박막 형성 시 TiO2 박막과 $Ti_3O_5$박막이 섞여 형성됨을 알 수 있었다.
$BiFeO_3(BFO)/Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$(PZT) bilayer와 multilayer의 다층구조를 만들어 전기적 특성을 측정하여 같은 두께의 BFO 단층박막과 비교해 보았다. BFO와 PZT 용액을 이용하였으며 chemical solution deposition 방법으로 Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) 기판위에 각 박막을 증착하였다. X-ray diffraction 분석을 통해 모든 박막이 다배향(multi-orientation) 페로브스카이트 (perovskite) 구조를 가졌음을 확인하였다. BFO/PZT Bilayer와 multilayer 박막들은 BFO 단층박막의 비해 누설전류 값이 500 kV/cm에서 약 4, 5차수 정도 감소했으며, 이로 인해 BFO/PZT 다층박막의 강유전체 특성이 크게 향상되었다. BFO/PZT multilayer 다층구조 박막의 경우 안정된 이력곡선(hysteresis loop)을 나타냈으며, 잔류 분극(remanent polarization)의 값은 $44.3{\mu}C/cm^2$이었으며, 항전계($2E_c$) 값은 681.4 kV/cm였다.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.75-78
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2002
The dielectric properties for Ni electrode multilayer ceramic chip capacitor for Y5V has been studied with $(Ba_{0.93}Ca_{0.07})_m(Ti_{0.82}Zr_{0.18})O_2+MnO_2$ 0.2wt%, $Y_2O_3$ 0.18wt%, $SiO_2$ 0.15wt%, glass frit 1 wt% composition. The m ratio in the range of 1.006 ~ 1.012 have dielectric constant 9,500 ~ 14,500 and insulation resistance 390 ~ 460 $G{\Omega}$. Using the dielectrics, nikel electrode multilayer chip capacitor with Y5V, 104Z in EIA 0603 size specific capacitance were developed.
적충형 PTC 서미스터의 특성연구를 위해 $(0.90Ba+0.05Sr+0.05Ca)TiO_3+0.01TiO_3+0.01SiO_2+0.0008MnO_2+0.0018Nb_2O_5$와 같은 실험조성식을 설정한 후 표면실장(SMD) 적층형 PTC 시편을 제작하였다. 그 결과 상온 비저항 값을 크게 낮출 수 있고 용도에 따라 전류용량을 크게 할 수 있었으나 적층화로 인해 peak 비저항이 크게 낮아지고 열용량이 커짐으로써 스위칭(switching)시간이 늦어지는 점을 확인하였다. 전압-전류 특성에서는 적층수가 증가할수록 초기 최대전류값이 증가하며 큐리점에 대응하여 저항값이 급격히 커지는 전이전압(전계)도 증가함을 보였다. 그러나 인가전압(전계)을 증가시킬 경우 peak 비저항값을 높일 수 있어 스위칭시간을 줄일 수 있다 이 소자는 화재감지기의 센서로 활용될 수 있다.
Optical thin films were deposited by using a reactive pulsed DC magnetron sputtering method with a high density plasma(HDP). In this study, the effect of sputtering process conditions on the microstructure and optical properties of $SiO_2$, $TiO_2$, $Nb_2O_5$ thin films was clarified. These thin films had flat and dense microstructure, stable stoichiometric composition at the optimal conditions of low working pressure, high pulsed DC power and RF power(HDP). Also, the refractive index of the $SiO_2$ thin films was almost constant, but the refractive indices of $TiO_2$ and $Nb_2O_5$ thin films were changed depending on the microstructure of these films. Antireflection films of $Air/SiO_2/Nb_2O_5/SiO_2/Nb_2O_5/SiO_2/Nb_2O_5/Glass$ structure designed by Macleod program were manufactured by our developed sputtering system. Transmittance and reflectance of the manufactured multilayer films showed outstanding value with the level of 95% and 0.3%, respectively, and also had excellent durability.
선행연구[1] 즉, $Ti0_2/Pb/TiO_2(900{\AA}/900{\AA}/900{\AA}/)$ 3층구조박막으로부터 열확산에 의해 상형성이 가능하였던 $PbTiO_3$ 박막의 특성을 개선하기 위하여 스퍼터링법을 이용하여 Si기판위에 각 요소층의 두께를 $200~300 {\AA}$으로 얇게하고 적층수를 3,5,7,9,11층$(TiO_2/Pb/.../Tio_2)$으로 변화시켜가며 다층구조박막을 형성한 후 이를 RTA 처리하여 $PbTiO_3$ 박막을 제조하였다. 그 결과 $500^{\circ}C$ 이상에서 단일상의 $PbTiO_3$가 형성되었다. 또한 요소층의 두께를 얇게하고 적층수를 늘려서 열처리한 결과 Pb-silicate 및 void 생성이 억제되어 우수한 계면상태를 유지하였으며 조성도 보다 균일해지는 양상을 나타내었다. $PbTiO_3$ 박막의 MiM구조에 C-V 특성으로부터 측정된 유전상수는 열처리 조건에 따른 경향을 나타내지 않았으나 적층수가 많아져 박막의 두께가 증가 할수록 유전상수가 증가하였다. MIS 구조의 $PbTiO_3$ 박막의 I-V 특성 측정 결과 절연파괴강도는 최고 150kV/cm이었다.
한국전기전자재료학회 2006년도 영호남 합동 학술대회 및 춘계학술대회 논문집 센서 박막 기술교육
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pp.31-34
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2006
In this study, $(Ba_{0.7}\;Sr_{0.3})TiO_3$ was coated on Pt/Ti/$SiO_2$/Si wafer by using Sol-Gel method. Coating process was repeated 3~5 times and then sintered at 750[$^{\circ}C$] for 1 hour. Each specimen was analyzed structure and electrical characteristics. In structure characteristics, EDX analyzed the samples ratio of the formation on the structural property. Thermal behavior was observed with TG-DTA and concluded that the heat-treatment of the samples was degreed 750[$^{\circ}C$]. Surface and section of thin films were observed with SEM.
BaTiO$_3$계 PTC 서미스터의 조성개발을 위해 (Ba$_{0.95-x}$S $r_{0.05}$C $a_{x}$)$TiO_3$-$0.01TiO_2$-$0.01SiO_2$-$\alpha$MnCO_3$-$\beta$Nb_2$o_{5}$와 같은 실험조성식을 설정한 후 최적 조건하에서 적층형 PTC시편을 제작하여 실험하였다. 실험 결과, 시편제조시의 최적 소결온도와 냉각속도는 각각 $1350^{\circ}C$-2 hour및 $100^{\circ}C$/h였다. 또한 상온저항을 낮추는 효과가 있는 Dopant로서의 Ca와 Mn 그리고 피크(peak)저항값을 높일 수 있는 Nb를 Ca:5 mol%, Mn:0.08 mol%, Nb:0.18 mol%로 함으로써 비교적 낮은 상온저항과 높은 피크(peak)저항 및 양호한 온도계수 특성이 나타났으며, 화재감지센서로서의 활용 가능성을 확인하였다.다.다.
The effect of A/B moi ratios and sintering temperatures on dielectric properties and microstructure of $(Ba_{0.93}Ca_{0.07})_m(Ti_{0.82}Zr_{0.18})O_3$ ceramics were investigated. The dielectric constant decreased with increasing the A/B mol ratio. However, the dielectric loss is improved. As the dielectric properties of A/B mol ratio with m = 1.009 at sintered temperature $1260^{\circ}C$, we obtained dielectric constant 12,800, dielectric loss $3.5\%$ and Y5V temperature characteristics. Highly reliable Ni-MLCCs, 1.6mm$(length){\time}0.8mm(width){\time}0.8mm$(height) with capacitance of 1.23 ${\mu}F$ and 야ssipation loss of $5.2\%$ were obtained employing dielectric material composed of $(Ba_{0.93}Ca_{0.07})_{1.009}(Ti_{0.82}Zr_{0.18})O_3$ - $MnO_2\;0.2wt\%-Y_2O_3\;0.18wt\%,\;-\;SO_2\;0.15wt\%-(Ba_{0.4}Ca_{0.6})SiO_3\;1wt\%$.
Among many problems that need to be solved in the process of preparing multilayer chip LC filters, we studied the control of shrinkage in order to prevent the crack, warpage, and/or delamination which occurs at the interface between the inductance (L part) and the capacitance (C part). Shrinkage was controlled by compositions, powder size, calcining temperature and amount of organic binder. Capacitance sheet was prepared by mixing 65 wt% binder with the composition of 96 wt% TiO2 having an average particle size of 0.5 $\mu\textrm{m}$, 3 wt% CuO. After small amount of MnO2 and SiO2 added, it was calcined at 750$^{\circ}C$ for 2 hr. Inductance sheet was prepared by mixing 60 wt% binder with the composition of 49.5% mol% Fe2O3, 20.5 mol% ZnO, 20 mol% NiO and 10 mol% CuO which was calcined at 775$^{\circ}C$ for 2 hr. These sheets was laminated at 250 kg/$\textrm{cm}^2$, and cofired at 900$^{\circ}C$ for 2 hr to give rise to a multilayer chip LC filter without any warpage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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