$TiO_2$ nanopowders were synthesized by new sol-gel combustion hybrid method using acetylene black as a fuel. The dried gels exhibited autocatalytic combustion behaviour. $TiO_2$ nanopowders with an anatase structure and a narrow size distribution were obtained at 400-600 ${^{\circ}C}$. Their crystal structures were examined by powder Xray diffraction (XRD) and their morphology and crystal size were investigated by scanning electron microscopy (SEM). The crystal size of the nanopowders was found to be in the range of 15-20 nm. $TiO_2$ powders synthesized at 500 ${^{\circ}C}$ and 600 ${^{\circ}C}$ were applied to a dye solar cell. An efficiency of 5.2% for the conversion of solar energy to electricity ($J_{sc}$ = 11.79 mA/$cm^2$, $V_{oc}$ = 0.73 V, and FF = 0.58) was obtained for an AM 1.5 irradiation (100 mW/$cm^2$) using the $TiO_2$ nanopowder synthesized by the sol-gel combustion hybrid method at 500 ${^{\circ}C}$.
Sol-gel 법으로 200 nm 정도의 두께를 가진 강유전성 S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$ N $b_{0.2}$ 박막을 Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si 기판 위에 증착하였다. 본 실험에서는 Sr(O $C_2$$H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$$H_{5}$)$_{5}$ 그리고, Nb(O $C_2$$H_{5}$)$_{5}$를 출발 물질로 사용하였으며 2-methoxyethanol을 용매로 사용하였다. UV 노광과 급속열처리가 SBTN 박막의 구조와 전기적 특성에 어떤 영향을 주는 가를 연구하였다. UV 노광과 급속열처리를 한 후에 $650^{\circ}C$ 열처리한 SBTN 박막의 3V와 5V 인가 전압하에서의 잔류분극 값은 각각 8.49와 11.94 $\mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.
The optical and dielectric properties of TiO$_2$ thin films prepared with mixtures of Epoxy, bits-(4, 4'-p-toluenesulfonylacidic isoproplylidene)-cyclohexadiol and UVI 6990 in dry sol-gel process were investigated. The absorption peak of the films was showed at 360nm. Photocurrent of the thin films doped with 50 wt% of TiO$_2$was higher than that of nondoped thin films. Energy gap was lowered from 3.6 to 3.3 eV with increasing amount of TiO$_2$. Relative dielectric constants of samples were 1.5 to 3 and showed a characteristics of lower dielectric materials.
Sol-gel법으로 강유전성 B $i_{3.25}$L $a_{0.75}$$Ti_3$$O_{12}$ (BLT) stock solution을 합성하고 Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si 기판위에 스핀코팅법으로 BLT 박막을 증착하였다. 본 실험에서는 Bi(TMHD)$_3$, La(III)2-Methoxyethoxide, Ti(IV)i-propoxide를 출발물질로 사용하였으며 2-Methoxyethanol을 용매로 사용하였다. 급속열처리(RTA)가 BLT 박막의 결정성장을 촉진시키기 위해 사용되었고, RTA를 실시한 시편과 RTA를 실시하지 않은 시편의 전기적 특성을 비교하였다. RTA를 실시한 후 72$0^{\circ}C$에서 로 열처리 한 BLT 박막의 경우 5V 인가 전압 하에서 2Pr 값은 RTA를 실시하지 않은 경우보다 27% 증가한 20.46$\mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.
염료감응형 태양전지에서 반도체 산화물은 전자의 생성과 이동에 중요한 역할을 하므로 이에 관한 광범위한 연구가 지속적으로 수행되고 있다. 본 연구에서는 $V_2O_5$를 첨가시킨 반도체 산화물을 제작하여 염료 감응 태양 전지의 특성을 연구하였다. $V_2O_5$가 첨가된 $TiO_2$ 페이스트는 졸 겔 공정의 스크린 인쇄 법으로 제조하였고, 이에 따른 표면특성 및 전기적 특성을 측정하였다. $V_2O_5$가 첨가됨에 따라 결정립 크기가 증가하였고 염료감응태양전지의 개방 회로 전압, 단락 전류, 충전 계수 및 변환 효율 특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.
The photocatalytic performance of $TiO_2$ thin films coated on porous alumina balls using various aqueous $TiOCl_2$ solutions as starting precursors, to which 1.0 $mol\%$ transition metal ($Ni^{2+},\;Cr^{3+},\;Fe^{3+},\;Nb^{3+},\;and\;V^{5+}$) chlorides had been already added, has been investigated, together with characterizations for $TiO_2$ sols synthesized simultaneously in the same autoclave through hydrothermal method. The synthesized $TiO_2$ sols were all formed with an anatase phase, and their particle size was between several nm and 30 nm showing ${\zeta}-potential$ of $-25{\sim}-35$ mV, being maintained stable for over 6 months. However, the $TiO_2$ sol added with Cr had a much lower value of -potential and larger particle sizes. The coated $TiO_2$ thin films had almost the same shape and size as those of the sol. The pure $TiO_2$ sol showed the highest optical absorption in the ultraviolet light region, and other $TiO_2$ sols containing $Cr^{3+},\;Fe^{3+}\;and\;Ni^{2+}$ showed higher optical absorption than pure sol in the visible light region. According to the experiments for removal of a gas-phase benzene, the pure $TiO_2$ film showed the highest photo dissociation rate in the ultraviolet light region, but in artificial sunlight the photo dissociation rate of $TiO_2$ coated films containing $Cr^{3+},\;Fe^{3+}\;and\;Ni^{2+}$ was measured higher together with the increase of optical absorption by doping.
B $i_{3.3}$L $a_{0.7}$$Ti_3$$O_{12}$(BLT) 강유전체 박막을 $Al_2$$O_3$/Si 기판위에 졸-겔(sol-gel)법으로 스핀 코팅하여 Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon (MFIS) 구조를 형성하였다. 박막의 결정화를 위해 as-coated 박막을 산소분위기에서 $650^{\circ}C$ 및 $700^{\circ}C$에서 30분 동안 후속열처리를 실시하였다. BLT 박막의 열처리 온도를 $650^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$로 증가시킴에 따라서 c축으로 우선 배향되는 경향을 보였으며, FWHM 값이 감소하여 결정성이 향상됨을 확인할 수 있었다. $700^{\circ}C$에서 열처리된 BLT 박막의 memory window는 약 2.5V (인가전압 5V)를 나타내었으며, 누설전류는 약 1.5x$10^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$를 나타내었다.다.다.
고효율 염료감응 태양전지를 제작하기 위해 Sol-gel법을 사용하여 $TiO_2$ 분말을 제조하였다. 제조 과정 중 다양한 양의 nitric acid를 첨가하여 pH를 조절하였다. Sol-gel법을 위한 출발 물질로 titanium (IV) isopropoxide(TTIP)와 DI water를 사용하였으며 nitric acid은 0, 0.05, 0.1, 0.15의 몰비(nitric acid/TTIP)로 첨가하였다. 첨가한 결과 pH는 $22^{\circ}C$에서 각각 5.52, 2.26, 1.68, 1.38이었다. 얻어진 $TiO_2$ 콜로이드 용액은 결정성 있는 분말로 제조 후 $5{\times}5[mm^2]$ 크기의 염료감응 태양전지를 제작하는데 사용 되였다. $TiO_2$의 결정구조 및 형태는 cell의 XRD와 FE-SEM으로 분석되었고 전기화학적 특성을 분석하기 위해 irradiation of AM 1.5 ($100mW/cm^2$) simulatedsunlight에서 I-V 곡선을 측정하였다. 측정 결과 몰비(nitric acid/TTIP) 0.05, pH가 2.26일 때 가장 우수한 효율 특성을 보였다.
The sol-gel method has been widely used to synthesize the $TiO_2$ for dye sensitized solar cells and has advantages of easily fabrication process, controlling the $TiO_2$ phase and getting transparent thin-film composed of the $TiO_2$. In this paper, we synthesized the crystalline $TiO_2$ by sol-gel method controlled by the quantity ratio of Nitric acid and Ammonium hydroxide additives. The best efficiency result was obtained by 0.05 M Ammonium hydroxide and that results of Voc, Jsc, FF, and efficiency were 0.68 V, 3.28 mA/$cm_2$, 58.14 and 5.21%, respectively.
Pb$(Zr_{0.5},Ti_{0.5})O_3$ 박막을 $Pt/Ti/SiO_2/Si$ 기판 위에 spin-coating법으로 제조하였다. 제조된 sol을 초음파 bath 내에서 초음파 처리하여 균일화를 촉진시킨 다음, 박막을 제조하여 초음파 처리되지 않은 sol로 제조된 박막과의 비교를 통해 초음파의 영향을 고찰하였다. 초음파 처리된 sol로 제조된 박막의 경우, $550^{\circ}C$에서 perovskite 단일상을 얻을 수 있었고, "rosette" 구조가 사라졌음을 관찰할 수 있엇따. 초음파 처리되지 않은 sol로 제조된 박막의 유전상수(10kHz), 잔류분극(Pr) 및 항전계(Ec) 값은 335, 12.3$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, 168.4 kV/cm 였고, 초음파 처리된 sol로 제조된 박막은 각각 443, 172$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, 153,5kVcm 로 전기적 특성이 개선되어 졌음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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