The purpose of this research is to develop thin film materials and fabrication process for efficient $TiO_2$/CdTe solar cells. In this work photocatalyst titanium dioxide was prepared by sol-gel procedure according to reaction condition, the mole ratio of $H_2O$/TTIP, pH of solution and aging condition of powder. The prepared titanium dioxide was thermally treated from 300 to $750^{\circ}C$. Maximum intensity of anatase phase of titanium dioxide was achieved by calcination at $600^{\circ}C$ for 2 hr. And it was mixture of anatase and rutile phase when temperature of calcination was $750^{\circ}C$. It has been known that the properties of synthesized titanium dioxide according to aging time and calcination temperature was converted to anatase phase crystal on increasing of aging time. Also the current density has been increased with aging time and temperature, the efficiency has been increased with because of reason on above results. The formation of chemical bonding on oxygen and cadmium telluride under oxygen circumstances had been observed, and oxygen of thin film surface on cadmium telluride had been decreased with the treatment of chromate and hydrazine. As results had been shown that the energy conversion efficiency of cadmium telluride use by rapidly treatmented heat at the condition of $550^{\circ}C$ under air circumstance got 12.0%, 6.0% values according to $0.07cm^2$, $1.0cm^2$ surface area, respectively.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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1992.05b
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pp.26-27
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1992
The effect of activation and electroless nickel plating conditions on contact properties were investigated for selective electroless nickel plating of Si farers in order to obtain an optimum condition of contact hole filling. According to RCA prosess, p-type si 1 icon (100) surface was cleaned out and activated. The effects of temperture, DMAB concentration, time, and stirring iwere investigated for activation of p-type Si(100) surface. The optimal activation condition obtained was 0.5M HF, 1mM PdCl$_2$, 2mM EDTA, 7$0^{\circ}C$, 90sec under ultrasonic vibration. In electroless nickel plating, the effect of temperature, DMAB concentration, pH, and plating ti me were studied. The optimal plating condition found was 0. 10M NiS0$_4$.$H_2O$, 0.lIM Citrate, pH 6.8, 6$0^{\circ}C$, 30 minutes. The contact resistence of fi]ms wascomparatively low. It took 30 minutes to obtain 1$\mu$m thick film with 8$\mu$M DMAB concentration. The film surface roughness was improved with increasing temperature and decreasing pH of the plating solution. The best quality of the film was obtained with the condition of temperature 6$0^{\circ}C$ and pH 6.8. The micro-victors hardness of film was about 600Hv and was decreased wi th increasing particle size of plating layer.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers D
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v.55
no.8
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pp.386-396
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2006
We implemented the Drug-Pad Moxibustion Method in order to improve the conventional moxibustion therapy. This method is aimed to eliminate burning wounds and smoke, which are the defects of conventional moxibustion therapy. And we performed to verify the efficiency by comparing the Drug-Pad Moxibustion Method with the conventional Indirect Moxibustion Therapy. We measured the body heat and the lasting time of blood circulation improvement using thermography. The moxibustion therapy has two kinds of effects: The formers are pharmacological effects of the Moxa's vasodilators and antioxidants. The latters are thermal effects which cause improvement of the blood circulation. To remove the demerits without omission of above therapeutic effects, we extracted the vasodilators and antioxidant compounds from the Moxa-$CH_2Cl_2$ fraction Moxa-EtOAc and composed the moxibustion kit with $(Ba_{0.8}\;Sr_{0.2})_{0.996}\;Y_{0.004}\;TiO_2+0.5_{WT}\;SiO_2%$ Positive Temperature Coefficients Thermistor. The experimental demonstrations have been made by the stimulating the spot which is CV4(Kwan-Won), CV8(Shin-Guel), CV12(Jung-Wan) acupuncture points of the conception vessel meridian(CV). And stimulating time was one hour. We divided the subjects into 5 groups such as no stimulation group, conventional Indirect Moxibustion group, only Drug-Pad stimulation group, only heat stimulation group, and Drug-Pad Moxibustion group. In the different cases, we have measured the body heat in pre-stimulation, just after stimulation, 2 hours after, and 4 hours after. The body heats of the group who were stimulated by the Drug-Pad Moxibustion Method were increased by over the $2^{\circ}C$. And the body heats of the group who were stimulated by the Indirect Moxibustion Method were increased by average the $1^{\circ}C$. We have evaluated that the Drug-Pad Moxibustion Method is improvement on the conventional Indirect Moxibustion Method by the heat-increasing rate is 200% and the lasting time is 150% with the body heat of the abdominal region. In the conclusions, We have implemented the Drug-Pad Moxibustion Method and evaluated the efficiency of the Drug-Pad Moxibustion Method comparing with the conventional Indirect Moxibustion Method.
Physical and magnetic behaviors of reduced Co-Zn-Ti-Sn substituted Ba-ferrite particles with hydrogen are different from those of reduced-pure Ba-ferrite particles. The coercivity of substituted Ba-feffite particles shows a peaking effect with the reduction temperature ranging from 250 to 520 $^{\circ}C$, while the coercivity of pure Ba-ferrite decreases monotonically. The reduction process of substituted Ba-ferrite has been found to be devided into three steps. At the first and second steps, the magneto-plumbite structure maintained. When the reduced-substituted Ba-ferrite particles are reoxidized, the coercivity is reversible at the first step but irreversible at the second step. During the third step of reduction process above 410 $^{\circ}C$. The magneto plumbite structure was collapsed with formation of $\alpha$-Fe and $BaFeO_{3-x}$ phases and consequently the coercivity distribution is broaden and the coercivity irreversible. The coercivity and saturation magnetization decreases and increases up to 130 emu/g respectively. In this study, it is found that the substituted elements prevent the magneto-plumbite structure from collapse during the reduction process and furthermore migrate from the magnetic sites of $2a+4f_{IV}$, 2b, and 12k to $4f_{VI}$ and 12k'. An increase in the coercivity before the collapse of magneto-plumbite structure is attributed to the migration of cations in hexagonal Ba-ferrite structure.
The design and manufacturing results of a 16 tesla/45mm bore superconducting magnet is presented. The system consists of an 8.2 tesla(at 4.2K) outer NbTi coil with a bore I.D. of 261mm, a winding O.D. of 453mm and the length of 430mm which is connected in series with a 5.6 tesla(at 4.2K) middle and a 4.7 tesla(at 4.2K) inner insert coil constructed of multifilamentary $Nb_3Sn$. The middle and inner insert coil are reacted after winding. Also, epoxy impregnation is accomplished at $Nb_3Sn$ coils using a low viscosity crack resistant epoxy which is forced into the coil with a series of vacuum and over atmosphere pressure cycle.
PMN-PZT films with thickness of $5\;{\mu}m$ were deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate at room temperature using aerosol deposition process. The films showed fairly dense microstructure without any crack. XRD and TEM analysis revealed that the films consisted of randomly oriented nanocrystalline and amorphous phases. Post-annealing process was employed to induce crystallization and grain growth of the as-deposited films and to improve the electrical properties. The annealed film showed markedly improved electrical properties in comparison with as-deposited film. The film after annealing at $700^{\circ}C$ for 1h exhibited the best electrical properties. Dielectric constant $(\varepsilon_r)$, remanent polarization $(P_r)$ and piezoelectric constant $(d_{33})$ were 1050, $13\;{\mu}C/cm^2$ and 120 pC/N, respectively.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.26
no.6
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pp.1001-1007
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2002
To improve the performance of the PZT thin flms, each PZT and PT layer was alternately deposited on a Pt/Ti/Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/Si substrate by a modified sol-gel solid precursor technique. For comparison, PZT thin films were also prepared with an identical method under the same conditions. XRD measurement revealed that the diffraction pattern of the multilayer film was due to the superimposition of the PZT and PT patterns. At 1㎑, a dielectric constant of 389 and 558, a dielectric loss of 1.2% and 1.1% were obtained for the PZT/PT and PZT thin films, respectively. If we consider the PT dielectric constant to be 260, it is clear that the dielectric constant of alternately deposited PZT/PT thin films was well adjusted. The PZT/PT thin film showed a low dielectric constant and a similar dielectric loss compared with those of the PZT film. The figures of merit on detectivity for the PZT/PT and PZT thin films were 20.3$\times$10$\^$-6/㎩$\^$-$\sfrac{1}{2}$/, and 18.7$\times$10$\^$-6/㎩$\^$-$\sfrac{1}{2}$/, and the figures of merit on voltage response were 0.038㎡/C and 0.028 ㎡/C, respectively. The high figures of merit for the PZT/PT film were ascribed to its relatively low dielectric constant when compared to the PZT thin films.
Kim, Moon-Kyung;Oh, Ji-Yoon;Son, Hyun-Seok;Zoh, Kyung-Duk
Journal of Environmental Health Sciences
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v.35
no.2
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pp.124-129
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2009
The photocatalysis degradation of simazine, s-triazine type herbicide was carried out using circulating photo reactor systems. In order to search for the effective method to mineralize this compound into environmentally compatible products, this study compared the removal efficiencies of simazine by changing various parameters. First, under the photocatalytic condition, simazine was more effectively degraded than by photolysis and $TiO_2$ only condition. With photocatalysis, 5 mg/l simazine was degraded to approximately 90% within 30 min, and completely degraded after 150 min. Ionic byproducts such as ${NO_2}^-$, ${NO_3}^-$, and $Cl^-$ were detected from the photocatalysis of simazine, however, the recoveries were poor, indicating the presence of organic intermediates rather than the mineralization of simazine during photocatalysis. Two bioassays using V. fischeri and D. magna were employed to measure the toxicity reduction in the reaction solutions treated by both photocatalysis and photolysis. Simazine and its photocatalysis treated water did not exert any significant toxicity to V. fischeri, marine bacterium. However, the acute toxicity test using D. magna indicates that initial acute toxicity ($EC_{50}$ = 57.30%) was completely reduced ($EC_{50}$ = 100%) after 150 min under both photocatalysis and photoysis of simazine. This results indicates that photocatalysis and photolysis of simazine reduced the acute toxicity through mineralization.
The present work considers the concept of enzymatic photoelectrochemical generation of hydrogen through water splitting using a Xe lamp as a source of light. A solar cell was applied to the system in order to shift the level of electrochemical energy of the system, resulting in the rate of hydrogen production at $43\;{\mu}mol/(cm^2{\times}hr)$ in cathodic compartment with an anodized tubular $TiO_2$ electrode(ATTE, $5^{\circ}C$/1hr in 0.5 wt% HF-$650^{\circ}C$/5hr). The trend of the rate of hydrogen production, for the ATTEs with different annealing temperature from $350^{\circ}C$ to $850^{\circ}C$, fairly well coincided with the photoelectrical properties measured by potentiostat. The actual chemical bias through imposition of two electrolytes of different pHs between anode(13.68) and cathode(7.5) was 0.24eV.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.2
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pp.98-103
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2013
The alumina substrates that Ni electrode was printed on and the multi-layered PTCR thermistors of which composition is $(Ba_{0.998}Ce_{0.002})TiO_3+0.001MnCO_3+0.05BN$ were fabricated by a thick film process, and the effect of re-oxidation temperature on their resistivities and resistance jumps were investigated, respectively. Ni electroded alumina substrate and the multi-layered PTC thermistor were sintered at $1150^{\circ}C$ for 2 h under $PO_2=10^{-6}$ Pa and then re-oxidized at $600{\sim}850^{\circ}C$ for 20 min. With increasing the re-oxidation temperature, the room temperature resistivity increased and the resistance jump ($LogR_{290}/R_{25}$) decreased, which seems to be related to the oxidation of Ni electrode. The small sized chip PTC thermistor such as 2012 and 3216 exhibits a nonlinear and rectifying behavior in I-V curve but the large sized chip PTC thermistor such as 4532 and 6532 shows a linear and ohmic behavior. Also, the small sized chip PTC thermistor such as 2012 and 3216 is more dependent on the re-oxidation temperature and easy to be oxidized in comparison with the large sized chip PTC thermistor such as 4532 and 6532. So, the re-oxidation conditions of chip PTC thermistor may be determined by considering the chip size.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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