$Al_2O_3-SiC$ and $Al_2O_3-SiC$-TiC composite powders were prepared by SHS process using $SiO_2,\;TiO_2$, Al and C as raw materials. Aluminum powder was used as reducing agent of $SiO_2,\;TiO_2$ and activated charcoal was used as carbon source. In the preparations of $Al_2O_3-SiC$, the effect of the molar ratio in raw materials, compaction pressure, preheating temperature and atmosphere were investigated. The most important variable affecting the synthesis of $Al_2O_3-SiC$ was the molar ratio of carbon. Unreactants remained in the product among all conditions without compaction. The optimum condition in this reaction was $SiO_2$: Al: C=3: 5: 5.5, 80MPa compaction pressure under Preheating of $400^{\circ}C$ with Ar atmosphere. However there remains cabon in the optimum condition. The effect of $TiO_2$ as additive was investigated in the preparations of $Al_2O_3-SiC$. As a result of $TiO_2$ addition, $Al_2O_3-SiC$-TiC composite powder was prepared. The $Al_2O_3$ powder showed an angular type with 8 to $15{\mu}m$, and the particle size of SiC powder were 5~$10{\mu}m$ and TiC powder were 2 to $5{\mu}m$.
Nonohmic properties of ZnO ceramics with various small amounts of additives were studied in relation to experimental methods, additive contant and sintaring temperature. The kinds of additives used to following chemicals were basic additives ($0.5Bi_2O_3$, $0.3BaCO_3$, $0.5MnCO_3$, $0.5Cr_2O_3$, $0.1KNO_3$), $TiO_2$ and $Al(OH)_3$. Expecially, this study has focused on the effectsof $TiO_2$ and $Al(OH)_3$ in ZnO ceramics with the basic additives. SEM studies indicated that the addition of TiO2 promoted grain growth but retarded grain growth with the addition of $Al(OH)_3$. Also, in the case of calcination of ZnO with $TiO_2$ and ZnO with $Al(OH)_3$ previously, grain size of ZnO with $TiO_2$ was larger and that of ZnO with Al(OH)3 was smaller in comparison to the case with out calcination. From the viewpoint of nonohmic exponent and nonohimic resistance, electrical characteristics of ZnO, $TiO_2$ and the basic additives was more effective than that of ZnO, $Al(OH)_3$ and the basic additives. Nonohmic exponent and nonohmic resistance of ZnO, $TiO_2$ and the basic additives was 11-13 and 40-65 respectively.
From isothermal and cyclic oxidation tests on thermomechanically treated Ti-5%Al, Ti47%Al-4%Cr, and Ti-48%Al-2%Cr-2%Nb alloys at 800, 900, 1000℃ in air, it was found that Ti-48%Al-2%Cr-2%Nb and Ti-47%Al-4%Cr had the best and the worst oxidation resistance, respectively. The oxide scales consisted primarily of TiO₂and Al₂O₃, with and without a small amount of dissolved Cr and 7b ions, depending on the alloy composition. These ions were slightly enriched inside the inner oxide layer, and strongly enriched around the scale-matrix interface. The outer TiO₂-rich layer was formed by the outward diffusion of Ti ions, while the inner (TiO₂+A1₂O₃,) mixed layer was formed by the inward transport of oxygen. The outward movement of Al ions farmed the intermediate Al₂O₃-rich Iayer, above talc prepared alloys.
$Ti_3AlC_2$ was corroded between 800 and $1100^{\circ}C$ in an Ar-0.2% $SO_2$ gas atmosphere according to the equation: $Ti_3AlC_2+O_2{\rightarrow}rutile-TiO_2+{\alpha}-Al_2O_3$ + (CO or $CO_2$). The scales that formed on the $Ti_3AlC_2$ were thin and rich in ${\alpha}-Al_2O_3$, whose growth rate was exceedingly slow. The $TiO_2$ was present either as the outermost surface scale or a mixture inside the ${\alpha}-Al_2O_3$-rich scale. In the $Ti_3AlC_2$, the activity and diffusivity of Ti were low, whereas those of Al were high. This was the main reason for the superior corrosion resistance of $Ti_3AlC_2$ over TiAl.
TiCrAlSiN films were developed in order to improve the high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, and mechanical properties of conventional TiN films that are widely used as hard films to protect and increase the lifetime and performance of cutting tools or die molds. In this study, a nano-multilayered TiAlCrSiN film was deposited by cathodic arc plasma deposition. It displayed relatively good oxidation resistance at $700-900^{\circ}C$, owing to the formation protective oxides of $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$, and $SiO_2$, and semiprotective $TiO_2$. At $1000^{\circ}C$, the increased temperature led to the formation of the imperfect oxide scale that consisted primarily of the outer ($TiO_2$,$Al_2O_3$)-mixed scale and inner ($TiO_2$, $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$)-mixed scale.
결정질 TiCrN과 AlSiN 나노층이 교대로 구성하는 나노 다층 TiAlCrSiN 박막은 음극 아크 플라즈마 증착법에 의해 증착되었다. 나노 다층 TiAlCrSiN 박막의 산화특성들은 $600{\sim}1000^{\circ}C$사이에서 대기 중 최대 70시간동안 연구 되었다. 형성된 산화물들은 주로 $Cr_2O_3$, ${\alpha}-Al_2O_3$, $SiO_2$ 그리고 rutile-$TiO_2$들로 구성되었다. 나노 다층 TiAlCrSiN 박막이 산화하는 동안, 가장 바깥쪽의 $TiO_2$층은 Ti 이온의 외부확산에 의해, 외부 $Al_2O_3$층은 Al이온의 외부확산에 의해 형성되었다. 동시에, 내부($Al_2O_3$, $Cr_2O_3$) 혼합층과 가장 안쪽의 $TiO_2$층은 산소이온의 내부확산에 의해 형성되었다.
Ik Jin Kim;Oh Seong Kweon;Young Shin Ko;Constantin Zografou
한국결정성장학회지
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제7권2호
/
pp.259-270
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1997
$\alpha-Al_2O_3$와 비정질 $TiO_2$부터 $Al_2TiO_5$를 합성하기 위한 고체상태반응의 반응속도를 $1200~1300^{\circ}C$ 온도 범위에서 연구하였다. 반응속도는 $Al_2O_3$분말을 코팅한 50 mol%의. $TiO_2$와 일정한 온도에서 여러 시간동안 가열하여 생성된 혼합물에 의하여 결정되었다. MgO안의 반응물과 미반응물의 양은 X-선 회절분석에 의하여 결정되었다. $Al_2TiO_5$의 부피율과 peak intensity비의 자료로부터 $Al_2O_3$와 $TiO_2$의 pseudobrookite(Tialite)형태로의 반응은 $1280^{\circ}C$와 $1300^{\circ}C$ 사이에서 시작되었다. 고체상태반응 활성화 에너지는 Arrhenius식에 의하여 결정되었다. 활성화 에너지는 622.4 kJ/mol이다.
The high-temperature oxidation behavior of Ti39Al-10V alloy that consisted primarily of $\beta$-Ti, ${\gamma}$-TiAl, and $\alpha_2$$-Ti_3$Al phases was studied. The relatively thick and porous oxide scales formed consisted primarily of an outermost, thin TiO$_2$ layer, and an outer, thin $Al_2$$O_3$-rich layer, and an inner, very thick (TiO$_2$, $Al_2$$O_3$) mixed layer. Vanadium was present uniformly throughout the oxide scale. The formation and subsequent evaporation of V-oxides such as VO, $VO_2$, and $V_2$O$_{5}$ deteriorated oxidation resistance and scale adherence of the TiAl alloy significantly.y.
A Ti47Al1.7W-3.7Zr alloy was oxidized between $900^{\circ}C$ and $1050^{\circ}C$, and the oxide scales formed were studied. The oxide scales consisted primarily of an outer$TiO_2$ layer, an intermediate $Al_2$$O_3$-rich layer, and an inner mixed ($TiO _2$ + $Al_2$$O_3$) layer. Besides $TiO_2$ and $Al_2$$O_3$, oxidation led to the formation of some $Ti_2$AlN and TiN. Both W and Zr were preferentially segregated below the intermediate $Al_2$$O_3$-rich layer. Tungsten in the oxide scale was present as $WO_3$ and ${Ti}_{x}$$W_{1-x}$, whereas zirconium as monoclic-$ZrO_2$ and tetragonal-$ZrO_2$.
Nano-multilayered, crystalline AlTiSiN thin films were deposited on WC-TiC-Co substrates by the cathodic arc plasma deposition. The deposited film consisted of wurtzite-type AlN, NaCl-type TiN, and tetragonal $Ti_2N$ phases. Their oxidation characteristics were studied at 800 and $900^{\circ}C$ for up to 20 h in air. The WC-TiC-Co oxidized fast with large weight gains. By contrast, the AlTiSiN film displayed superior oxidation resistance, due mainly to formation of the ${\alpha}-Al_2O_3$-rich surface oxide layer, below which an ($Al_2O_3$, $TiO_2$, $SiO_2$)-intermixed scale existed. Their oxidation progressed primarily by the outward diffusion of nitrogen, combined with the inward transport of oxygen that gradually reacted with Al, Ti, and Si in the film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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