Copper oxide (CuO) was synthesized from $CuCl_2$ by solution method. Anatase $TiO_2$ particle was dispersed into the solution before preparing CuO, so that $TiO_2$/CuO heterojunction was created through the nucleation of CuO onto the $TiO_2$ surface. Some amount of CuO was reduced to $Cu_2O$ by treating glucose into the solution, thereby preparing $TiO_2/Cu_xO$ complex. The obtained $TiO_2/Cu_xO$ complex showed advanced phtocatalytic activity under the sun light compared with the P-25 sample. In addition, the the $TiO_2/Cu_xO$ complex showed excellent antipathogenic effect.
$TiO_2/SO_4{^{2-}}$ was prepared by precipitation from the mixed solution of titanium chloride and hydrochloric acid followed by modification with sulfuric acid. The characterization of prepared catalyst was performed by using IR, XPS, XRD and DT-TGA. Infrared spectra of $TiO_2/SO_4{^{2-}}$ showed bidentate sulfate ion coordinated to the surface of $TiO_2$. The acid strength of modified catalyst was at least $H_0{\leq}-14.52$, showing the superacidic properties which are attributed to the double bond nature of S=O of the complex formed by the interaction of $TiO_2$ with sulfate ion. For $TiO_2/SO_4{^{2-}}$, the specific surface area increased and the transition from the amorphous to anatase phase occurred at a higher temperature, as compared with pure $TiO_2$.
$TiO_2-catalyst$ suspensions work efficiently in Photocatalytic oxidation (PCO) for wastewater treatment. Nevertheless, once photocatalysis is completed, separation of the catalyst from solution becomes the main problem. The PCO of Cu(II)-EDTA was studied to determine the reusability of the titanium dioxide catalyst. Aqueous solutions of $10^{-4}M$ Cu(II)-EDTA were treated using illuminated $TiO_2$ particles at pH 6 in a circulating reactor. $TiO_2$ was reused in PCO system for treatment of Cu(II)-EDTA comparing two procedures: reuse of water and $TiO_2$ and reuse of the entire suspension after PCO of Cu(II)-EDTA. The results are as follows; (i) Photocatalytic efficiency worsens with successive runs when catalyst and water are reused without separation and filtration, whereas, when $TiO_2$ is separated from water, the reused $TiO_2$ is not deactivated. (ii) The $TiO_2$ mean recovery (%) with reused $TiO_2$ was 86.4%(1.73g/L). Although the mean initial degradation rate of Cu(II)-EDTA and Cu(II) was lower than that using fresh $TiO_2$, there was no significant change in the rate during the course of the three-trial experiment. It is suggested that Cu(II)-EDTA could be effectively treated using an recycling procedure of PCO and catalyst recovery. (iii) However, without $TiO_2$ separation, the loss of efficiency of the PCO in the use of water and $TiO_2$ due to Cu(II), DOC remained from previous degradation and Cu(II)-EDTA added to the same suspension was observed after 2 trials, and resulted in the inhibition of the Cu(II)-EDTA, Cu(II) and DOC destruction.
Hydrothermal synthesis was conducted with starting material as Barium hydroxide and hydrous titania ($TiO_2{\cdot}xH_2O$) to obtain barium titanate fine Powder. The conversion, crystal structure and properties of as-prepared powder were investigated according to reaction temperature, time and concentration. The effect of variables on conversion was in order of time < temperature < concentration and the maximum conversion reached to 99.5% in the case of hydrothermal synthesis at $180^{\circ}C$ for 2 h with 2.0 M reactant concentration. At low concentration such as 0.25 M, formation of unreacted $BaCO_3$ and $TiO_2$ was not inevitable at even high reaction temperature and these components converted into $BaTi_2O_5$ at high temperature and remained as impurity. As concentration of reactant increased, the size of as-synthesized $BaTiO_3$ powder deceased and Ba/Ti molar ratio approached into 1, showing Ba/Ti ratio of $1{\pm}0.005$ for reaction at $180^{\circ}C$ for 2 h with 2.0 M concentration.
Research advances in dental implantology have led to the development of several different types of materials and it is anticipated that continued research will lead to advanced dental implant materials. Currently used pure titanium has relatively low hardness and strength which may limit its ability to resist functional loads as a dental implant. Ti-6Al-4V also has potential problems such as corrosion resistance. osseointegration properties and neurologic disorder due to aluminium and vanadium, known as highly toxic elements, contained in Ti-6Al-4V. Newly developed titanium based alloys(Ti-20Zr-3Nb-3Ta-0.2Pd-1In, Ti-20Zr-3Nb-3Ta-0.2Pd) which do not contain toxic metallic components were designed by the Korea Institute of Science and Technology (KIST) with alloy design techniques using Zr, Nb, Ta, Pd, and In which are known as non-toxic elements. Biocompatibility and osseointegration properties of these newly designed alloys were evaluated after implantation in rabbit femur for 3 months. The conclusions were as follows : 1. Mechanical properties of the new designed Ti based alloys(Ti-20Zr-3Nb-3Ta-0.2Pd-1In, Ti-20Zr-3Nb-3Ta-0.2Pd) demonstrated close hardness and tensile strength values to Ti-6Al-4V. 2. New desinged experimental alloys showed stable corrosion resistance similar to the pure Ti but better than Ti-6Al-4V. However, the corrosion rate was higher for the new alloys. 3. Cell culture test showed that the new alloys have similar cell response compared with pure Ti and Ti-6Al-4V with no cell adverse reaction. 4. New designed alloys showed similar bone-metal contact ratio and osseointegration properties compared to pure Ti and Ti-6Al-4V after 3 months implantation in rabbit femur. 5. Four different surface treatments of the metals did not show any statistical difference of the cell growth and bone-metal contact ratio.
Epitaxial TiSiz films have been grown by UHV deposition of Ti on atomically clean Si(ll1)- orientated substrates. The Ti film of 50$\AA$ was deposited on the reconstructed Si(ll1) surface at room temperature. The sample was annealed up to $800^{\circ}C$ in $100^{\circ}C$ increments. The structure of the TiSiL films have been identified as the C49 metastable phase by electron diffraction patterns. Scanning electron microscopy( SEM) shows three different types of Tiksilicide island morphologies. The individual island structures are single crystal and are considered to be epitaxy with different crystallographic orientations. The orientational relationships of the $TiSi_{2}$ islands is given by [ 172 1 C49 $TiSi_{2}$//[110] Si and (021) C49 $TiSi_{2}$// (111)Si.
Photocatalytic degradation of Congo red was performed using various semiconductors as ZnO, CdS, rutile-$TiO_2$ or mixed rutile-$TiO_2$/ZnO. The change of degradation of the dye was investigated by UV-visible spectrophotometric method. The photocatalytic action of CdS was greater than ZnO and rutile-$TiO_2$ in account of low band gap energy of CdS. The rate of photocatalytic degradation reaction increased drastically in according to increasing ratio of ZnO on mixed rutile-$TiO_2$/ZnO. These photocatalytic effect of rutile-$TiO_2$ was suppressed by more stable rutile-$TiO_2$, doping the hydrolysis product with $Zn^{2+}$ prior to calcination onto the rutile-$TiO_2$ surface.
Nitrogen doped $TiO_2$ photocatalysts were prepared by ammonia for exploring the visible light photocatalytic activity. To explore the visible light photocatalytic activity of the nitrogen doped $TiO_2$ photocatalyst, the removal of methylene blue dye was investigated under the sunlight. SEM images showed that the flocculated particle sizes of N-doped $TiO_2$ decreased due to the reaction with ammonia. XRD patterns demonstrated that the samples calcined at temperatures up to $600^{\circ}C$ and doped with nitrogen using ammonia clearly showed rutile as well as anatase peaks. The XPS results showed that the nitrogen composition onto $TiO_2$ increased according to the reaction time with ammonia. Photocatalytic activity of the nitrogen doped $TiO_2$ was better than that of undoped $TiO_2$. Nitrogen doping onto the $TiO_2$ also affected the crystal type of $TiO_2$ photocatalyst.
The microwave dielectric materials of the BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$and BaO-(Sm, Nd)$_2$O$_3$-TiO$_2$system were synthesized by conventional ceramic processing and sintered 1220 to 140$0^{\circ}C$ for 2 hours respectively. Their crystallization and dielectric properties were examined. In the BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$ and BaO-(Sm, Nd)$_2$O$_3$-TiO$_2$system. Nd$_2$Ti$_2$O$_{7}$ and (Sm, Nd)$_2$Ti$_2$O$_{7}$ were observed as a second phase respectively. The maximum relative dielectric constant were 79,99 for the BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_2$system and 105.07 for the BaO-(Sm,Nd)$_2$O$_3$-TiO$_2$system and their Q-value were over 2000 at 3GHz.GHz.
Double layered BaTiO3 thin films with high dielectric constant as well as good insulating property were prepared for the application to low voltage driving thin film electroluminescent (TFEL) device. BaTiO3 thin films were formed by rf-magnetron sputtering technique. Amorphous and polycrystalline BaTiO3 thin films were deposited at the substrate temperatures of room temperature and 55$0^{\circ}C$, respectively. Two kinds of films prepared under these conditions showed high resistivity and high dielectric constant. The figure of merit (=$\varepsilon$r$\times$Eb.d) of polycrystalline BaTiO3 thin film was very high (8.43$\mu$C/$\textrm{cm}^2$). The polycrystalline BaTiO3 showed a substantial amount of leakage current (I), under the high electric field above 0.5 MV/cm. The double layered BaTiO3 thin film, i.e., amorphous BaTiO3 layer coated polycrystalline BaTiO3 thin film, was prepared by the new stacking method and showed very good dielectric and insulating properties. It showed a high dielectric constant fo 95 and leakage current density of 25 nA/$\textrm{cm}^2$ (0.3MV/cm) with the figure of merit of 20$\mu$C/$\textrm{cm}^2$. The leakage current density in the double layered BaTiO3 was much smaller than that in polycrystalline BaTiO3 under the high electric field. The saturated brightness of the devices using double layered BaTiO3 was about 220cd/$m^2$. Threshold voltage of TFEL devices fabricated on double layered BaTiO3 decreased by 50V compared to the EL devices fabricated on amorphous BaTiO3.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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