• 한국결정성장학회지
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• 제18권4호
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• pp.165-168
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• 2008

동시스퍼터법을 이용하여 Ta이 도핑된 $TiO_2$ 박막을 석영 및 ITO 기판위에 제작하였다. Ta의 도핑량은 동시스퍼터법에 의하여 조절되는 Ta 금속선 길이에 의하여 제어 되었다. Ta이 도핑된 $TiO_2$ 박막은 rutile상에서 anatase상으로 구조변화를 유발 시키며 고용체를 형성했다. Ta의 도핑량이 증가함에 따라 rutile상 보다는 anatase상이 많은 것으로 나타났다. XPS 분석에 따르면 도핑된 Ta은 금속이 아닌 $Ta_2O_5$의 산화물을 형성하는 것으로 나타났다. Ta이 도핑된 $TiO_2$ 전극에서는 자외선(UV) 영역을 포함하여 가시광(VIS) 영역의 빛의 조사에 광전류응답 특성을 발현하였다. 가시광선 영역에서 발현된 광전류 응답 특성은 Ta 도핑에 의하여 $TiO_2$ 밴드갭내에 불순물 준위의 형성에 기인한 것으로 사료된다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권8호
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• pp.34-41
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• 1993

Effect of high temperature annealing conditions on Ta$_{2}O_{5}$ thin films was investigated. Ta$_{2}O_{5}$ thin films were deposited on P-type silicon substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using tantalum ethylate. Ta(C$_{2}H_{5}O)_{5}$, and nitrous oxide. N$_{2}$O. The microstructure changed from amorphous to polycrystalline above 700.deg. C annealing temperature. The refractive index, dielectric onstant and leakage current of the film increased as annealing temperature increased. However, annealing in oxygen ambient reduced leakage currents and dielectric constant due to the formation of interfacial SiO$_{2}$ layer. By optimizing annealing temperature and ambient, leakage current lower than 10$^{-8}$ A/cm$^{2}$ and maximum capacitance of 9 fF/${\mu}m^{2}$ could be obtained.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.171-171
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• 2003

공정기술의 향상으로 DRAM(dynamic random acess memory)의 고집적화가 이루어지고 있으며, 각 개별소자 및 셀 영역의 점유면적의 감소가 요구되어지고 있다. 따라서 기존에 사용하던 NO (Si$_3$N$_4$/SiO$_2$)박막보다 유전율이 높은 고유전물질에 대한 연구가 진행되고 있다. Ta$_2$O$_{5}$, $Y_2$O$_3$, HfO$_2$, ZrO$_2$,Nb$_2$O$_{5}$, BaTiO$_3$, SrTiO$_3$ 및 (BaSr)TiO등이 고유전물질로 연구되고 있는데 그 중 공정의 안정성, 누설전류의 우수성으로 인해 Ta$_2$O$_{5}$이 많이 연구되고 있다. 본 실험에서는 TiO$_2$가 8 mol%가 첨가된 Ta$_2$O$_{5}$의 열처리 온도에 따른 전기적, 유전특성을 살펴보려고 한다살펴보려고 한다

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.23-25
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• 2001

In this work, the $Ta_2O_5$ thin films were deposited on Pt/n-Si substrate by reactive magnetron sputtering and the RTA treatment at temperatures range from 650 to $750^{\circ}C$ in $O_2$ and vacuum. X-ray diffraction analysis, FE SEM, dielectric properties and leakage current density have been used to study the structural and electrical properties of the $Ta_2O_5$ thin films. XRD result showed that as- deposited films were amorphous and the annealed films crystallized (<$700^{\circ}C$) into ${\beta}-Ta_2O_5$. The crystallinity increased with temperature in terms of an increase in the intensity of the diffracted peaks(${\beta}-Ta_2O_5$) and annealing in oxygen reduced defect dang1ing Ta-O bonds. As deposited $Ta_2O_5$ films show the leakage current density $10^{-7}$ to $10^{-8}$ (A/$cm^2)$ at low electric fields (<200 kV/cm) However, it was found leakage current density of $Ta_2O_5$ thin films decreased with $O_2$ ambient annealing. The dielectric constant of the as deposited $Ta_2O_5$ thin films was ${\varepsilon}_r$ $9{\sim}11$ but the dielectric constant was increased after RTA treatment in $O_2$ ambient more then in vacuum.

• 한국재료학회지
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• 제6권1호
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• pp.40-48
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• 1996

고주파 저손실 재질로 사용되고 있는 Mn-Zn 페라이트의 제조공정 중 소결조건과 Ta2O5첨가가 Mn-Zn 페라이트의전력손실에 미치는 영향에 대해서 연구하였다. 등조성선을 따라 냉각하기 위하여 컴퓨터를 사용해서 정확하게 산소분압을 조절하였으며 적절한 등조성선을 선택함으로써 보다 좋은 손실특성을 얻을 수 있었다. CaO-SiO2 첨가계에 Ta2O5를 0ppm에서 400ppm으로 변화시켜 가며 첨가하였으며, Ta2O5 가 400ppm 첨가되었을 경우 균일한 grain 성장과 더불어 낮은 전력손실을 나타내었다. 온도에 상응하는 상평형 산소분압을 정확히 맞춰 냉각할 경우 전력손실 최소값이 질소 분위기에서 냉각시킨 시편보다 높은 온도쪽으로 이동됨도 확인할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.873-877
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• 2006

[ $Ta_2O_5$ ] 절연막을 제조하기 위하여 ANODE OXIDATION 공정을 수립하였다. Electrolyte에서의 전압강하는 정전류 모드에서 예상되는 전압의 변화에는 영향을 주지 않지만, 정전압 모드에서 전류의 변화에 영향을 주는 것으로 나타났다. 전해질에서의 전압 강하가 음극산화 전압과 같은 값을 갖는 경우, 전류는$Ta_2O_5$/전해질 계면에서의 전압강하가 증가함에 따라 logarithmic한 형태로 변화하는 것으로 나타났다. 음극 $Ta_2O_5$ 절연막 제조공정에 있어서 전해질에서의 전압 강하는 정전류 모드에서 두께의 손실을 발생시키지만, 정전압 모드에서 다시 복원되기 때문에, 최종 두께는 음극산화 전압에 비례하는 것으로 나타났다. 음극 $Ta_2O_5$ 절연막의 전기적 특성을 조사한 결과, 항복전압은 Electrolyte의 농도와 Anodization Current에 반비례하는 것으로 나타났다. 절연막의 두께가 $1500\AA$일 때 Breakdown Voltage는 350volt. 유전상수는 29로 측정되었다.

• 한국광과학회:학술대회논문집
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• 한국광과학회 1999년도 학술대회지
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• pp.97-98
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• 1999

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.65-65
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• 1997

• 전자공학회지
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• 제19권5호
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• pp.47-52
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• 1992

Ta₂O/Si 계면에서 SiO₂층이 dry O₂ 및 N₂분위기에서 열처리에 의해 형성되며 열처리 온도가 증가할수록 이층의 두께가 증가한다. Dry O₂ 및 N₂에서 열처리 할 때 얇은 Ta₂O 박막(40nm 이하)의 누설전류는 열처리 온도가 증가함에 따라 감소한다. 유전상수 vs 열처리 온도 관계에서 750℃또는 800℃에서 Ta₂O 박막의 결정화에 따른 최대값을 보여주며, 이러한 결정화에 의한 유전상수 증가 효과는 두꺼운 Ta₂O 박막에서 현저히 나타난다. 그러나 고온에서 열처리하면 계면에서 SiO₂층의 형성과 성장 때문에 유전상수는 감소한다. Al/Ta₂O/Si MIS capacitor의 stress에 따른 flat band voltage와 gate voltage instability는 열처리에 의해서 형성된 계면 SiO₂성장으로 설명할 수 있다. 열처리 조건의 함수로서 Ta₂O박막의 전기적 특성은 Ta₂O박막형성 방법에 관계없이 Ta₂O 박막 두께에 강하게 의존한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제25권3호
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• pp.293-299
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• 1988

The effects of flux KCl and dopants, La2O3 and Ta2O5, on the PTCR characteristics in molten salt synthesized BaTiO3 have been studied. The resistivity of BaTiO3 at room temperature decreases with increasing amount of dopant La2O3 up to 0.2 atom%, and then increases with La2O3 content. In case of dopant Ta2O5, it increases with increasing amount ofthe dopant. These results could be explained by observation of the microstructure and defect equation. From the results of complex impedance-frequency characteristics, the grain resistances are almost same but the resistances at the grain boundary are quite different.