• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.323-326
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• 2010

$(Zn_{1-x}Ca_x)_2SiO_4$:Mn phosphors doped with Ca were synthesized by solid state reaction method. $(Zn_{1-x}Ca_x)_2SiO_4$:Mn phosphors showed XRD patterns of Willemite structure. Also, $CaSiO_3$ structure and new peak near 610 nm in $(Zn_{1-x}Ca_x)_2SiO_4$:Mn with increasing value of x were observed from XRD and PL. The new peak near 610 nm in $(Zn_{1-x}Ca_x)_2SiO_4$:Mn with doping Ca was attributed to formation of $CaSiO_3$.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권6호
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• pp.609-613
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• 2006

분무열분해법에 의해 장파장 UV 여기원 하에서 높은 발광세기를 가지는 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체를 제조하였다. 분무열분해공정 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 발광특성, 분말 형태 및 결정성에 대해 조사하였다. 분무열분해 공정에 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 모체를 구성하는 바륨과 스트론튬의 비에 따라 청녹색에서 황색에 이르기까지 다양한 파장대의 색을 구현할 수 있었다. x = 0인 $Ba_2SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 경우 발광 중심파장이 500 nm였으며, x = 2인 $Sr_2SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체의 경우 발광중심 파장이 554 nm였다. 분무열분해 공정에 의해 제조된 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 구형의 형상을 띄지만 중공성의 입자 특성을 가졌다. 반면에 후열처리 과정을 거친 $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ 형광체는 큰 입자 크기와 불규칙한 형태를 가졌다. $Ba_{1.488}Sr_{0.5}SiO_4:Eu_{0.012}{^{2+}}$ 형광체가 환원분위기 하에서 후열처리 온도 $1,200^{\circ}C$에서 3시간 동안 후열처리 과정을 거쳤을 때 최적의 발광 세기를 가졌다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권9호
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• pp.794-798
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• 2001

Sol-gel법에 의하여 $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ (x=0.002∼0.04) 형광체를 제조하고 발광특성을 평가하였다. 800$^{\circ}$C에서 하소하였을 때는 무정형의 결정상이 나타났지만 1000$^{\circ}$C 이상에서는 $X_2$ type의 $Y_2SiO_5$ 결정상을 얻었다. 230∼360nm에서 형광체 모체의 광흡수가 일어났으며 300∼400nm에서 Ce 첨가로 인한 형광체의 광흡수가 관찰되었다. 436nm에서 최대의 발광 spectrum을 나타내었으며 $Ce^{3+}$ 함량을 0.025mol 첨가 시 $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ 형광체는 최대의 cathodoluminescence 특성과 CIE1931색 좌표 상에서 x=0.161, y=0.124의 색을 나타내었다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권2호
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• pp.98-103
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• 2013

본 연구에서는 IZO를 활성층으로 하고 $HfSiO_x$를 절연층으로 한 TFT에 대하여 그 성능을 측정하였다. $HfSiO_x$는 $HfO_2$ target과 Si target을 co-sputtering 하여 증착하였으며 RF power를 달리 하여 네 가지의 $HfSiO_x$ 박막을 제작하였다. 공정의 간소화를 위해 게이트 전극을 제외한 모든 층들은 RF-magnetron sputtering system과 shadow mask만을 이용하여 증착하였으며 공정의 간소화를 위해 어떠한 열처리도 하지 않았다. 네 가지 $HfSiO_x$ 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을 통해 분석하였고, 그 전기적 특성을 확인하였다. 박막 내 $HfO_2$와 Si의 조성비에 따라 그 특성이 현저히 차이가 남을 확인하였다. $HfO_2$(100W)-Si(100W)의 조건으로 증착한 $HfSiO_x$ 박막을 절연층으로 한 소자의 특성이 전류 점멸비 5.89E+05, 이동도 2.0[$cm^2/V{\cdot}s$], 문턱전압 -0.5[V], RMS 0.263[nm]로 가장 좋은 결과로 나타났다. 따라서 $HfSiO_x$ 박막 내의 적절한 $HfO_2$와 Si의 조성비가 계면의 질을 향상시킴은 물론, $HfO_2$자체의 trap이나 defect를 효과적으로 줄여 줌으로써 소자의 성능 향상에 중요한 요소라 판단된다.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.341-346
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• 2010

본 논문에서는 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering) 공정으로 $Si_xO_y$ 박막과 $Si_xN_y$ 박막을 4층 구조로 적층하고 400~700 [nm]의 가시광 영역에서 빛의 반사를 줄이기 위한 반사방지 코팅(Anti-Reflection Coating)으로의 응용 가능성을 조사하였다. 스퍼터링 타겟으로 6 [inch] 직경의 Si 단결정을 사용하였고, 반응성 스퍼터링 가스는 $Si_xO_y$ 박막 증착에서 Ar과 $O_2$를, $Si_xN_y$ 박막 증착에서는 Ar과 $N_2$를 사용하였으며, 스퍼터링 파워로는 DC pulse를 사용하였다. 1,900 [W] DC pulse power에서 Ar:$O_2$=70:13 [sccm]의 반응성 스퍼터링으로 2.3 [nm/sec]의 증착률과 1.50의 굴절률을 보이는 $Si_xO_y$ 박막을 제작하였고, Ar:$N_2$=70:15 [sccm]의 반응성 스퍼터링으로 1.8 [nm/sec]의 증착률과 1.94의 굴절률을 보이는 $Si_xN_y$ 박막을 제작하였다. 이 두 종류의 박막을 이용해서 시뮬레이션을 통해 4층 구조의 반사방지 코팅 구조를 설계한 후, 설계결과에 따라 각 박막의 두께를 순차적으로 변화시켜 증착하였다. 4층 구조 $Si_xO_y-Si_xN_y$의 반사도 측정 결과 550 [nm] 대역에서 1.7 [%]의 반사와 400 [nm]와 650 [nm] 영역에서 1 [%]의 반사를 보였으며, 가시광 영역에서 성공적인 "W" 형태의 반사방지 코팅 특성을 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권6호
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• pp.256-259
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• 2006

Vapor phase epitaxy(VPE)법을 사용하여 amorphous $SiO_x$. nanowires를 성장시켰다. Ni thin film을 촉매로 사용하여 Si 기판위에 $800{\sim}1100^{\circ}C$ 범위의 온도에서 성장시켰으며, $SiO_x$ nanowires의 성장 메커니즘은 Vapor-liquid-solid(VLS)으로 확인되었다. $SiO_x$ nanowires의 shape와 morphology는 scanning electron microscope(SEM)으로 분석하였으며, cotton-like형태이고 길이는 $10{\mu}m$정도였다. 그리고 구조적 특징은 transmission electron microscope(TEM)으로 관찰하였고, $SiO_x$ nanowires의 성분 분석은 energy dispersed X-ray spectroscopy(EDS)로 하였다. EDX spectrum으로 nanowires가 Si와 O로 구성되어졌음을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권4호
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• pp.25-29
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• 2008

Reliability and performance in metal gate/high-k device with multiple gate dielectrics were investigated. MOSFETs with a thin $HfSiO_x$ layer on a thermal Si02 dielectric as gate dielectrics exhibit excellent mobility and low interface trap density. However, the distribution of threshold voltages of $HfSiO_x/SiO_2$ stack devices were wider than those of $SiO_2$ and $HfSiO_x$ single layer devices due to the penetration of Hf and/or intermixing of $HfSiO_x$ with underlying $SiO_2$. The results of TZDB and SILC characteristics suggested that a certain portion of $HfSiO_x$ layer reacted with the underlying thick $SiO_2$ layer, which in turn affected the reliability characteristics.

• 한국세라믹학회지
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• 제23권4호
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• pp.23-26
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• 1986

The synthetic conditions of $ ZrSiO_4-Cd(S_xS_{1-x})$ stains from CdS, Se, $SiO_2$ , 4ZrO_2$ and Lif were investigated and the colors were examined. Colors of the stains prepared were yellow orange red pink ruby and violet in relation to both the content of CdS-Se in $ZrSiO_4$ and firing temperature. Colors of these series stains were thermally stabilized probably by the structural stability of zirconium silicate. Furthermore by the result of X-ray diffraction analysis it is assumed that color of the zircon cadmium sulphoselenide $ ZrSiO_4-Cd(S_xS_{1-x})$ stain is developed by neither the coloring ions in $ZrSiO_4$ lattice nor the solid solution of $ZrSiO_4$ and $Cd(S_xS_{1-x})$ but by the small crystals of $Cd(S_xS_{1-x})$ being occluded by the zirconium silicate during sintering process.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.346-352
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• 2000

15%와 42%의 Ge함량을 갖는 poly $Si_{1-x}Ge_x$ 박막을 $700^{\circ}C$의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly $Si_{0.8}Ge_{0.15}$박막의 경우, $GeO_2$에 비해 열적으로 안정한 $SiO_2$가 우선 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly $Si_{1-x}Ge_{x}$박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge농도가 증가함을 확인하였다. Poly $Si_{0.8}Ge_{0.42}$ 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 $GeO_2$와 Ge 형태로 존재하였고, 이러한 $GeO_2$의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 산화 모델을 제시하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.1028-1032
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• 2009

In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the $SiO_x$ film with oxygen concentration($O_2/Ar+O_2$) of 3.3% and the $SiO_xN_y$ film with nitrogen concentration($N_2/Ar+O_2+N_2$) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the $SiO_x$ and/or $SiO_xN_y$ films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate (WVTR) over $10^{-1}\;g/m^2{\cdot}day$ compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the $SiO_xN_y$ film.