Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.585-585
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2012
$Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite 계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 $10^5cm^{-1}$로 다른 물질보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. CIGS 태양전지를 제조하는 방법은 3-stage 동시 증착법, 금속 전구체의 셀렌화 공정법, 전기 증착법 등이 있다. 그 중에 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리한 장점이 있다. 하지만 아직 상대적으로 3-stage 동시 증착법에 비해 낮은 에너지 변환 효율이 보고된다. 본 실험에서는 기존의 금속 전구체의 셀렌화 공정법과는 달리 전구체 증착과 셀렌화 공정을 동시에 하고, Se cracker를 통하여 Se 원료를 주입하는 방식인 반응성 스퍼터링 공정에서 reservoir zone의 온도 변화에 따른 특성을 분석하였다. Se cracker의 reservoir zone 온도가 증가할수록 Cu/(In+Ga) 비가 증가한다. CIGS 박막 태양전지의 구조는 Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/Soda lime glass이다. CIGS 박막의 조성비가 Cu/(In+Ga)=0.89, Ga/(In+Ga)=0.17인 박막 태양전지에서 개방전압 0.34 V, 단락전류밀도 $32.61mA/cm^2$, 충실도 56.2% 그리고 변환 효율 6.19%를 얻었다. 본 연구는 2011년도 지식경제부의 재원으로 한국에너지 기술평가원(KTEP)의 지원을 받아 수행한 연구 과제입니다(No.20093020010030).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.201.1-201.1
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2015
복합 유무기 혼합물을 사용하여 제작한 유기 쌍안정 메모리 소자는 저전력 소비, 고밀도 저장성, 높은 기계적 유연성, 저렴한 가격, 간단한 공정 과정 등의 장점들로 인하여 메모리 분야에서 많은 관심을 받고 있다. 그래핀 옥사이드층을 활용하여 만든 소자에 관한 연구는 이미 다양하게 진행되고 있으나, CdSe/ZnS 양자점을 활용한 메모리 소자에 관한 연구는 아직 많이 연구되고 있지 않다. 본 연구에서는 CdSe/ZnS 양자점을 그래핀 옥사이드에 내포한 유기 쌍안정 메모리 소자를 제작하여 메모리로써의 활용 가능성과 메커니즘을 확인하였다. Indium-tin-oxide (ITO) 기판을 세척한 후, CdSe/ZnS 양자점을 내포한 그래핀 옥사이드 층을 스핀코팅을 이용하여 1000 rpm, 3000 rpm, 1000 rpm으로 각각 3 s, 40 s, 3 s로 코팅한 후 핫플레이트에서 90oC로 30분 동안 열처리 한다. 이렇게 제작된 소자의 실온에서 전류-전압을 측정한 결과 높은 전도도와 낮은 전도도의 비율이 최대 [10]^3까지 나오는 것을 확인할 수 있었다. 투과전자 현미경 및 X선 광전자 분광법 측정결과 그래핀 옥사이드 층과 그 안에 내포된 양자점들의 유무를 확인할 수 있었다. 내구성을 측정한 결과 소자가 안정적이라는 것을 확인할 수 있었다.
Park, Min-Seok;Yoo, Young-Bae;Moon, Byung-Kee;Son, Se-Mo;Chung, Su-Tae
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.894-897
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2004
Sodum bismuth titanate $(Na_{0.5}Bi_{0.5}TiO_3$ or NBT) thin films coated on the $LaNiO_3$ (LNO) electrode by sol-gel methode and rapid thermal annealing (RTA) technique. The NBT (NBT/LNO/Si) thin films examined by x-ray diffraction (XRD). The orientation of NBT was observed for films coated at $900^{\circ}C$, 5 min and $600^{\circ}C$, 60 min. Filed emission scanning electron microscopy (FE-SEM) showed uniform surface composed of grains. The grain size of NBT thin films increased with increasing annealing temperature.
Microstructure and wear behavior of A1203-based nanocomposites with Cu and Ni-Co dispersions were investigated. $Al_2O_3/Cu$ and $Al_2O_3/Ni-Co$ nanocomposites were fabricated by hydrogen reduction and sintering method using metal oxide and metal nitrates. The nanocomposites showed increased mechanical properties compared with monolithic $Al_2O_3$. In particular, high toughness and hardness were measured for the $Al_2O_3/Ni-Co$ nanocomposite consolidated by spark plasma sintering. A minimum value of wear coefficient comparable to the monolithic $Al_2O_3$ was obtained for $Al_2O_3/Ni-Co$ nanocomposite. Wear behavior is discussed in terms of microstructure and mechanical properties of nanocomposites
In this study, an experiment is performed to recover the Li in $Li_2CO_3$ phase from the cathode active material NMC ($LiNiCoMnO_2$) in waste lithium ion batteries. Firstly, carbonation is performed to convert the LiNiO, LiCoO, and $Li_2MnO_3$ phases within the powder to $Li_2CO_3$ and NiO, CoO, and MnO. The carbonation for phase separation proceeds at a temperature range of $600^{\circ}C{\sim}800^{\circ}C$ in a $CO_2$ gas (300 cc/min) atmosphere. At $600{\sim}700^{\circ}C$, $Li_2CO_3$ and NiO, CoO, and MnO are not completely separated, while Li and other metallic compounds remain. At $800^{\circ}C$, we can confirm that LiNiO, LiCoO, and $Li_2MnO_3$ phases are separated into $Li_2CO_3$ and NiO, CoO, and MnO phases. After completing the phase separation, by using the solubility difference of $Li_2CO_3$ and NiO, CoO, and MnO, we set the ratio of solution (distilled water) to powder after carbonation as 30:1. Subsequently, water leaching is carried out. Then, the $Li_2CO_3$ within the solution melts and concentrates, while NiO, MnO, and CoO phases remain after filtering. Thus, $Li_2CO_3$ can be recovered.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.7
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pp.394-399
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2000
The mechanical and electrical properties of pressed and annealed $\beta-SiC-TiB_2$ electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid forming additives of $Al_2O_3+Y_2O_3$. Phase analysis of composites by XRD revealed $\alpha$-SiC(6H), TiB2, and (Al5Y3O12). Reaction between Al2O3 and $Y_2O_3$ formed YAG but the relative density decreased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_3$ contents. The Flexural strength showed the value of 458.9 MPa for composites added with 4 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at room temperatures. Owing to crack deflection and crack bridging, the fracture toughness showed 6.2, 6.0 and 6.6 MPa.m1/2 for composites added with 4, 8 and 12 wt% Al2O3+Y2O3 additives respectively at room temperature. The resistance temperature coefficient showed the value of $3.6\times10^{-3},\; 2.9\times10^{-3}\; and\; 3.0\times10^{-3} /^{\circ}C$$^{\circ}C$ for composite added with 4, 8 and 12 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$additives respectively at room temperature. The electrical resistivity of the composites was all positive temperature coefficient resistance(PTCR) in the temperature range of $25^{\circ}C\; to\; 700^{\circ}$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.262-263
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2008
The Metal-Insulator-Silicon (MIS) capacitors with $SiO_2$ and high-k dielectric were investigated. The high-k dielectrics were obtained by atomic layer deposit (ALD) system. The electrical characteristics were investigated by measuring the current-voltage (I-V) characteristics. The conduction mechanisms were analyzed by using the Fowler-Nordheim (FN) plot and Direct Tunneling (DT) plot. As a result, the MIS capacitors with high-k dielectrics have lower leakage current densities than conventional tunnel-barrier with $SiO_2$ dielectrics.
In 1957, Schwarz and Foltz discovered that selenium (Se) was an essential trace mineral and nutritionists then started extensive studies to figure out the metabolic function of this element which has been called as toxic mineral. The discovery that glutathione peroxidase (GSH-Px) contained Se demonstrated a biochemical role for Se as an essential trace element. The major physiological function of Se containing GSH-Px is thought to maintain low levels of $H_2O_2$ and other hydroperoxides in the cell to prevent tissues from peroxidation damages. It is known that the GSH-Px activity is increased when animals were fed high dietary levels of Se. Chemical properties of Se have much in common with sulfur (S) therefore Se would follow the sulfur pathways in its metabolism in animal body. Two sources of Se are available for supplementation of Se in animal feed. Inorganic Se can also exist in selenide (-2), elemental (0), selenite (+4) and selenate (+6) oxidation state with other minerals. When sulfur in S containing amino acids is replaced by Se, organic Se can be made and named "eleno"prior to the name of S containing amino acid, i.e. selenomethionine. Selenium deficiency affects humans as well as animals and dysfunctions such as exudative diathesis, retained placenta, mastitis, liver necrosis, Keshan disease, numerous diseases and cancer. From several centuries ago, Se toxicity was recognized in various animal species and much of the current toxic Se levels has been established largely based upon the controlled toxicity studies used inorganic Se. Toxic effects of Se in animal result in reduced feed intake, growth retardation, ataxia, diarrhea, alopecia and sloughing of hooves. However, several experiments demonstrated that Se deficiencies or toxicities were varied by dietary Se levels and sources. Recent studies demonstrated that the incidence of colorectal and prostate cancer was reduced by approximately 50% when humans consumed 200 ${\mu}g$ of Se daily.
Ha, Heon-Pil;Hyeon, Do-Bin;Hwang, Jong-Seung;O, Tae-Seong
Korean Journal of Materials Research
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v.9
no.4
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pp.349-354
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1999
The temperature dependences of the Hall coefficient, carrier mobility, electrical resistivity, Seebeck coefficient, thermal conductivity, and figure-of-merit of the undoped and $CdI_2$-doped 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$, single crystals, grown by the Bridgman method, have been characterized at temperatures ranging from 77K to 600K. The saturated carrier concentration and degenerate temperature of the undoped 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ single crystal are $5.85\times10_{18}cm^{-3}$ and 127K, respectively. The scattering parameter of the 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ single crystal is determined to b -0.23, and the electron mobility to hole mobility ratio ($\mu_e/\mu_h)$ is 1.45. The bandgap energy at 0K of the 90% <$Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ single crystal is 0.200 eV. Adding $CdI_2$as a donor dopant, a maximum figure-of-merit of $3.2\times10^{-3}/K$$CdI_2$-doped specimen.
The Voronoi network can be used to effectively simulate the microstructure of ZnO varistors. The nonuniformity in microstructure of simulated ZnO varistor can be changed by setting different disorder degree of Voronoi network. In the region of disorder degree larger than 3 where the simulated microstructures are similar to those the actual ones of ZnO varistors, a chaotic phenomenon exists in the microstructure characteristics. This chaotic property can simulate the original behavior of nonuniformity of electrical characteristics caused by microstructures of ZnO varistors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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