• 한국표면공학회지
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• 제29권5호
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• pp.519-524
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• 1996

We synthesized semiconducting Sn-doped diamondlike carbon films by rf plasma-enhanced chemical vapor deposition using an organotin compound as a dopung gas source. XPS quan-titative analysis for the deposited films after 60 s argon ion etching revealed that Sn concen-tration increased with the partial pressure of the organotin compound in the reactant gas. In C 1s spectra, there was a component due to C-Su bond which had a negative chemical shift. C 1s spectra also indicated that the deposited films were relatively $sp^2$ rich. The chemical shift of the Sn-C bond in Sn $3d_{5/2}$ spectra was about +1.7 eV. The electrical resistivity and the optical transmittance were also investigated.

• Corrosion Science and Technology
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• 제2권3호
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• pp.141-147
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• 2003

Sputter-deposited Nb-Al-Cr alloys. $3-5{\mu}m$ thick, have been prepared on quartz substrates as oxidation-and sulfidation-resistant materials at high temperatures. The oxidation or the alloys in the $Ar-O_2$ atmosphere of an oxygen partial pressure of 20 kPa follows approximately the parabolic rate law, thus being diffusion controlled. Their oxidation rates are almost the same as or even lower than those ofthc typical chromia-forming alloys. The multi-lavered oxide scales are formed on the ternary alloys. The outermost layer is composed of $Cr_2O_3$, which is"mainly responsible for the high oxidation'resistance of these alloys. In contrast to sputter-deposited Cr-Nb binary alloys reported previously, the inner layer is not porous. TEM observation as well as EDX analysis indicates that the innermost layer is a mixture of $Al_2O_3$ and niobium oxide. The dispersion of $Al_2O_3$ in niobium oxide may be attributable to the prevention of the formation of the porous oxide layer. The sulfidation rates of the present ternary alloys arc higher than those of the sputter-deposited Nb-AI binary alloys, but still several orders of magnitude lower than those of conventional high temperature alloys. Two-layered sulfide scales are formed, consisting of an outer $Al_2S_3$ layer containing chromium and an inner layer composed of $NbS_2$ and a small amount of $Cr_2S_3$. The presence of $Cr_2S_3$ in the inner protective $NbS_2$ layer may be attributed to the increase in the sulfidation rates.

• 공업화학
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• 제9권5호
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• pp.624-628
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• 1998

초임계 이산화탄소내에서 방향족 유기용매(BTX)를 0.5% $Pt/{\gamma}-Al_2O_3$ 촉매가 충전된 고정층 반응기를 이용하여 완전분해를 시도하였다. BTX의 전환율은 반응기 입구에서 유기용매의 농도와 초임계 이산화타소의 몰밀도에 의존하는데, 입구농도가 감소함에 따라 전환율은 크게 증가되었고, 일정한 입구농도에서 온도 증가에 따라 반응은 잘 진행되어 전환율이 증가됨을 알 수 있었다. 동일 온도에서 압력이 증가함에 따라 큰 전환율을 보임을 알 수 있었다. 또한 실험조건 $300^{\circ}C$, 204.1 atm에서 benzene은 98.5% 이상의 전환율로 거의 완전산화 되었고, toluene과 xylene의 전환율은 $350^{\circ}C$, 204.1 atm의 조건에서 각각 82.0, 76.5%로 나타났다. 부분산화에 의한 중간생성물의 크로마토그램을 확인한 결과 중간생성물은 benzaldehyde, phenol, benzenemethanol 등으로 확인되었다. 충분한 산화반응 조건하에서 BTX가 중간생성물 없이 환경에 크게 영향을 미치지 않는 $CO_2$와 $H_2O$의 분해생성물로 분해가 가능한 것으로 판단되었다.

• 한국결정학회지
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• 제4권2호
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• pp.74-85
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• 1993

Lithium niobate(LiNbO3) 단결정은 유전성, 압전성, 초전성, 비선형 광학 및 선형 전기광학 물질로서 다양한 응용 성을 가지고 있으므로 전기와 광학장치로 널리 사용되어지고 있다. 그러나 LiNbo3 단결정이 레이저를 이용한 광학장치로 응용될 때 레이저광의 세기에 따라 상굴절(ne)과 이상굴절(no)이 불규칙하게 변하는 장손상이 발생하여 비선 형 광학소자로의 이용에 한계가 있음이 밝혀졌다. 1980년 Zhong등이 LiNbO3에 MgO를 4.5mol% 첨가한 MgO:LiNbO3단결정을 성장시켜 물성을 조사한 결과 광손 상이 현저하게 감소된다고 발표한 후 이 분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 순수한 LiNbO3 단결정의 최적 성장조건인 congrugnt한 LiNbOs(Li/Nb=0.486)에 MgO를 0, 2.5, 5.0, 7.5, 10.0 mol% 첨가시킨 MgO:LiNb03 단결정을 Czochalski법으로 성공적으로 성장시켰다. 결정성장은 성장온도 1250℃ 근방에서 회전속도 15rpm 인상속도 2.85 ∼3.25 mm/hr로 하였으며 냉각율은 30℃/hr이다. 성장시킨 단결정의 X-ray 회절실험과 편광현미경의 conoscope상 관찰로 양질의 MgO:LiNbO3 단결정이 성장되었음을 확인하였다. c축에 수직되게 절단한 c-pltae 시료 중 MgO가 첨가된 MgO:LiNb03 시료에서 나이테 형태의 둥근 원무늬가 나타나고 있다. 이 현상은 결정성장시 공기 중의 산소분압에 의해 MgO:LiNbO3 의 용융상태에서 MgO가 균일하게 분포되지 못하기 때문에 나타난 것으로 해석 된다. MgO 첨가량에 따른 MgO:LiNbo3 단결정의 결정 결함 구조를 조사하기 위하여 밀도측정을 하였다. MgO:LiNbO3 단결정의 밀도는 MgO론 2.5mol% 첨가한 시료에서 감소 하다가 5.0mol% 첨가한 시료에서 다시 증가하였으며 5.0mol%이상에서는 다시 감소하였다. 이 실험결과로 MgO 첨가량에 따른 결정 결함구조를 점 결함 모형 (point defect medel)으로 해석하였다.

• 한국재료학회지
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• 제9권7호
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• pp.657-662
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• 1999

기판온도 $320^{\circ}C$에서 알루미나 기판 위에 형성한 NTC 써미스터용 Mn-Ni계 산화물 박막의 산소가스 농도 변화와 막 형성 후 열처리에 따른 미세구조, 결정상 비저항, B정수 변화에 관하여 연구하였다. 미세구조는 주상 구조(columnar structure)를 지녔으며 열처리 온도가 증가함에 따라 $700^{\circ}C$ 부근에서 등축 결정립 (equiaxed grain) 형태의 미세구조로 바뀌기 시작하였다. 박막의 결정상은 대부분 입방 스피넬 (cubic spinel) 상과 입방 $Mn_2$$O_3$, 상이 공존하였으며 산소농도 0.16%~0.7%의 경우 $800^{\circ}C$에서 열처리하였을 때 입방 스피넬 상만이 존재하였다. 분위기 산소의 농도가 증가함에 따라 비저항과 B정수도 급격하게 감소하다가 다소 증가하였으며, $600^{\circ}C$-$700^{\circ}C$ 로 열처리할 경우 이 값들이 대체로 낮고 안정된 특성을 보였다.

• 대한화학회지
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• 제28권3호
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• pp.149-154
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• 1984

산화이트륨의 전기전도도를 $1 {\times}10^{-5}{\sim}2 {\times}10^{-1}$atm의 산소분압과 $650{\sim}1050^{\circ}$C 의 온도에서 산소분압 및 온도의 함수로 측정하였다. 일정한 산소분압에서 측정된 전기전도도 값을 온도의 역수에 대하여 도시한 결과, 온도 의존성이 적은 영역과 큰 영역이 나타났으며, 온도 의존성이 큰 영역은 두 개의 각기 다른 결함구조를 보여주었다. 전기전도도의 산소분압 의존성은 $850{\sim}950^{\circ}C$ 에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6},\;950{\sim}1050^{\circ}C$ 에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$이며 $650{\sim}800^{\circ}C$에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/7.5}{\sim}{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/8.3}$이다. ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6}$인 영역에서의 detect는 $O_i{''}$며 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$인 영역에서의 detect는 $V_M{'''}$이다. 고온영역에서의 carrier type은 electron hole이며 저온영역에서는 이온성의 기여도가 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권5호
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• pp.308-313
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• 2005

In this study the electrical conductivity of excess BaO in $BaTiO_3$ was measured to investigate the relationship between defects and solubility in the temperature range of $900^{\circ}C$ to $1300^{\circ}C$ under various oxygen partial pressure. First of all, quenched $BaTiO_3$ powders of various Ba/Ti ratios were analysed by X-ray diffraction to confirm whether second phase is formed or not. As the results, we observed the solubility of BaO in the temperature range of $1200^{\circ}C$ to $1400^{\circ}C$, and it was also found that the conductivity minima move to lower $PO_2$ with increasing excess BaO within solubility limit.

• Journal of Preventive Medicine and Public Health
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• 제25권1호
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• pp.34-43
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• 1992

To investigate the effect of hyperoxia on EKG findings and to evaluate the applicability of EKG as noninvasive monitoring index of oxygen toxicity, 38 rabbits were continuously exposed to 6 different conditions-3 hyperbaric oxygenations (HBO-2.5, 3.5 and 5ATA, 100% $O_2$), normobaric oxygenation (NBO,100% $O_2$), hyperbaric aeration (HBA-5ATA, 21% $O_2$) and normobaric aeration (NBA, 21% $O_2$)-for 120 minutes and their EKG and time to dyspnea and convulsion were recorded. Dyspnea and death were observed in exposure conditions of HBO-3.5 and HBO-5 (Positive rate of dyspnea 10%, 100%, death : 10%, 25%, respectively) only, and convulsion in 4 oxygenation groups (NBO;20%, HBO-2.5;20%, HBO-3.5;20%, HBO-5;88%). Abnormal EKG findings included arrhythmia and ST-T changes and the incidences was increasing with doses(partial pressure of oxygen). In addition to EKG change, findings observed during exposure were dyspnea and convulsion in the order of appearance and when non specific ST-T change was accepted as positive(abnormal) finding, the frequency of abnormal EKG was statistically significant(p<0.01), but when it was excluded from positive results, the frequency of EKG change was not significant(p>0.05). These results suggest that the effect of hyperoxia on heart is myocardial ischemia and arrhythmia, that oxygenation more than 3.5ATA causes myocardial damage in 120 minutes exposure, and that EKG is valuable as monitoring index of oxygen toxicity.

• 한국표면공학회지
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• 제47권3호
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• pp.109-115
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• 2014

High power impulse magnetron sputtering (HIPIMS), also known as the technology is called peak power density in a short period, you can get high, so high ionization sputtering rate can make. Higher ionization of sputtered species to a variety of coating materials conventional in the field of improving the characteristics and self-assisted ion thin film deposition process, which contributes to a superior being. HIPIMS at the same power, but the deposition speed is slow in comparison with DC disadvantages. Since recently as a replacement for HIPIMS modulated pulse power (MPP) has been developed. This ionization rate of the sputtered species can increase the deposition rate is lowered and at the same time to overcome the problems to be reported. The differences between the MPP and the HIPIMS is a simple single pulse with a HIPIMS whereas, MPP is 3 ms in pulse length is adjustable, with the full set of multi-pulses within the pulse period and the pulse is applied can be micro advantages. In this experiment, $In_2O_3$ : $SnO_2$ composition ratio of 9 : 1 wt% target was used, Ar : $O_2$ flow rate ratio is 4.8 to 13.0% of the rate of deposition was carried out at room temperature. Ar 40 sccm and the flow rate of $O_2$ and then fixed 2 ~ 6 sccm was compared against that. The thickness of the thin film deposition is fixed at 60 nm, when the partial pressure of oxygen at 9.1%, the specific resistance value of $4.565{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, transmittance 86.6%, mobility $32.29cm^2/Vs$ to obtain the value.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1352-1354
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• 1997

Transparent conductive thin films have found many application in many active and passive electronic and opto-electronic devices as like flat Panel display electrode and window heat mirror, etc. Low resistivity and high transmittance of this films can be obtained by controlling deposition parameters, which are oxygen partial Pressure, substrate temperature and dopant concentration. In this study, We prepared non-stoichiometric and Sb-doped thin films of tin dioxide by reactive DC magnetron sputtering technology. The lowest resistivity of about $3.0{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm$ and 80% transmittance in the visible light region have heed obtained at optimal deposition condition.