• Nuclear Engineering and Technology
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• 제52권9호
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• pp.2034-2040
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• 2020

The gas evolution from mixtures consisting of 0.2 M solution of N,N,N',N'-tetra-n-octyldiglycolamide (TODGA) in n-alcohol (n-decanol or n-nonanol) with Isopar-M diluent was investigated during thermal oxidation. The effect of ionizing radiation on their thermal stability has been studied. It has been determined that the volume of gaseous thermolysis products increases by 260% in the case of n-nonanol and 80% in the case of n-decanol compared to non-irradiated solutions. It has been shown that the gas evolution rate and gas volume increase when the irradiated mixture saturated with nitric acid is heated. However, there are no prerequisites for the development of autocatalytic oxidation.

• 한국재료학회지
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• 제30권4호
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• pp.169-175
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• 2020

Silicon nitride thin films are deposited by RF (13.57 MHz) magnetron sputtering process using a Si (99.999 %) target and with different ratios of Ar/N₂ sputtering gas mixture. Corning G type glass is used as substrate. The vacuum atmosphere, RF source power, deposit time and temperature of substrate of the sputtering process are maintained consistently at 2 ~ 3 × 10^-3 torr, 30 sccm, 100 watt, 20 min. and room temperature, respectively. Cross sectional views and surface morphology of the deposited thin films are observed by field emission scanning electron microscope, atomic force microscope and X-ray photoelectron spectroscopy. The hardness values are determined by nano-indentation measurement. The thickness of the deposited films is approximately within the range of 88 nm ~ 200 nm. As the amount of N₂ gas in the Ar:N₂ gas mixture increases, the thickness of the films decreases. AFM observation reveals that film deposited at high Ar:N₂ gas ratio and large amount of N₂ gas has a very irregular surface morphology, even though it has a low RMS value. The hardness value of the deposited films made with ratio of Ar:N₂=9:1 display the highest value. The XPS spectrum indicates that the deposited film is assigned to non-stoichiometric silicon nitride and the transmittance of the glass with deposited SiO₂-Si_xN_y thin film is satisfactory at 97 %.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.49-49
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• 2010

In this paper, a full scaled gas discharge chamber was designed and fabricated for evaluating the dielectric performance of SF6/N2 mixture gases. And it describes work on AC and lightning impulse dielectric characteristics of SF6/N2 mixture insulation gas from experiments and full scale models.

• Mass Spectrometry Letters
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• 제10권1호
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• pp.27-31
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• 2019

In this article, the properties of ${CO_2}^+(CO_2)_n$ clusters in a Paul ion trap have been investigated using mass-selective instability mode which conducted by chosen precursor ions, mainly $Ar^+$ and ${CO_2}^+$ produced by a mixture of Ar and $CO_2$. Exposure of ${CO_2}^+$ ions to $CO_2$ molecules, lead to the formation of ${CO_2}^+(CO_2)_n$ clusters. Here, Ar gas react as a buffer gas and lead to form ${CO_2}^+(CO_2)_n$ cluster by collisional effect.

• 한국토양비료학회지
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• 제20권1호
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• pp.55-61
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• 1987

담수상태(湛水狀態)의 논토양중(土壤中) 유기물함량(有機物含量), 온도(溫度), pH 질소비종(窒素肥種) 및 시비량등(施肥量等)을 달리했을때 탈질작용(脫窒作用)과 탈질량(脫窒量)을 알고저 질내(窒內)에서 항온시험(恒溫試驗)한 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 담수상태(湛水狀態)의 논토양(土壤)에서 탈질량(脫窒量)에 관계(關係)가 큰 요인(要因)은 토양유기물함량(土壤有機物含量) > 항온온도(恒溫溫度) > pH가(價) > 질소비종(窒素肥種) > 질소시비량(窒素施肥量)의 순(順)으로 컸다. 2. $N_2O$ gas의 생성량(生成量)은 토양유기물함량(土壤有機物含量) 3.0%인 토양(土壤)에서 항온온도(恒溫溫度) $20^{\circ}C$, pH 6.0일때 $KNO_3$ 20mg/100 토양(土壤) 시용구(施用區)에서 가장 많았다. 3. $N_2O$ gas 1 mole 생성(生成)하는데 소모(消耗)되는 탄소(炭素)는 전체평균(全體平均)이 0.5 mole 이였으며 탄소량(炭素量)이 제일(第一) 많이 요구(要求)되는 경우는 토양유기물함량(土壤有機物含量) 1.0%인 토양(土壤)에서 류안(硫安) 10mg/100g 토양(土壤) 시용시(施用時)(1.06 mole)였으며 제일(第一)적은 탄소요구(炭素要求)의 경우는 유기물함량(有機物含量) 3.0%인 토양(土壤)에서 $KNO_3$ 20mg/100g 토양(土壤) 시용시(施用時)(0.13 mole)였다. 4. Michealis-Menten의 효소반응식(酵素反應式)에서 유도(誘導)된 $N_2O$ gas의 V/2가(價)는 유기물(有機物) 1.0% 토양(土壤)에서 $(NH_2)_2CO$ 시용시(施用時) 550, $KNO_3$ 시용시(施用時)는 $1100N_2O{\mu}g/100g$ 토양(土壤)이였고 3.0%인 토양(土壤)에서 $(NH_4)_2SO_4$ 시용시(施用時)는 $490N_2O{\mu}g/100g$ 토양(土壤)이였으며 $KNO_3$ 시용시(施用時)는 시비량(施肥量)이 증가(增加)할수록 V/2가(價)는 계속 증가(增加)되었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제11권4호
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• pp.19-23
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• 2012

We report microbolometer characteristic with n-type and p-type amorphous silicon thin film. The n-type and p-type amorphous silicon thin films were made by PECVD. The electrical properties of n-type and p-type a-Si:H thin films were investigated as a function of doping gas flow rate. The doping gas used $B_2H_6/Ar$ (1:9) and $PH_3/Ar$ (1:9). In general, the conductivity of doping a-Si:H thin films increased as doping gas increase but the conductivity of a-Si:H thin films decreased as the doping gas increase because doping gas concentration increase led to dilution gas (Ar) increase as the same time. We fabricated an amorphous silicon microbolometer using surface micromachining technology. The fabricated microbolometer had a negative TCR of 2.3%. The p-type microbolometer had responsivity of $5{\times}10^4V/W$ and high detectivity of $3{\times}10^8cm(Hz)^{1/2}/W$. The p-type microbolometer had more detectivity than n-type for less noise value.

• 한국자기학회지
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• 제16권5호
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• pp.240-244
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• 2006

본 연구에서는 하지층으로 사용한 Mo(MoN)의 두께 변화에 따른 스핀밸브 구조의 자기적 특성과 열처리 결과를 비교 검토하였다. 사용된 스핀밸브는 Si기판/$SiO_2/Mo(MoN)(t{\AA})/NiFe(21\;{\AA})/CoFe(28\;{\AA})/Cu(22\;{\AA})/CoFe(18\;{\AA})/IrMn(65\;{\AA})/Ta(25\;{\AA})$ 구조이다. 또한 본 연구에서는 MoN 하지층을 Si기판에 증착하여 열처리후 특성을 분석하였다. MoN 박막의 질소량이 증가(5 sccm까지)할수록 비저항은 증가하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리 후 측정한 XRD 결과를 보면 Si/Mo(MoN) 박막에서 규소화합물을 발견할 수 없었다. MoN을 하지층으로 사용할 경우 $300^{\circ}C$에서 열처리 후 측정한 XPS 결과를 보면 질소 유입량이 5 sccm인 경우가 질소 유입량이 1 sccm인 경우보다 안정적임을 알았다. Mo(MoN) 하지층을 사용한 경우 하지층 두께 변화($45{\AA}$)에 따라 자기저항비와 교환결합력의 변화는 소폭이었다. Mo 하지층의 열처리 온도별 자기저항비는 열처리 전 상온에서 7.0%이었고, $220^{\circ}C$ 열처리 때 7.5%로 증가하였다. 이후 열처리 온도를 $300^{\circ}C$까지 증가 시키면 자기저항비는 7.5%에서 3.5%로 감소하였고, 질소유입량이 변화(5 sccm까지)하여도 유사한 경향을 보였다.

• 한국식품과학회지
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• 제32권2호
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• pp.317-322
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• 2000

전통 유과의 저장성을 증진하기 위한 시도의 일환으로써 Al증착필름 질소치환포장(AN포장군), PE필름 함기포장(PE포장군) 및 ${\gamma}-oryzanol$첨가 질소치환포장(ANA포장군)을 적용하여 $60^{\circ}C$에 20일 동안 저장하면서 유과의 품질 변화를 살펴보았다. 과산화물가, 산가 및 공액이중결합지방산 함량의 경우, PE포장군과 AN포장군은 저장일수가 늘어남에 따라 점차 증가하였고, 세 포장군 가운데 ANA포장군이 가장 낮은 값을 나타내었다. 반면, hexanal 함량은 AN포장군이 PE포장군보다 높았고, 색도에 있어서도 AN포장군이 PE포장군보다 황색도, 적색도가 더 높았다. 유과의 색도 결과와 관련이 있는 것으로 보이는 저장 중 수분함량은 AN포장군이 PE포장군보다 약 3배 정도 높았다. 유과의 질소치환포장시 완전탈기할 경우 제품의 변형 또는 파손이 일어났고 형태를 유지할 경우 잔존 산소량이 높게 나타났으며, 저장기간이 늘어남에 따라 포장지내 잔존 산소량이 증가하였다. 따라서 유과의 경우 질소치환포장의 적용은 완전 탈기가 어려워 일반 유탕스낵에 비해 효과가 낮으며, 유과의 저장성 증진을 위해서는 항산화제를 병용하는 것이 바람직할 것으로 사료된다.

• 대한전기학회논문지
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• 제44권4호
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• pp.496-501
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• 1995

The N $O_{2}$ gas-detection characteristics were investigated using the functional organic Langmuir-Blodgett (LB) films of Copper-tetra-tert-butylphthalocyanine (CuTBP), Dilithium phthalocyanine (Li$_{2}$Pc), N-docosylpyridinium TCNQ(C$_{22}$Py(TCNQ)), Polyamic acid alkylamine salts (PAAS). The optimum conditions for a film deposition were obtained through a study of .pi.-.ALPHA. isotherms and the deposited film status was confirmed by electrical and optical methods such as UV/visible absortion spectra, thickness measurements by ellipsometry, and electrical capacitances. A response of the LB films to the N $O_{2}$ gas was measured by a change of the electrical conductivities when the film is exposed to the gases. The CuTBP LB film shows the biggest change of the electrical conductivities when it is exposed to the N $O_{2}$ gases. And the order of gas-detection performance is the following;Li$_{2}$Pc, $C_{22}$Py(TCNQ), and PAAS LB films. Especially, the CuTBP and Li$_{2}$Pc LB films not only show the bigger change in the electircal conductivities when exposed to the gas, but return to the original state when the gas is desorbed.d.

• 한국진공학회지
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• 제20권4호
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• pp.266-270
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• 2011

본 연구에서는 W (Tungsten)를 주 구성 물질로 불순물 C (Carbon)과 N (Nitrogen)을 첨가한 W-C-N 확산방지막 시편을 제조하였고, $N_2$가스의 유량을 변화시키면서 확산방지막을 제조하여 각각의 시료에 대하여 $600^{\circ}C$열처리를 하였다. 실험 결과 질소유량의 변화에 따라 시편의 탄소성 구간층의 물성 변화율이 시편의 탄성구간보다 큰 것을 알아냈다. 이는 질소 가스의 유량 변화가 시편의 탄소성 구간에 더욱 직접적으로 연관이 되었다는 것을 알 수 있었다. 각 시료는 16회 연속 압입 실험을 실시하여 Stress-strain curve를 통하여 질소 가스의 유량이 2 sccm인 박막의 분산이 적음을 알아냈고, 연속압입을 통하여 얻어진 상항복점의 표준 편차 역시 질소 가스의 유량이 2 sccm인 박막이 가장 적다는 것을 알 수 있었다. Stress-strain curve 분산과 상항복점의 Stress 값의 표준 편차의 크기로 부터 박막의 안정도를 예상할 수 있었으며, 이 결과로부터 W-C-N 박막은 질소 유량에 따라 박막의 안정도가 변화하는 것을 알았다.