• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.14 no.2
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• pp.297-302
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• 2019

In this study, we deposited ITO thin films on buffer layer of $Nb_2O_5(8nm)/SiO_2(45nm)$ using DC magnetron sputtering method and investigated its electrical and optical properties with various DC powers(100~400 W). The surface of the ITO thin film was observed by AFM. All thin films had defected free surface such as pinholes and cracks. The thin film deposited at DC power of 200 W exhibited the smallest surface roughness of 1.431nm. As a result of electrical and optical measurements, the ITO thin film deposited at DC power of 200 W which showed the lowest resistivity of $3.03{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$. The average transmittance in the visible light region(400 to 800 nm) and the transmittance at the wavelength of 550nm were found to be 85.8% and 87.1%, respectively. The chromaticity(b*) was also a relatively good value as 2.13. The figure of merit obtained from the sheet resistance of the ITO thin film, the average transmittance in the visible light region and the transmittance at the wavelength of 550nm were the best values of $2.50{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ and $2.90{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ at a DC power of 200W, respectively.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.4
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• pp.377-385
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• 2002

The possibility of $ZrO_2$ thin film as insulator for Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS) structure was investgated. $SrBi_2Ta_2O_9$ and $SrBi_2Ta_2O_9$(SBT) thin films were deposited on P-type Si(111) wafer by R. F. magnetron sputtering method. The electrical properties of MFIS gate were relatively improved by inserting the $ZrO_2$ buffer layer. The window memory increased from 0.5 to 2.2V in the applied gate voltage range of 3-9V when the thickness of SBT film increased from 160 to 220nm with 20nm thick $ZrO_2$. The maximum value of window memory is 2.2V in Pt/SBT(160nm)/$ZrO_2$(20nm)/Si structure with the optimum thickness of $ZrO_2$. These memory windows are sufficient for practical application of NDRO-FRAM operating at low voltage.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.06a
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• pp.180-181
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• 1996

적외선 센서의 재료로 활용되고 있는 ppLT 박막(두께:8000~9000$\AA$)을 ppt/MgO(100)의 하부 구조상에 50$0^{\circ}C$ 및 $600^{\circ}C$에서 스퍼터링 증착하여 결정성 및 전기적 특성을 조사하였다. $600^{\circ}C$로 in-situ 성장된 ppLT 박막은 c-축(00l) 방향으로 배향 성장되었 고, 비유전상수(r)와 유전정접(tan)의 값이 10kHz~100kHz의 주파수에서 $\varepsilon$r≒35와 tan$\delta$≒ 0.01로 나타났다. 잔류분극량(2ppr)과 초전계수(${\gamma}$)는 상온부근에서 2ppr≒5$\mu$C/cm2, ${\gamma}$≒4$\times$ 10-8C/cm2.$^{\circ}C$로 비교적 양호한 초전박막의 전기적 특성을 나타내었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.6 no.3
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• pp.233-238
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• 1995

'#65279;We made $P_2O_5-SiO_2$ films on silicon for integrated optics application by low pressure chemical vapor deposition using TEOS(tetraethylorthosilicate), TMPite(trimethylphosphite) and phosphine($PH_3$). And We studied and compared between TMPite and PH, as a dopant of P in PSG films in the aspect of the de,position characteristics. Deposition rate of TMPate-PSG films was $55 \AA/min$ which was smaller than 90 A/min , that of $PH_3-PSG$ films. Thickness deviation of TMPate-PSG films was 2% and that of PH3-PSG was 4.5%. So TMPate-PSG films had a good quality in thickness uniformity. The range of refractive index was controlled from 1.445 to 1.468 at 633 nm in TMPate-PSG films and it was controlled from 1.456 to 1.476 in $PH_3-PSG$ films.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.386-386
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• 2010

최근의 전자재료들은 산화물 기반의 소자들을 이용하며 이들 소자의 특징은 가시광 영역에서의 높은 투과도와 실리콘 기반의 소자에 비해서 높은 이동도를 나타낸다. 이러한 점을 활용하여 LCD, PDP, 태양전지 등으로의 응용을 위해 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 비정질임에도 이동도가 $10cm^2/V{\cdot}s$ 정도로 높은 이동도를 가지고 있는 a-IGZO 박막에 대하여 RF magnetron sputtering 법을 이용, 다각도의 연구를 진행하였다. 기판은 Corning 1737 유리기판을 사용하였으며 유기 클리닝 후 즉시 챔버 내부에 장착되었다. IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1:1:2mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였으며 AFM, SEM, XRD 투과도를 이용하여 산소의 함량과 RF power에 따른 박막의 변화를 알아보았다. 박막 증착 조건으로는 초기 압력을 $2.0{\times}10^{-6}$ Torr, 증착압력으로 $2.0{\times}10^{-2}$ Torr를 유지하였으며, Ar 과 $O_2$의 비율을 10에서 40%까지 변화시키며 시편을 제작하였다. AFM 분석결과 $O_2$가 첨가될수록 박막의 거칠기가 감소하였으며, XRD 결과 Bragg's 법칙을 만족 하지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. 가시광선 투과 특성은 $O_2$를 첨가한 박막이 첨가하지 않은 박막보다 우수하였으며 그 평균은 85% 이상으로 양호하였다. Hall과 XPS 분석결과 산소함량이 많아질수록 박막의 특성이 절연체의 특성을 가짐을 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.11a
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• pp.382-382
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• 2009

염료감응형 태양전지의 구성체 중 전극으로 연구 되어 지고 있는 $TiO_2$는 기존에 대량 생산이 가능한 spin coating법, screen printing법, spray법의 연구가 이루어져 왔으나 고 효율 태양전지에 쓰이는 전극 시스템에 비해 고 분산성을 지닌 $TiO_2$페이스트를 제조 하는데 어려움이 있다. 그리고 플렉시블 디스플레이 소자의 응용을 위해서는 소자 공정 온도인 $250^{\circ}C$ 이하의 공정 온도가 요구 되어 지므로 고온공정인 CVD법은 이에 적합하지 않다. 이에 본 연구는 진공 증착 방법인 광원자층증착법을 이용하여 $150^{\circ}C$이하의 저온공정온도에서도 적용이 가능한 $TiO_2$ 박막을 185nm의 UV light를 조사하여 glass 기판위에 제조 하고 그에 따른 박막의 물성 분석을 하였다. Mo source로는 titanium tetraisopropoxide(TTIP)와 reactant gas 로는 $H_2O$를 사용하였으며 불활성 기체인 Ar 가스는 purge 가스로 각각 사용하였다. $100^{\circ}C{\sim}250^{\circ}C$ 공정온도를 변수로 $TiO_2$ 박막을 제조 하였으며 제조된 $TiO_2$ 박막의 물성 분석을 위해 FESEM, TEM을 이용하여 표면 및 두께를 분석하였다. 또한 $100^{\circ}C$ 400 cycles에서 약 12nm 막 두께를 관찰 할 수 있었으며 그 결과 박막의 성장률이 $0.3{\AA}$/cycle 임을 확인 할 수 있었다. 그리고 UV-VIS을 이용하여 박막의 좌외선에 대한 흡수도 및 투과도 분석을 하였다. 또한 XPS 성분 분석을 통하여 $100^{\circ}C$의 저온 공정에서 형성된 박막이 $TiO_2$임을 확인 하였다. 이러한 결과에서 185nm의 UV light에 의한 광원자층 증착법으로 $100^{\circ}C$의 저온에서도 $TiO_2$ 박막이 증착 되는 것을 확인 할 수 있었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.3
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• pp.279-285
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• 2003

Ferroelectric S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$N $b_{0.2}$ thin films with 200 nm thicknesses were deposited on Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si Substrates by a sol-gel method. In these experiments, Sr(O $C_2$ $H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ and Nb(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ were used as precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. After UV-irradiation and RTA processes, the remanent polarization value (2 $P_{r}$) of SBTN thin films with annealed at $650^{\circ}C$ was 8.49 and 11.94 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ at 3 V and 5 V, respectively.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.9
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• pp.71-74
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• 1999

We have fabricated high-T$_c$ superconducting YBa$_2Cu_3O_{7-{\delta}}\;/SrTiO_3/\;YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (YBCO/STO/YBCO) multilayer structure on (001) $SrTiO_3$ substrate by using pulsed laser deposition technique for applying to ground plane of single flux quantum digital circuits. In this structure, the top and bottom YBCO layers were connected through the holes in the STO insulating layer. The critical temperature of the two YBCO layers connected each other was 86 K after annealing at 500 $^{\circ}C$ in $O_2$ atm for about 60 hr. This result shows that the annealing process is very important fabricating YBCO/STO/YBCO multilayer structure An experiment to optimize the fabrication process of YSCO/ST0/YBCO multilayer structure with good quality is in progress.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.12
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• pp.1180-1186
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• 2001

W $O_3$-Sn $O_2$thin film sensors with approximately 1${\mu}{\textrm}{m}$ in thickness were fabricated by using a high-vacuum resistance-heating evaporator, were annealed at 50$0^{\circ}C$ for 4 hours in air, and then their crystallinities and surface microstructures were analyzed. As results of gas-sensing characteristics to oxidizing gas, N $O_2$, and reducing gas, CO, of 100 ppm, the highest gas sensitivities (S= $R_{gas}$/ $R_{air}$) were the W $O_3$thin-film sensor measured at 25$0^{\circ}C$ for N $O_2$(S≒1000) and the Sn $O_2$thin-film sensor measured at 15$0^{\circ}C$ to 25$0^{\circ}C$ range for CO (S≒0.25), respectively.ely.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.8
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• pp.742-749
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• 2002

The PZT thin films werre deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by R. F. magnetron sputtering with $Pb_{1.1}Zr_{0.53}Ti_{0.47}O_3$ target. When interlayers(PbO, $TiO_2$, PbO/$TiO_2$) were inserted between PZT and Pt, the crystallization of the PZT thin films was considerably improved and the processing temperature was lowered. Compared to the pure PZT thin films, dielectric constant, dielectric loss and polarization properties of PZT thin films with interlayers were considerably improved. From XPS depth profile analysis, it was confirmed that PZT thin films and interlayers existed independently. In particular, PZT thin films deposited on interlayer(PbO/$TiO_2$) showed the best dielectric property (${\varepsilon}_r$=414.94, tan${\delta}$=0.0241, Pr=22${\mu}C/cm^2$).