• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.47-52
• /
• 2004

$HgGa_2S_4$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The $HgGa_2S_4$ single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure $(I\bar{4})$. The lattice constants of the single crystal were found to be a=5.635 ${\AA}$ and c=10.473 ${\AA}$. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84 eV and 2.78 eV, respectively. Photoluminescence peaks of $HgGa_2S_4$ single crystal were observed at 2.37 eV, 2.18 eV, and 1.81 eV. In the single crystal, the donor level of 0.25 eV, the acceptor levels of 0.97 eV and 0.41 eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권11호
• /
• pp.969-974
• /
• 2003

HgGa$_2$S$_4$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The HgGa$_2$S$_4$ single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure (I 4). The lattice constants of the single crystal were found to be a = 5.635 $\AA$ and c = 10.473 $\AA$. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84eV and 2.78eV, respectively. Photoluminescence peaks of HgGa$_2$S$_4$ single crystal were observed at 2.37 eV, 2.18 eV, and 1.81 eV. In the single crystal, the donor level of 0.25 eV, the acceptor levels of 0.97 eV and 0.41 eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.3-7
• /
• 2004

$HgGa_2S_4:CO^{2+}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. 1n the optical absorption spectrum of the $HgGa_2S_4:CO^{2+}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absorption peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ sited in the $S_4$ symmetry point.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권7호
• /
• pp.579-583
• /
• 2003

HgGa$_2$S$_4$: Co$^{2＋}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. In the optical absorption spectrum of the HgGa$_2$S$_4$: Co$^{2＋}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absolution peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of Co$^{2＋}$ sited in the S$_4$ symmetry point.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
• /
• pp.55-57
• /
• 2004

$HgGa_{2}S_{4}Co^{2+}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. In the optical absorption spectrum of the $HgGa_{2}S_{4}Co^{2+}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absorption peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ sited in the $S_4$ symmetry point.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2004년도 제15회 정기총회 및 동계학술발표회
• /
• pp.332-333
• /
• 2004

• 자원리싸이클링
• /
• 제4권3호
• /
• pp.10-18
• /
• 1995

GaAs wafer의 Scrap은 고품위이고 반도체 제조공정중의 여러 단계에서 발생하는 지속적인 자원이므로, 이로부터 Ga, As의 분리 회수에 관한 기술개발은 자원의 Recycling 측면에서 대단히 중요한 의미를 지니고 있다. 특히 유독성 물질인 As에 의한 환경오염 방지의 측면에서도 GaAs Scrap으로부터 Ga, As의 분리 회수는 필연적이라 할 수 있다. 본 연구에서는 진공 분위기하(2~2.5$\times$10\ulcorner mmHg)에서 Ga과 As 상호간의 증기압 차를 이용한 건식법에 초점을 두어 주로 thermo-electrobalance를 이용, GaAs 분말의 증발거동을 연구 검토하여 GaAs Scrap으로부터 Ga, As의 분리 회수를 위한 기초자료로서 활용하고자 하였다. GaAs Scrap분말은 약 $795^{\circ}C$까지는 거의 중량변화가 없으나, 이 온도 이상에서는 증발에 따른 중량감소가 일어나 $965^{\circ}C$ 부근에서 급격한 중량감소를 보였다. 특히 $1,000^{\circ}C$ 이하의 저온일 경우에는 GaAs 화합물로부터 Ga과 As가 분해하지 못하고 단지 GaAs의 화합물형태로서 증발하나, $1,000^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 Ga, As 간의 공유결합이 끊어져 각각 분해됨으로써 양자간의 증기압 차에 의하여 Ga을 분리 회수할 수 있다.

• BMB Reports
• /
• 제32권2호
• /
• pp.127-132
• /
• 1999

The NAD(P)H-quinone oxidoreductase (EC 1. 6. 99. 2) was purified from S. cerevisiae. The native molecular weight of the enzyme is approximately 111 kDa and is composed of five identical subunits with molecular weights of 22 kDa each. The optimum pH of the enzyme is pH 6.0 with 1,4-benzoquinone as a substrate. The apparent $k_m$ for 1,4-benzoquinone and 1,4- naphthoquinone are 1.3 mM and $14.3\;{\mu}M$, respectively. Its activity is greatly inhibited by $Cu^{2+}$ and $Hg^{2+}$ ions, nitrofurantoin, dicumarol, and Cibacron blue 3GA. The purified NAD(P)H-quinone oxidoreductase was found capable of reducing aromatic nitroso compounds as well as a variety of quinones, and can utilize either NADH or NADPH as a source of reducing equivalents. The nitroso reductase activity of the purified NAD(P)H-quinone oxidoreductase is strongly inhibited by dicumarol.

• 한국응용약물학회:학술대회논문집
• /
• 한국응용약물학회 1993년도 제2회 신약개발 연구발표회 초록집
• /
• pp.127-127
• /
• 1993

작약의 메타놀에기스를 작용성분을 추적하면서 분리하였으며 EtOAc 분획으로부터 gallic acid methylester(GA-1) 및 paeonoldmf 혈소판 응집억제 작용 물질로서 분리하였으며 Paeonol은 혈소판 응집억제 작용이 이비 보고된바 있다. GA-1은 오가피로부터 혈소판 응집억제 작용물질로서 분리된 DBA-1과 구조적으로 매우 유사하며 혈소판 응집억제 작용물질로서 알려진 aspirin의 구조와 유사하다. Platelet aggregometer을 이용하여 DBA 및 GA analogs 13종(DBA-1-10 및 GA-1-3)들이 ADP 또는 collagen에 의하여 유도된 혈소판 응집에 대하여 억제작용을 보이는가를 검색하였다. 이들중 aspirin과 유사하게 억제작용을 보인 DBA-1-3-7-9-10, GA-3 및 paeonol에 대하여 mouse를 이용한 in vivotlfgja을 시행하였다. 즉 endotoxin 또는 collagen 과 epinephrine을 정맥주사하여 intravascular thrombosis를 일으켜 혈소판수를 감소시키며 이때 이들 물질들의 혈소판 감소 억제효과를 관찰하였다. 대조약물로서 사용한 aspirin은 collagen과 epinephrine에 의한 혈소판 감소를 현저히 억제한 반면 endotoxin에 의한 혈소판 감소에는 효과가 없었다. DBA-9, -10, GA-3 및 paeonol은 endotoxin에 의한 혈소판감소에 대하여 약한 억제효과를 보였으며, 검색시료 전부가 collagen과 epinephrine에 의한 혈소판 감소에는 aspirin보다 작용이 적었으나, DBA-10, GA-3 및 paeonol은 현저하게 억제효과 있었다. 또한 collagen과 epinephrine 동시 투여에 의한 치사 실험에서는 DBAD-7, GA-3 및 paeonol이 aspirin과 같거나 강한 사망 억제 효과가 있었다.cyclopropyl-7-(2-furanyl) -6-fluoro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid (compound 4), 1-cyclopropyl-7-(2-thiophenyl)-6-fluoro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid (compound 6) ,1-cyclopropyl-7-(3-pyridinyl)-6-fluoro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid (compound 8), 1-cyclopropyl-7-(2-fluoro-3-pyridinyl)-6-fluoro-1,4-dihydro-4-oxo-3-quinoline carboxylic acid (compound 10)를 합성하였다.10^{－7}$ M)에 의한 단백인산화에 대하여는 더 미약한 억제-효과를 나타내었다. 이상의 결과는 PDE-1과 항우울약들의 항혈소판작용은 PKC-기질인 41-43 kD와 20 kD의 인산화를 억제함에 기인되는 것으로 사료된다.다. 것으로 사료된다.다.바와 같이 MCl에서 작은 Dv 값을 갖는데, 이것은 CdCl$_{4}$$^{2-}$ 착이온을 형성하거나 ZnCl$_{4}$$^{2-}$ , ZnCl$_{3}$$^{-}$같은 이온과 MgCl$^{+}$, MgCl$_{2}$같은 이온종을 형성하기 때문인것 같다. 한편 어떠한 용리액에서던지 NH$_{4}$$^{+}$의 경우 Dv값이 제일 작았다. 바. 본 연구의 목적중의 하나인 인체유해 중금속이온인 Hg(II), Cd(II)등이 NaCl같은 염화물이 함유된 시료용액에 공해이온으로 존재할 경우 흡착에 의한 제거가

• 한국진공학회지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.406-410
• /
• 2000

Hot-wall epitaxy 방법으로 GaAs (100) 기판 위에 9 $\mu\textrm{m}$의 CdTe (111)을 완충층으로 성장하고 그 위에 in-situ로 $Hg_{1-x}Cd_x$/Te (MCT)박막을 성장하였다. 성장된 MCT박막의 2결정 x-선 요동곡선의 반치폭 값은 125 arcsec이었으며 표면 형상의 roughness는 10 nm의 작고 깨끗한 면을 나타내었다. 성장된 MCT 박막에 대한 광전류 측정으로부터 최대 peak 파장과 cut off 파장은 각각 1.1050 $\mu\textrm{m}$ (1.1220 eV)와 1.2632 $\mu\textrm{m}$ (0.9815 eV)임을 알았다 이 peak 파장은 광전도체의 intrinsic transition에 기인한 band gap에 대응하는 봉우리이다. 이로부터 MCT 박막은 1.0 $\mu\textrm{m}$에서 1.6 $\mu\textrm{m}$의 근적외선 파장 영역을 감지할 수 있는 광전도체용 검출기로 쓰일 수 있음을 알았다.