• 분석과학
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• 제15권5호
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• pp.482-487
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• 2002

Carteolol은 국제올림픽위원회 (IOC)에서 금지약물로 규정하고 있는 ${\beta}$-차단제 중의 하나이다. 본 실험에서는 GC/MS를 사용하여 사람의 소변으로부터 carteolol의 복용여부를 확인하기 위한 검출방법 및 대사와 배설에 대해서 고찰하였다. 이를 위하여 효소 가수분해방법과 산 가수분해방법을 비교하여 보았는데 효소가수분해방법이 더 좋은 결과를 얻을 수 있었다. 효소 가수분해방법을 이용하여 실험한 결과 RSD 10%내외의 정밀도와 $0.05{\mu}g/m{\ell}$를 제외하고는 오차 5%이내의 좋은 정확도를 보여주었으며 회수율은 78.5%로 나타났다. Carteolol은 소변에서 대부분이 free carteolol과 conjugated carteolol로 존재하며 소량의 p-OH-carteolol로 대사됨을 알 수 있었으며 모 약물로 배출되는 양 중 conjugated form이 59.4%로 나타났다. 소변으로 배출된 carteolol의 양을 측정한 결과 복용양의 49%가 복용 후 72시간까지 모 약물로 배출됨을 알 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.181-183
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• 2016

탄화규소(Silicon Carbide) 기반의 1200 V급 Merged Pin Schottky(MPS) 다이오드의 구조를 2D-atlas simulation tool을 사용하여 최적화 및 설계하였다. 최적화된 항복전압과 온-저항 값을 얻기 위해 본 소자에서 중요한 파라미터인 P-Grid의 도핑농도와 에피층의 도핑농도를 각각 $2{\sim}10{\times}10^{17}cm^{-3}$, $2{\sim}10{\times}10^{16}cm^{-3}$으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 분석하였으며, 그 후 P-Grid의 Space값을 $1{\sim}5{\mu}m$로 설계하여 이에 따른 항복전압과 온-저항의 값을 확인하였다. 항복전압과 온-저항은 서로 trade-off 관계에 있기 때문에 각 변수에서 도출된 값들을 Baliga's Figure Of Merit (BFOM)식에 대입하여 비교하였다. 그 결과 고전압 소자에 적용 가능한 1200 V급 4H-SiC MPS다이오드를 최적화 및 설계를 도출하였다.

• 한국재료학회지
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• 제33권12호
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• pp.525-529
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• 2023

β-Ga₂O₃ has become the focus of considerable attention as an ultra-wide bandgap semiconductor following the successful development of bulk single crystals using the melt growth method. Accordingly, homoepitaxy studies, where the interface between the substrate and the epilayer is not problematic, have become mainstream and many results have been published. However, because the cost of homo-substrates is high, research is still mainly at the laboratory level and has not yet been scaled up to commercialization. To overcome this problem, many researchers are trying to grow high quality Ga₂O₃ epilayers on hetero-substrates. We used diluted SiH4 gas to control the doping concentration during the heteroepitaxial growth of β-Ga₂O₃ on c-plane sapphire using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Despite the high level of defect density inside the grown β-Ga₂O₃ epilayer due to the aggregation of random rotated domains, the carrier concentration could be controlled from 1 × 10¹⁹ to 1 × 10¹⁶ cm^-3 by diluting the SiH4 gas concentration. This study indicates that β-Ga₂O₃ hetero-epitaxy has similar potential to homo-epitaxy and is expected to accelerate the commercialization of β-Ga₂O₃ applications with the advantage of low substrate cost.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1370-1372
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• 1998

Boron doped CdS films were prepared by CBD(Chemical Bath Deposition) method using boric acid ($B_3HO_3$) as donor dopant source, and their properties were investigated. As-grown CdS films were highly adherent and specularly reflective. Boron doped CdS film which was fabricated under the condition of 0.01 $B_3HO_3/Cd(Ac)_2$ mole ratio, exhibited the lowest resistivity of $2{\Omega}cm$ and the highest optical bandgap of 2.41eV. Also, CdS/CdTe solar cells were fabricated with various doping concentration of CdS films. Using optimized CdS film as the window layer of CdS/CdTe solar cell, the characteristics of the cell were improved. ( $V_{oc}$=610mV, $J_{sc}$=37.5mA/cm, FF=0.4, $\eta$=9.1% )

• 한국표면공학회지
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• 제30권6호
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• pp.406-411
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• 1997

Transparent conductive thin films have found many applications in active and passive electronic and opto-electronic devices such as flat panel display electrode, solar cell electrode and window heat mirror, etc. Low resistivity and high transmittance of these films can beotained by controlling deposition parameters which are oxygen partial pressure, substrate temperature and dopant concentration. In this study, non-stoichiometric and Sb-doped thin electrical properties of undoped films have been degraded with increase of substrate temperature and optical properties have been improved in Sb-doped films. The resistivity of $2.5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}$,/TEX>, average transmittance of 80% and sheet resistance of 130$\Omega$/$\square$ at thickess of 2000 $\AA$ could be obrained at optmal condimal conditions which were at $400^{\circ}C$ of substrate temperature, 58% of oxygen partial pressure and 5% of Sb doping concentration.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권2호
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• pp.69-75
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• 2003

Cell transistor and data retention time characteristics were studied in 90 nm design rule 512M-bit DRAM, for the first time. And, the characteristics of cell transistor are investigated for different STI gap-fill materials. HDP oxide with high compressive stress increases the threshold voltage of cell transistor, whereas the P-SOG oxide with small stress decreases the threshold voltage of cell transistor. Stress between silicon and gap-fill oxide material is found to be the major cause of the shift of the cell transistor threshold voltage. If high stress material is used for STI gap fill, channel-doping concentration can be reduced, so that cell junction leakage current is decreased and data retention time is increased.

• 청정기술
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• 제24권1호
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• pp.35-40
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• 2018

$N_2O$ 촉매 분해 반응을 위한 $Co_3O_4$ 촉매는 공침법을 이용하여 제조하였으며, 조촉매로서 Ce 및 Zr의 양을 (Ce 또는 Zr)/Co = 0.05의 몰비로 고정하여 제조하였다. 또한 K가 촉매에 미치는 영향을 조사하기 위해 1 wt%의 $K_2CO_3$를 함침하여 촉매를 제조하였다. 제조된 촉매의 특성은 BET, SEM, XRD, $H_2-TPR$, XPS를 통해 분석하였다. $Co_3O_4$ 촉매는 스피넬 결정상을 나타냈으며, 조촉매의 첨가는 입자 크기와 결정 크기를 감소시켜 비표면적을 증가시키는 것으로 나타났다. K의 도핑은 촉매 활성 물질인 Co의 활성 종인 $Co^{2+}$의 농도를 증가시켜 촉매 활성을 향상시키는 것으로 확인되었다. $N_2O$ 분해 반응 테스트는 $GHSV=45,000h^{-1}$, $250{\sim}375^{\circ}C$에서 수행되었으며 $Co_3O_4$ 촉매에 조촉매를 첨가하였을 때도 반응성이 증가하였지만, K를 함침하면 활성이 더욱 크게 증가하는 것으로 나타났다. K의 도핑이 활성 종인 $Co^{2+}$의 농도를 증가시키며, 환원온도를 낮춰 주어 활성에 큰 영향을 주는 것으로 확인하였다.

• 공업화학
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• 제26권3호
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• pp.319-325
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• 2015

분무열분해법을 이용하여 서브 미크론 크기의 $CeO_2:Er^{3+}/Yb^{3+}$ 상향 변환 형광체 입자를 합성하고 $Er^{3+}$ 및 $Yb^{3+}$ 농도 변화에 따른 발광특성을 조사하였다. 합성한 $CeO_2:Er^{3+}/Yb^{3+}$는 $Er^{3+}$ 활성이온의 $^4S_{3/2}/^2H_{11/2}{\rightarrow}^4I_{15/2}$ 및 $^4F_{9/2}{\rightarrow}^4I_{15/2}$ 전이에 기인한 강한 녹색 및 적색 발광을 보였다. 가장 높은 발광을 보이는 활성제 농도는 Er = 1.0% 그리고 Yb = 2.0%이며, 농도소광 현상은 쌍극자-쌍극자 상호작용을 통해 일어남이 확인되었다. 레이저 다이오드 여기 광 세기에 대한 발광강도 의존성을 활성이온 농도에 따라 조사하였고, 발광 중간 에너지 레벨의 주 소멸과정을 고려하여 발광 메커니즘을 조사하였다. $Yb^{3+}$에서 $Er^{3+}$으로 에너지 전달은 바닥 상태 흡수(ground state absorption, GSA)에 기여하고, $Yb^{3+}$ 도핑은 $^4I_{11/2}{\rightarrow}^4I_{13/2}$ 전이를 가속화시켜 적색/녹색 발광세기 비를 상승시킨다. 최종적으로 분무열분해법으로 제조된 $CeO_2:Er^{3+}/Yb^{3+}$ 형광체의 발광은 선형 감쇠가 중간 에너지 레벨의 고갈을 지배하는 2 광자 프로세스에 의해 일어남을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권5호
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• pp.189-193
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• 2004

Pure and Sn or Pt doped $\alpha-Fe_2O_3$ thin films were prepared on $Al_2O_3$ substrates by RF-magnetron sputtering method and the sensitivities were compared. It was found that pure $\alpha-Fe_2O_3$ thin films did not exhibit much selectivity in CO and $i-C_4H_{10}$ gases while it showed the high sensitivity in proportion to the gas concentration of $C_2H_{5}OH$ gas. Pt-doped $\alpha-Fe_2O_3$ showed to be alike sensing properties as pure $\alpha-Fe_2O_3$ thin film in $C_2H_{5}OH$ gas. However, Sn-doped $\alpha-Fe_2O_3$ thin films exhibited the excellent sensitivity and selectivity in Hz gas. After microstructure modification by plasma etching on pure $\alpha-Fe_2O_3$ thin films, the gas sensing characteristics were dramatically changed.

• 한국표면공학회지
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• 제51권5호
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• pp.271-276
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• 2018

The effects of activator ion on the structural, morphological, and optical properties of $LaNbO_4:RE^{3+}$ (RE = Dy, Dy/Sm, Sm) phosphors were investigated. X-ray diffraction patterns exhibited that all the phosphors showed a monoclinic system with a main (112) diffraction peak, irrespective of the concentration and type of activator ions. The grain size showed a slightly decreasing tendency as the concentration of $Sm^{3+}$ ions increased. The excitation spectra of the $LaNbO_4:Dy^{3+}$, $Sm^{3+}$ phosphor powders consisted of a strong charge transfer band centered at 259 nm in the range of 220-290 nm and five weak peaks. The emission spectra of the $La_{0.95}NbO_4$:5 mol% $Dy^{3+}$ phosphors exhibited two intense yellow and blue bands centered at 575 nm and 479 nm respectively, which resulted from the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ and $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{15/2}$ transitions of $Dy^{3+}$. As the concentration of $Sm^{3+}$ was increased, the intensity of the yellow emission band was gradually decreased, while those of orange and red emission bands centered at 604 and 646 nm began to appear and reached maxima at 5 mol%, and then decreased rapidly with further increases in the $Sm^{3+}$ concentration. These results indicated that white light emission could be realized by controlling the concentrations of the $Dy^{3+}$ and $Sm^{3+}$ ions incorporated into the $LaNbO_4$ host crystal.