• 한국자기학회지
• /
• 제18권1호
• /
• pp.43-47
• /
• 2008

[ $ZnO-Bi_2O_3-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2$ ] nano-glass를 sol-gel 법으로 제조 하였다. 평균 입자 크기는 60.3 nm였으며 매우 균일한 입도 분포를 가졌다. Nano-glass를 NiZnCu ferrite의 저온소성용 소결조제로 사용하였으며 NiZnCu ferrite에 nano-glass를 첨가한 후 $840{\sim}900^{\circ}C$에서 2시간 소결을 진행하였다. 소결성 및 자기적 특성에 대해 연구하였으며 밀도, 수축율, 초투자율, 품질계수, 및 포 화자화값을 측정하였다. nano-glass를 0.5 wt% 첨가하여 $900^{\circ}C$에서 소결한 토로이달 core 시편의 초투자율은 1 MHz에서 측정 시 193.3의 값을 가졌다. 초투자율과 포화자화값은 소결온도가 증가함에 따라 증가하는 경향을 나타내었다. sol-gel 법에 의해 제조된 $ZnO-Bi_2O_3-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2$ nano-glass를 칩인덕터용 NiZnCu ferrite의 저온 소결조제로 사용 가능함을 알 수 있었다.

• Journal of Welding and Joining
• /
• 제24권2호
• /
• pp.64-70
• /
• 2006

The 3-dimensional (3D) chip stacking technology is a leading technology to realize a high density and high performance system in package (SiP). There are several kinds of methods for chip stacking, but the stacking and interconnection through Cu filled through-hole via is considered to be one of the most advanced stacking technologies. Therefore, we studied the optimum process of through-hole via formation and Cu filling process for Si wafer stacking. Through-hole via was formed with DRIE (Deep Reactive ion Etching) and Cu filling was realized with the electroplating method. The optimized conditions for the via formation were RE coil power of 200 W, etch/passivation cycle time of 6.5 : 6 s and SF6 : C4F8 gas flow rate of 260 : 100 sccm. The reverse pulsed current of 1.5 A/dm2 was the most favorable condition for the Cu electroplating in the via. The Cu filled Si wafer was chemically and mechanically polished (CMP) for the following flip chip bumping technology.

• 한국주조공학회지
• /
• 제26권6호
• /
• pp.249-257
• /
• 2006

The effects of alloying element and the condition of heat-treatment on the strength of squeeze-cast Al-3.0 wt%Si alloy were investigated. The strength of the alloy without grain refinement was increased with increase Cu content upto 3.0 wt% and rather decreased beyond that. The tensile strength of the alloy with grain refinement increased with Cu content upto 3.0 wt% and not changed beyond that. The strength of the alloy without grain refinement increased with the Mg content. The tensile strength with grain refinement increased with the Mg content upto 0.50 wt% and then decreased beyond that. The strength of the grain refined alloy increased by individual and simultaneous additions of Cu and Mg and the maximum strength was obtained with Al-3.0 wt%Si-4.5 wt%Cu-0.50 wt%Mg alloy. The optimum heat-treatment condition for this alloy was obtained.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제43권1호
• /
• pp.140-145
• /
• 2005

본 연구에서는 주 반응물질로 CuO를 사용하고, $Fe_2O_3$의 함량을 7.5 wt%, 15 wt%, 22.5 wt%로 변화시키고, 지지체 $SiO_2$의 함량을 25 wt%로 고정하여 흡수제를 제조하였다. 특히 소성온도의 변화에 따른 흡수제의 탈황성능의 변화를 조사하기 위하여, 흡수제의 소성 온도를 700, 900 그리고 $1,100^{\circ}C$로 달리하여 흡수제를 제조하였다. 제저된 흡수제는 GC/소형반응기를 이용하여 사이클 실험을 하였으며, 이때 흡수제의 황화온도는 $500^{\circ}C$, 재생온도는 $700^{\circ}C$로 하였다. 반응 전후의 XRD 분석을 통하여 화합물의 형태를 확인하였으며, BET 분석을 통하여 소성온도의 변화에 따른 흡수제의 표면적 변화를 조사하였다. 또한, 장기사이클에서 $700^{\circ}C$에서 소성된 CFS3 흡수제(CuO : $Fe_2O_3$ : $SiO_2$=52.5 wt% : 22.5 wt% : 25 wt%)의 $H_2O$의 유/무에 따른 탈황성능의 변화를 확인하였다. 그 결과 소성온도에 따른 비표면적의 변화는 크게 나타나지 않았다. 또한, 장기사이클에서 $H_2O$에 의한 탈황성능의 저하를 확인할 수 있었다. 특히 $1,100^{\circ}C$에서 소성된 CFS1 흡수제(CuO : $Fe_2O_3$ : $SiO_2$=67.5 wt% : 7.5 wt% : 25 wt%)의 경우에는 $H_2O$가 존재함에도 불구하고, 100 사이클이 지난 후에도 흡수제 100 g당 10 g의 황을 제거할 수 있는 탈황성능을 보였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.39-45
• /
• 2012

Cu-Cu 패턴의 직접접합 공정을 위하여 Buffered Oxide Etch(BOE) 및 Hydrofluoric acid(HF)의 습식 조건에 따른 Cu와 $SiO_2$의 식각 특성에 대한 평가를 수행하였다. 접촉식 3차원측정기(3D-Profiler)를 이용하여 Cu와 $SiO_2$의 단차 및 Chemical Mechanical Polishing(CMP)에 의한 Cu의 dishing된 정도를 분석 하였다. 실험 결과 BOE 및 HF 습식 식각 시간이 증가함에 따라 단차가 증가 하였고, BOE가 HF보다 더 식각 속도가 빠른 것을 확인하였다. BOE 및 HF 습식 식각 후 Cu의 dishing도 식각시간 증가에 따라 감소하였다. 식각 후 산화막 유무를 알아보기 위해 Cu표면을 X-선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)를 이용하여 분석 한 결과 HF습식 식각 후 BOE습식 식각보다 Cu표면산화막이 상대적으로 더 얇아 진 것을 확인하였다.

• 한국분말재료학회지
• /
• 제30권6호
• /
• pp.470-477
• /
• 2023

The effects of annealing on the microstructure and mechanical properties of Al-Zn-Mg-Cu-Si alloys fabricated by high-energy ball milling (HEBM) and spark plasma sintering (SPS) were investigated. The HEBM-free sintered alloy primarily contained Mg₂Si, Q-AlCuMgSi, and Si phases. Meanwhile, the HEBM-sintered alloy contains Mg-free Si and θ-Al₂Cu phases due to the formation of MgO, which causes Mg depletion in the Al matrix. Annealing without and with HEBM at 500℃ causes partial dissolution and coarsening of the Q-AlCuMgSi and Mg₂Si phases in the alloy and dissolution of the θ-Al₂Cu phase in the alloy, respectively. In both alloys, a thermally stable α-AlFeSi phase was formed after long-term heat treatment. The grain size of the sintered alloys with and without HEBM increased from 0.5 to 1.0 ㎛ and from 2.9 to 6.3 ㎛, respectively. The hardness of the sintered alloy increases after annealing for 1 h but decreases significantly after 24 h of annealing. Extending the annealing time to 168 h improved the hardness of the alloy without HEBM but had little effect on the alloy with HEBM. The relationship between the microstructural factors and the hardness of the sintered and annealed alloys is discussed.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.79-84
• /
• 2010

3차원 Si 칩 패키징 공정을 위한 비아 홀(TSV: Through-Si-Via) 및 Au 시드층 형성, 전기 도금을 이용한 Cu 충전기술과 범핑 공정 단순화에 관하여 연구하였다. 비아 홀 형성을 위하여 $SF_6$ 와 $C_4F_8$ 플라즈마를 교대로 사용하는 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 법을 사용하여 Si 웨이퍼를 에칭하였다. 1.92 ks동안 에칭하여 직경 40 ${\mu}m$, 깊이 80 ${\mu}m$의 비아 홀을 형성하였다. 비아 홀의 옆면에는 열습식 산화법으로 $SiO_2$ 절연층을, 스퍼터링 방법으로 Ti 접합층과 Au 시드층을 형성하였다. 펄스 DC 전기도금법에 의해 비아 홀에 Cu를 충전하였으며, 1000 mA/$dm^2$ 의 정펄스 전류에서 5 s 동안, 190 mA/$dm^2$의 역펄스 조건에서 25 s 동안 인가하는 조건으로 총 57.6 ks 동안 전기도금하였다. Si 다이 상의 Cu plugs 위에 리소그라피 공정 없이 전기도금을 실시하여 Sn 범프를 형성할 수 있었으며, 심각한 결함이 없는 범프를 성공적으로 제조할 수 있었다.

• 한국자기학회지
• /
• 제5권5호
• /
• pp.507-510
• /
• 1995

A heat-treatment method of pre-annealing and then flash annealing(FA) has been used to improve the soft magnetic properties of nanocrystalline $Fe_{76}CuSi_{13}B_{10}$ and $Fe_{74}CuNb_{3}Si_{12}B_{10}$ alloys. Outstanding magnetic properties of nanocrystalline $Fe_{74}CuNb_{3}Si_{12}B_{10}$ alloy were attained by flash-annealing in air after annealed at $500^{\circ}C$ for 0.5hr below the crystallization temperature. The same results were obtained for $Fe_{74}CuSi_{13}B_{10}$ alloy. The measurment of relief of stress and X-ray diffraction were used to analyze the effect of flashannealing.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권8호
• /
• pp.672-677
• /
• 1998

오원계 AI-합금의 용융산화에 의한 $AI_2O_3$ 복합재료의 형성속도와 미세구조에 대하여 연구하였다. AI-1Mg-3Si-3Zn 합금과 AI-1Mg-3Si-5Zn합금에 Cu, Ni 각각을 1% 무게비로 첨가하였다. 각 오원계 합금은 1373K, 1473K에서 최대 20시간 동안 산화시켰으며, 산화속도는 무게증가 측정을 통하여 조사하였다. 산화층의거시적 형상과 미세구조를 광학현미경으로 관찰하였다. AI-1Mg-3Si-5Zn-1Cu 합금이 가장 우수한 산화거동을 보였으나, 산화층이 불균일하였다. 합금위에 $SiO_2$를 도포하였더니 산화속도가 증진되었으며, 균일하고 조직이 친밀한 산화층이 얻어졌다.

• Journal of Welding and Joining
• /
• 제29권3호
• /
• pp.39-44
• /
• 2011