[ $BiFeO_3$ ]is a multiferroic material that attracts attentions of many research groups due to its potential as being ferroelectric and ferromagnetic above room temperature. We have prepared both undoped- and Mn-doped $BiFeO_3$ by sol-gel auto-ignition method. Doping of Mn has resulted in decreasing grain size from 60 to 32 nm. X-ray diffraction data show that the samples are pure and single-phase. Infrared measurements on $BiFeO_3$ and Mn-doped $BiFeO_3$ revealed intrinsic stretching vibrations of tetrahedral sites of $Fe^{3+}$-O and of octahedral $Bi^{3+}$-O as well. On the other hand, as the Mn concentration increases, the magnetic moment of $BiFeO_3$ increases. It gives some suggestions in manipulating structural and magnetic properties of $BiFeO_3$ by doping Mn.
We aimed to examine the co-doping effects of 1/6 mol% $Mn_3O_4$ and 1/4 mol% $Cr_2O_3$ (Mn:Cr = 1:1) on the reaction, microstructure, and electrical properties, such as the bulk defects and grain boundary properties, of ZnO-$Bi_2O_3-Sb_2O_3$ (ZBS; Sb/Bi = 0.5, 1.0, and 2.0) varistors. The sintering and electrical properties of Mn,Cr-doped ZBS, ZBS(MnCr) varistors were controlled using the Sb/Bi ratio. Pyrochlore ($Zn_2Bi_3Sb_3O_{14}$), ${\alpha}$-spinel ($Zn_7Sb_2O_{12}$), and ${\delta}-Bi_2O_3$ (also ${\beta}-Bi_2O_3$ at Sb/Bi ${\leq}$ 1.0) were detected for all of the systems. Mn and Cr are involved in the development of each phase. Pyrochlore was decomposed and promoted densification at lower temperature on heating in Sb/Bi = 1.0 system by Mn rather than Cr doping. A more homogeneous microstructure was obtained in all systems affected by ${\alpha}$-spinel. In ZBS(MnCr), the varistor characteristics were improved dramatically (non-linear coefficient, ${\alpha}$ = 40~78), and seemed to form ${V_o}^{\cdot}$(0.33 eV) as a dominant defect. From impedance and modulus spectroscopy, the grain boundaries can be seen to have divided into two types, i.e. one is tentatively assigned to ZnO/$Bi_2O_3$ (Mn,Cr)/ZnO (0.64~1.1 eV) and the other is assigned to the ZnO/ZnO (1.0~1.3 eV) homojunction.
The magnetic properties of ${Bi_x}{Ca_{1-x}}{MnO_3}$ for x = 0.12, 0.13, 0.14, 0.15, and 0.16 were examined by measuring magnetic susceptibility, resistivity and electron magnetic resonance at different temperatures. ${Bi_x}{Ca_{1-x}}{MnO_3}$ showed complicated magnetic structure that varies with temperature and composition, particularly around Bi composition x. 0.15. The aim of this study was to determine how the magnetic and physical properties of ${Bi_x}{Ca_{1-x}}{MnO_3}$ change in this region. In addition, first principles calculations of the magnetic phase of ${Bi_x}{Ca_{1-x}}{MnO_3}$ for x = 0, 0.125, 0.25 were carried out, and the spin state, electric and magnetic characteristics are discussed.
$BiMnO_3$ has been a promising candidate as a magnetoelectric multiferroic while there have been many controversial reports on its ferroelectricity. The detailed analysis of its film growth, especially the growth of thin film having monoclinic symmetry has not been reported. We studied the effect of miscut angle, the substrate surface, and film thickness on the symmetry of $BiMnO_3$ thin film. A flat $SrTiO_3$ (110) substrate resulted in a thin film with three domains of $BiMnO_3$ and 1 degree miscut in the $SrTiO_3$ (110) substrate resulted in dominant domain preference in the $BiMnO_3$ thin film. The larger miscut resulted in a nearly perfect detwinned $BiMnO_3$ film with a monoclinic phase. This strong power of domain selection due to the step edge of the substrate was efficient even for the thicker film which showed a rather relaxed growth behavior along the $SrTiO_3$ [1-10] direction.
In this study, (Sr.Pb.Ca)TiO3-Bi2O3.3TiO2(SPCT) systems were investigated to develop a new material which has a high dielectric constant, a low dielectric loss and a small TCC(Temperature Coefficient of Capa-citance), and are suitable for high voltage applications as a function of the additions of Bi2O3.3TiO2 from 5 mol.% to 9 mol.%. The result obtained from our investigation showed that up to 6 mol.% Bi2O3.3TiO ad-dition the dielectric constant increased and it deteriorated at higher concentrations with increasing amount of the acicular grains. As a result of some dopants (SiO2, Nb2O3, MnO2) addition to SPCT, the specimens with MnO2 showed good dielectric properties. The dielectric constant decreased, but the TCC was improved with the addition of MnO2 from 0.15 wt.% to 0.45 wt. %.
Nonlinear exponents and electron trap density variations were observered in ZnO-Bi2O3-MnO2 ternary ZnO varistors as a function of heat treatment temperature. Three kinds of ZnO varistor compositions were selected; i.e. 99.0 ZnO-0.5 Bi2O3-0.5 MnO2, 98.5 ZnO-1.0 Bi2O3-0.5 MnO2, and 98.0 ZnO-1.5 Bi2O3-0.5 MnO2 in mol%. Sintering was done at 1150$^{\circ}C$ for three hours, and heat treatments were done at 500$^{\circ}C$, 700$^{\circ}C$, and 900$^{\circ}C$. When heat treated at 500$^{\circ}C$, nonlinear exponents were increased regardless of the Bi2O3 amount. Increasing heat treatment temperature above 500$^{\circ}C$ resulted in lowering nonlinear exponents. Nonlinear exponents seem to be related to the 0.17 and 0.33 eV electron traps which are possibly of intrinsic origin.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.11
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pp.878-885
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2012
In this study we aims to examine the co-doping effects of 1/3 mol% $Mn_3O_4+Co_3O_4$ (1:1) on the reaction, microstructure, and electrical properties such as the bulk defects and grain boundary properties of $ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3$ (ZBS; Sb/Bi=0.5, 1.0, and 2.0) varistors. The sintering and electrical properties of Mn,Co-doped ZBS, ZBS(MCo) varistors were controlled by Sb/Bi ratio. Pyrochlore ($Zn_2Bi_3Sb_3O_{14}$) was decomposed and promoted densification at lower temperature on heating in Sb/Bi=1.0 by Mn rather than Co. Pyrochlore on cooling was reproduced in all systems however, spinel (${\alpha}$- or ${\beta}$-polymorph) did not formed in Sb/Bi=0.5. More homogeneous microstructure was obtained in $Sb/Bi{\geq}1.0$ In ZBS(MCo), the varistor characteristics were improved drastically (non-linear coefficient, ${\alpha}$=30~49), and seemed to form $Zn_i^{..}$(0.17 eV) and $V_o^{\bullet}$(0.33 eV) as dominant defects. From impedance and modulus spectroscopy (IS & MS), the grain boundaries have divided into two types, i.e. the one is tentatively assign to $ZnO/Bi_2O_3(Mn,Co)/ZnO$ (0.47 eV) and the other ZnO/ZnO (0.80~0.89 eV) homojunctions.
The trap levels of ZnO-based varistor are obtained by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy method. Here ICTS measuring system consists of YHP 4192A Impedance Analyzer and a personal computer for the data acquisition. Between $-40^{\circ}C$ and $60^{\circ}C$, the grain boundary trap levels of 0.48 and 0.94eV were detected for $ZnO-Bi_2O_3-MnO$ system. The hole omission spectra are observed in the case of the addition of CoO into the $ZnO-Bi_2O_3$ system, while the electron emission spectra are detected in the case of the addition of MnO. The nonlinear resistance coefficient $\alpha$ increases with the decrease of the dormer concentration. Finally, the trap level density of $ZnO-Bi_2O_3-MnO$ system is found to decrease with the amount of CoO, while $\alpha$ is found to increase with the amount of CoO.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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