• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1408-1409
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• 2007

In this paper, we developed a hybrid simulation model of carbon laser ablation under the Ar plasmas consisted of fluid and particle methods. Three kinds of carbon particles, which are carbon atom, ion and electron emitted by laser ablation, are considered in the computation. In the present modeling, we adopt capacitively coupled plasma with ring electrode inserted in the space between the substrate and the target, graphite. This system may take an advantage of ${\mu}m$-sized droplets from the sheath electric field near the substrate. As a result, in Ar plasmas, carbon ion motions were suppressed by a strong electric field and were captured in Ar plasmas. Therefore, a low number density of carbon ions were deposited upon substrate. In addition, the plume motions in Ar gas atmosphere was also discussed.

• 한국광학회지
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• 제13권4호
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• pp.332-335
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• 2002

가류고무의 접착력을 향상시키기 위해서 엑시머 펄스 레이저 광으로 표면처리를 하였다. 레이저 광 조사 수의 증가에 따라, 접착력은 크게 향상되어, 100회의 조사 수에서 1500 N/m의 가장 큰 값을 얻었다. 또한 에너지 밀도 증가에 대해서도 접착력은 증가하여 에너지 밀도 176 mJ/$cm^{2}$에서 가장 큰 접착력 1500 N/m를 얻게 되었다. 에너지 밀도의 증가에 따라 접착력이 증가하는 것은 표면적의 증가와 관련이 있음을 알았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.1001-1003
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• 1998

In this paper, $Ar^+$ ion laser etching process of single/poly crystalline silicon with $CCl_{2}F_{2}$ gas is studied for MEMS applications. To investigate the effects of process parameters, laser power, gas pressure, scanning speed were varied and multiple scanning was carried out to obtain high aspect ratio. In addition, scanning width was varied to observe the trench profile etched in repeating scanning cycle. From the etching of $2.6{\mu}m$ thick polycrystalline Si deposited on insulator, trench with flat bottom and vertical side wall was obtained and it is possible to apply this results for MEMS applications.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.24-31
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• 2005

고본 논문에서는 시뮬레이션 기법을 통하여 RAD법을 Ar 플라즈마 상태에서 구동하도록 설정하였다. 이것은 플라즈마를 구성하는 요소들이 PLAD법에 의해 방출된 각 입자들에 어떠한 영향을 미치는가를 확인하고자 하였으며, 특히 방출된 입자들의 운동 에너지 및 밀도를 제어할 수 있을 것으로 기대되어지기 때문이다. Ar 플라즈마의 방전 공간내에서, RAD법에 의한 전자, 탄소 이온$(C^+)$ 및 탄소 원자(C)의 운동 과정을 보다 정확히 계산하기 위해서 입자 및 유체 모델을 융합한 1차원 하이브리드 모델을 계발하였다. 그 결과 쉬스 내에 형성되는 전위를 제어함으로써 기판에 도달하는 $C^+$의 밀도 및 에너지를 제어할 수 있는 것으로 기대되어졌다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권5호
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• pp.33-37
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• 2003

This study was performed to investigate the deposition mechanism of SiO$_2$ by ArF excimer laser(l93nm) CVD with Si$_2$H$\_$6/ and N$_2$O gas mixture and evaluate laser CVD quantitatively by modeling. With ArF excimer laser CVD, thin films can be deposited at low temperature(below 300$^{\circ}C$), with less damage and good uniformity owing to generation of conformal reaction species by singular wavelength of the laser beam. In this study, new model of SiO$_2$ deposition process by laser CVD was introduced and deposition rate was simulated by computer with the basis on this modeling. And simulation results were compared with experimental results measured at various conditions such as reaction gas ratio, chamber pressure, substrate temperature and laser beam intensity.

• 자연과학논문집
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• 제1권
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• pp.7-14
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• 1987

액정 ZLI-1253 의 복굴절 측정이 파장 및 인가전압 의존도가 He-Ne 레이저와 Ar-ion 레이저를 이용하여 비교 검토된다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제17권1호
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• pp.1-4
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• 2013

For the conventionally polished fused silica substrate, an around 100 nm depth redeposition polishing layer was formed on the top of surface. Polishing compounds, densely embedded in the redeposition polishing layer were the dominant factor that limited the laser induced damage threshold (LIDT) of transmission elements in nanosecond laser systems. Chemical etching, super-precise polishing and ion beam etching were employed in different ways to eliminate these absorbers from the substrate. After that, Antireflection (AR) coatings were deposited on these substrates in the same batch and then tested by 1064 nm nano-pulse laser. It was found that among these techniques only the ion beam etching method, which can effectively remove the polishing compound and did not induce extra absorbers during the disposal process, can successfully improve the LIDT of AR coatings.

• 한국광학회지
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• 제3권1호
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• pp.50-54
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• 1992

마스크를 사용하지 않고 레이저 $(CW Ar^+$ laser, $\lambda=514.5nm)$ 광속을 이용하여 불산 용액이 첨가된 황산구리 전해질 용액내의 실리콘(Si, 100) 단결정 표면에 구리를 침착시켰으며, 이들 사이에서 일어나는 화학 반응식을 도금에서와 같이 양극 반응과 음극 반응으로 구분 하여 제안하였다. 또한 침착 되는 구리점의 직경을 전해질 용액에 첨가되는 불산용액의 양, 레이저 광속의 조사 시간과 관속의 세기에 따라 측정 분석하였다. p형 실리콘 단결정의 경우, 연속형 $Ar^+$ 레이저를 조사하였을때 구리 침착이 일어나고 펄스형 레이저 광속(Nd:YAG 레이저에 KDP결정을 사용하여 얻은 2차 고조파, $\lambda=530nm, $\tau=25nsce$)을 조사하였을 경우에는 침착이 일어나지 않았다. 그와는 반대로 n형 실리콘 단결정의 경우, 연속형 $Ar^+$ 레이저를 조사하였을 때는 구리 침착이 일어나지 않았으나, 펄스형 레이저 광속을 조사시켰을 경우에는 구리 침착이 일어남을 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.663-666
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• 2000

Laser direct writing of micro-patterned copper lines has been achieved by pyrolytic decomposition of copper formate films (Cu(HCOO)$_2$$.$4H$_2$O), as a precursor, using a focused Ar$\^$+/ laser beam ($\lambda$= 514 nm) on PCB boards and glass substrates. The linewidth and thickness of the lines were investigated as a function of laser power and scan speed. The profiles of the lines were measured by scanning electron microscope (SEM), surface profiler (${\alpha}$-step) and atomic force microscopy (AFM). The electrical resistivities of the patterned lines were also investigated as a function of laser parameter using probe station and semiconductor analyzer. we compared resistivities of the patterned lines with that of the Cu bulk, respectively.

• 한국광학회지
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• 제1권2호
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• pp.185-190
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• 1990

4개의 프리즘으로 구성된 군속도분산 조절장치를 이용하여 CPM 링 색소 레이저에서 62fs의 펄스를 얻었다. Ar+ 레이저 출력, DODCI 농도 및 위치, 프리즘과 레이저 거울의 조정상태를 변화시켜 가며 레이저 펄스폭을 측정해서 가장 짧은 펄스폭을 얻을 수 있는 조건을 구했다.