• 방사성폐기물학회지
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• 제5권3호
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• pp.171-177
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• 2007

본 연구는 사용 후 핵연료의 금속전환 공정에서 발생되는 폐용융염을 고형화하는 방법으로 실리카 함유 무기물을 이용하여 폐용융염을 열적, 수화학적 안정한 화합물로 전환하는 방법을 제안하였다. 실리카 함유 무기물(SAP)은 일반적인 sol-gel process로 합성되었으며, $SiO_2,\;Al_2O_3$ 및 $P_2O_5$로 구성된다. 제조된 SAP을 $650-850^{\circ}C$에서 폐용융염과 반응시켜 각 금속염화물에 대한 반응특성 및 열안정성을 조사하고, PCT 침출시험법을 이용하여 수화학적 안정성을 평가하였다. LiCl은 $LixAlxSi1-_xO_{2-x}$와 $Li_3PO_4$로, CsCl는 CS-aluminosilicate와 $CS_2AlP_3O_{10}$로, $SrCl_2$는 $Sr5(PO_4)_3Cl$로, $CeCl_3$는 $CePO_4$로 전환되었다. 9시간 동안 반응시킨 후, 금속염화물의 전환율은 $90{\sim}99%$였으며, $1100^{\circ}C$까지 열감량은 1wt%이하로 TGA(Thermo Gravimetric Analysis)로 확인하였다. Cs 및 Sr의 침출속도는 $10^{-2}{\sim}10^{-4}g/m^2\;day$로 매우 높은 내침출특성을 나타내었다. 이상의 결과로부터, SAP으로 명명된 안정화제(stabilizer)는 금속염화물로 구성된 폐용융염에 대해 매우 효과적인 것으로 판단된다. SAP을 이용한 폐용융염의 고화처리방법은 후속적인 안정성의 검증과정을 통하여 폐용융염의 최종처분부피를 최소화할 수 있는 대안적인 고화방법으로 고려될 수 있을 것으로 기대 된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.92-100
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• 1985

P형 Si기판에 N에피층을 성장시키고 Si-AR막 계면에서 고정양전하밀도(Qss)를 높임으로써 전지의 에미터 표면영역을 N'전하축적층으로 나타낸 새로운 형태의 N'N/P HLE 태':1전지 를 제 작하였다. 제작된 전지의 종류로는 AR막으로 SiOr층을 이용한 OCI전지와 Si,N,/sioxynitride층을 이응한 NCI전지로 구분하였다. 전지의 AR막내 Qss분포는 커패시턴스-전압 측정을 통해 조사하였으며 이로부터 NCI전 al (Qss=1.79~ 1.84$\times$1011cm-2) 가 OCI전 지 (Qss=3.03~ 4.40$\times$1011cm-1) 에 비 해 로면 전 하축 적 층 이 효과적 으로 나타남을 알 수 있었다. JCR할로겐 램프로 100mW/cm2의 인공조명을 만들어 효율특성을 분석한 결과 유효수광면적에 대한 평균(최대)변환효율이 OCI전지에서 15.18(15.46)%, NCI전지에서 16.31(17.07%)로 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.133-133
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• 2011

최근 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 진행되고 있다. 특히, 실리사이드 계열의 나노입자를 적용한 소자는 일함수가 크지만 실리콘 내의확산 문제를 가지고 있는 금속 나노입자와 달리 현 실리콘 기반의 반도체 공정 적용이 용이한 잇 점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 실리사이드 계열의 화합물 중에서 4.63 eV인 Vanadium Silicide ($V_3$Si) 박막을 열처리 과정을 통하여 수 nm 크기의 나노입자로 제작하였다. 소자의 제작은 p-Si기판에 5 nm 두께의 $SiO_2$ 터널층을 dry oxidation 방법으로 성장시킨 후 $V_3$Si 금속박막을 RF magnetron sputtering system을 이용하여 3~5 nm 두께로 tunnel barrier위에 증착시켰다. Rapid thermal annealing법으로 질소 분위기에서 $1000^{\circ}C$의 온도로 30초 동안 열처리하여 $V_3$Si 나노 입자를 형성 하였으며. 20 nm 두께의 $SiO_2$ 컨트롤 산화막층을 ultra-high vacuum magnetron sputtering을 이용하여 증착하였다. 마지막으로 thermal evaporation system을 통하여 Al 전극을 직경 200, 두께 200nm로 증착하였다. 제작된 구조는 metal-oxide-semiconductor구조를 가지는 나노 부유 게이트 커패시터 이며, 제작된 시편은 transmission electron microscopy을 이용하여 $V_3$Si 나노입자의 크기와 균일성을 확인했다. 소자의 전기적인 측정은 E4980A capacitor parameter analyzer와 Agilent 81104A apulse pattern generator system을 이용한 전기용량-전압 측정을 통해 전하저장 효과를 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.71-74
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• 1996

Ta$_2$O$_{5}$ film ale recognized as promising capacitor dielectric for future DRAM\`s. The electrical properties of Ta$_2$O$_{5}$films greatly depend on the heating condition. In the practical fabrication process, several annealing process, such as the annealing of Al in H$_2$(about 40$0^{\circ}C$) and reflow of BPSG (borophosphosilicate glass) film in $N_2$(about 80$0^{\circ}C$), exist after deposition of Ta$_2$O$_{5}$ film. In this paper, we describe the temperature effect on the electrical properties of W/Ta$_2$O$_{5}$/Si structure. The thin film of Ta$_2$O$_{5}$ and tungsten have been deposited on p-si(100) wafer using the sputtering system. The heating temperature was varied from 500 to 90$0^{\circ}C$ in $N_2$for 30min and The degree of temperature is 100\`C. In a log(J/E$^2$) Vs 1/E plot of typical I-V data, we find a linear relationship for the temperature of 500, $600^{\circ}C$ and as deposition. This could indicate Fowler-Nordheim tunneling as the dominant mode of current transports. However, we can not find a linear relationship for the temperature above $700^{\circ}C$. This could not indicate Fowler-Nordheim tunneling as the dominant mode of current transport. The high frequency (1MHz) capacitance-voltage (C-V) of W/Ta$_2$O$_{5}$/Si Capacitor were investigated on the basis of shift in the threshold voltage and dielectric constant. The magnitude of the threshold voltage and dielectric constant depends on the heating temperature, and increases with heating temperature.temperature.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권5호
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• pp.365-372
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• 1991

LAS (lithium aluminosilicate) sol was synthesized using the hydrolysis-condensation reaction of TEOS, chelated Al(OBus)3 and Li-salt with H2O in alcohol (EtOH+2-Propanol) medium. Effects of important reaction parameters on the properties of sol and gel-derived LAS were examined. The crystallization of the sol-gel derived LAS with ${\beta}$-spodumene composition began at ∼600$^{\circ}C$, and a series of polymorphic transformations occurred as temperature was increased to 1100$^{\circ}C$: amorphous LAS\longrightarrowhexagonal LiAl(SiO3)2\longrightarrow${\beta}$-spodumene. Lowering Li content in the gel enhanced densification and retarded the crystallization significantly. Optimum reaction conditions of LAS sol formation for thin coating applications were derived from rheological measurements, and these can be summarized as: H2O/total alkoxides molar ratio=4, pH=∼2.5, and aging time of ∼250h.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.242-243
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• 2007

Highly transparent conducting aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films were deposited on Corning glass substrate using an Nd:YAG pulsed laser deposition technology. AZO thin films deposited with 650nm thickness showed the best electrical properties of the electrical resistivity of $4.6{\times}10^{-4}[{\Omega}{\cdot}cm]$, a carrier concentration of $9.3{\times}10^{20}[cm^{-3}]$, and a carrier mobility of $31[cm^2/V{\cdot}s]$. Besides, the optical transmittance spectra in visible region (200-800nm) of AZO thin films show an high average transmittance over 90%.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12S호
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• pp.1232-1236
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• 2003

In this work, we fabricated a gas-sensing device based on porous silicon(PS), and its C-V properties were investigated for sensing alcohol vapor. The structure of the sensor consists of thin Au/oxidized PS/PS/P-Si/Al, where the p-Si is etched anisotropically to be prepared into a membrane-shape. We used alcohol gases vaporized from different alcohol (or ethanol) solutions mixed with pure water at 36$^{\circ}C$, similarly with an alcohol breath measurement to check drunk driving. As the result, I-V curves showed typical tunneling property, and C-V curves were shaped like those of a MIS (metal-insulator-semiconductor) capacitor, where the capacitance in accumulation was increased with alcohol vapor concentration.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.29-32
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• 2005

Poly (methyl methacrylate) (PMMA) is one of the promising representive of polymer gate dielectric for its high resistivity and sutible dielectric constant. PMMA (Mw=96700) films were prepared on p-Si by spin coating method. PMMA were coated compactively and flatly as observeed by AFM. MIS(Al/PMMA/p-Si) structure was made and capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements were done with PMMA films for different thermal treatment temperature. PMMA films were showed proper dielectric constant and breakdown voltage. Above the glass transition temperature PMMA films degraded. C-V measured at various frequencies, dielectric constant increased a little. The absence of hysteresis in the C-V characteristics, which eliminate the possibility of mobile charges in the PMMA films. The observed thermal stability, smooth surfaces, dielectric constant, I-V behavior implies PMMA formed by spin coating can be used as an efficient gate dielectric layer in OTFTs.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.592-597
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• 2004

Porous silicon(PS) has received much attention as a sensitive material of chemical sensors because of its large internal surface area. In this work, we fabricated gas-sensing devices based on the porous silicon layer which could be applicable to the measurement of blood alcohol content(BAC), and estimated their electrical properties. The structure of the sensor is similar to an MIS (metal-insulator-semiconductor) diode and consists of thin Au/oxidized PS/PS/p-Si/Al, where the p-Si substrate is etched anisotropically to reduce the thickness. We measured C-V curves from two types of the samples with the PS layer treated by the different anodization current density of 60 or 100 mA/cm$^2$, in order to compare the sensitivity. As a result, the magnitude and variation of capacitances from the devices with the PS formed under the current density of 100 mA/cm$^2$ were found to be more detectable due to the larger internal surface.

• Applied Biological Chemistry
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• 제38권5호
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• pp.414-421
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• 1995

Lipoxygenase (LOX) 효소의 최적 활성 조건과 활성 억제등 LOX 활성 측정의 중요한 정보를 확립하기 위하여, 추출 Buffer의 영향, 기질, pH, 저장, 온도, NaCl, $CaCl_2$외 cations 및 antioxidants의 요소들이 LOX 활성에 미치는 영향을 조사하였다. 그리고 오이 tissue내의 LOX의 편재도 시험하였다. LOX에 대한 우수한 기질은 linolenic acid, linoleic acid, arachidonic acid 순서였다. 오이 껍질이나, mesocarp tissue내에 존재하는 LOX의 활성은 pH 5.5가 최적 조건이었으며, 섭씨 $40^{\circ}C$와 $50^{\circ}C$에서는 비교적 안정성을 보였다. LOX의 활성은 pH 5.0와 0.2M NaCl 조건을 같이 주었을때 opitimum 안정성을 보였다. LOX 활성은 $Mn^{2+},\;Cu^{2+}$ 또는 $Al^{3+}$와 같은 양이온에 의해서는 감소되었지만, 오히려 $Ca^{2+}$은 효소의 활성을 자극시켰다. 한편 butylated hydroxy anisole (BHA)와 propyl gallate의 농도가 증가할수록 LOX 활성은 감소되었다. 오이 껍질에서의 LOX의 활성은 다른 tissue에, locule, mesocarp, 비해 최고치를 보였다.