• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권2호
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• pp.73-76
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• 2014

$Pt/Al_2O_3/La_2Si_5O_x/SiO_2/Si$ charge trap memory capacitors were prepared, in which the $La_2Si_5O_x$ film was used as the charge trapping layer, and the effects of post annealing atmospheres ($NH_3$ and $N_2$) on their memory characteristics were investigated. $La_2O_3$ nanocrystallites, as the storage nodes, precipitated from the amorphous $La_2Si_5O_x$ film during rapid thermal annealing. The $NH_3$ annealed memory capacitor showed higher charge storage performances than either the capacitor without annealing or the capacitor annealed in $N_2$. The memory characteristics were enhanced because more nitrogen was incorporated at the $La_2Si_5O_x/SiO_2$ interface and interfacial reaction was suppressed after the $NH_3$ annealing treatment.

• 한국안광학회지
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• 제8권2호
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• pp.111-117
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• 2003

국내외 썬글라스 반미러 코팅렌즈의 광학적 특성을 파악하기 위해, 분광광도계를 이용하여 반미러 코팅렌즈의 반사율을 측정하였으며, Macleod 프로그램을 이용해 계산한 결과와 비교 분석하였다. 또한 황금 색깔이 나는 TiN을 이용한 반미러 코팅렌즈를 설계하였고, 광학특성을 조사하였다. 반미러 코팅렌즈의 분석결과, 은색 투톤(two tone) 반미러 코팅은 금속 크롬(Cr)을 사용하였으며 경도를 증가시키기 위하여 크롬위에 $SiO_2$(또는 $Al_2O_3$)를 증착하여 사용하였다. 크롬 위에 증착되는 $SiO_2$의 두께는 10nm 정도가 적정한 것으로 판단된다. 칼라 반미러 코팅의 경우 디자인 결과는 각각 다음과 같다 ; blue 계열은 [air|$SiO_2$(66.3)|$TiO_2$(129.0)|$SiO_2$(62.9)|$SiO_2$(26.0)|$TiO_2$(120.3)|$SiO_2$(9.1)|glass]이며, gold 계열은 [air|$SiO_2$(60.6)|$TiO_2$(86.2)|$SiO_2$(13.5)|$TiO_2$(86.8)|$SiO_2$(214.38)|glass]이며, green 계열은 [air|$SiO_2$(74.3)|$TiO_2$(75.8)|$SiO_2$(44.3)|$TiO_2$(11.6)|$SiO_2$(160.8)|$TiO_2$(12.9)|$SiO_2$(183.3)|$TiO_2$(143.8)|glass]이며, silver 계열은 [air|$SiO_2$(21.2)|$TiO_2$(49.7)|$SiO_2$(149.3)|glass]이다. white 반미러 코팅인 경우는 [air|$SiO_2$(17nm)|$TiO_2$(43nm)(또는 $ZrO_2$)|$SiO_2$(87nm) polysiloxane($4.46{\mu}m$)|glass or CR-39]이며, 가시광선 영역(400~700 nm)에서 평균 19%의 반사율을 가지며 흡수가 적기 때문에 약 80%의 투과율을 보이는 white 타입의 반미러가 되게 된다. 황금빛 색깔을 띠는 반미러 코팅렌즈의 설계에 있어서 [air|$SiO_2$(170nm)|TiN(15nm)|glass]가 되면 CIE 좌표값은 거의 [air|Au(150nm)|glass]의 좌표값과 유사해지는 것을 볼 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제29권10호
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• pp.822-826
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• 1992

SiO2 doped sapphire single crystals were grown by Verneuil method using feed material which prepared by adding SiO2 in Al2O3. Crystal growing were attempted with varing doping amount of SiO2 from 0.01 to 1.0 wt% and when the doping amount of SiO2 were 0.01~0.04 wt%, single crystals could be attained. Starting materials for feed powder were 99.99% purity alumina and extra pure SiO2 powder. Mixing these two materials by wet milling for 24 hours and drying the mixture and then was calcined at 900~110$0^{\circ}C$ for 2~4 hours. The grown crystals had yellowish color and were somewhat transparent. During growing process the flow range of oxygen was 5~7.5ι/min and of hydrogen was 13~25ι/min, the average growth rate was 7.0~11 mm/hr. The pressure of gases were fixed at 5psi. The color of crystal was appeared and mechanical property of sapphire was developed by doping of SiO2.

• 한국대기환경학회지
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• 제20권4호
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• pp.451-463
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• 2004

The performance of disk-type catalytic filters impregnated by TiO$_2$ or TiO$_2$-3Al$_2$O$_3$ㆍ 2SiO$_2$ supports and V$_2$O$_{5}$ catalyst was evaluated for selective catalytic reduction (SCR) of NO with ammonia as a reductant. XRD, FT -IR, BET and SEM were used to characterize the catalytic filters prepared in this work. Optimal V$_2$O$_{5}$ loading and reaction temperature for V$_2$O$_{5}$/TiO$_2$ catalytic filters were 3-6 wt.% and 350-40$0^{\circ}C$ at GHSV 14,300 $hr^{-1}$ in the presence of oxygen, respectively. With increasing the V$_2$O$_{5}$ loading from 0.5 to 6 wt%, NO conversion increased from 24 to 96% at 40$0^{\circ}C$ and 14.300$hr^{-1}$, and maintained at 80% over in the V$_2$O$_{5}$ loading range of 3-6 wt.% and then dropped at V$_2$O$_{5}$ loading of 7wt.% over. In comparing V$_2$O$_{5}$/ TiO$_2$ and V$_2$O$_{5}$/ TiO$_2$-3Al$_2$O$_3$ㆍ2SiO$_2$ catalytic fillers, which have same 3wt.% V$_2$O$_{5}$ loading, the V$_2$O$_{5}$/ TiO$_2$-3A1$_2$O$_3$ㆍ2SiO$_2$ catalytic filter showed higher activity than V$_2$O$_{5}$/ TiO$_2$ catalytic filter, but higher differential pressure drops owing to its low air permeability. low air permeability.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권10호
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• pp.1231-1239
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• 1994

In this study, gel powder which had relatively high hydration reactivity in CaO and P2O5 rich composition of CaO-P2O5-SiO2-H2O system was prepared by sol-gel process and its hydrated specimen was manufactured. The it was investigated to appropriate calcination temperature in sol-gel process which hydrated specimen of gel powder have proven to strength and the effect of factors influenced strength in hydration process. The major product of before and after hydration reaction was hydroxyapatite, and crystalline phase of C-S-H was already formed during gelation process. After hydration reaction of pressed specimen, crystalline phase of C-S-P-H was formed. It was hydrated product of silicocarnotite (5CaO.P2O5.SiO2). Gel phases of C-S-H and C-S-P-H occured as a result of partial substitution of amorphous silica by P2O5 was formed. The strength of hydrated hardened body is developed by strong bonding and bridging between the gel phases of C-S-H or C-S-P-H and the crystalline products such as hydroxyapatite, Ca(OH)2 C-S-H and C-S-P-H. In addition, the ultrafine gel powder have an great effect on increase of hydration reaction.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권12호
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• pp.59-64
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• 1996

InSb MIS devices prepared by remote PECVD SiO$_{2}$ were fabricated. The SiO$_{2}$ films on InSb were deposited at atemperature range of 67~190$^{\circ}$C. The effects of deposition temperature on the structural characteristics of the SiO$_{2}$ films evaluated Auger electron spectroscopy showed that atomic raito of silicon to oxygen was 0.5 and composition toms were distributed uniformaly throuout the oxide film. The transition region is about 100$\AA$ for SiO$_{2}$/InSb interface. The leakage current density at 1MV/cm and the breakdownelectric field of the MiS device using SiO$_{2}$ film deposited at 105$^{\circ}$C were about 22 nA/cm$^{2}$ and 3.5MV/cm, respectively. The interface-state density at mid-bandgap extracted from 1 MHz high frequency C-V measurement was about 2X10$^{11}$ cm$^{-2}$eV$^{-1}$.

• 대한기계학회논문집A
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• 제40권3호
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• pp.267-273
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• 2016

본 연구에서는 부분 안정화 지르코니아(Z)와 자기치유능력을 부여하기 위하여 SiC와 $TiO_2$를 첨가한 5종류의 복합 지르코니아(ZS, ZST1, ZST2, ZST3, ZST5)를 소결하여, 기계적 특성과 열처리에 의한 균열 치유 가능성을 평가하였다. 6종류 지르코니아 세라믹스의 비커스 경도는 큰 차이가 없으며, 부분 안정화 지르코니아에 SiC 첨가(ZS)는 급격한 굽힘강도의 저하가 나타났지만, $TiO_2$의 첨가(ZST1, ZST2, ZST3, ZST5)는 강도가 향상하였다. 이는 SiC 및 $TiO_2$의 첨가의 따른 결정화의 영향이라 판단된다. 최고 굽힘 강도를 나타내는 균열 치유 조건에서 지르코니아 단상체는 비커스 균열이 남았으나, SiC가 첨가된 4종류는 비커스 균열이 관찰되지 않아 균열이 치유되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.259-259
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• 2016

반도체 산업 전반에 걸쳐 이루어지고 있는 연구는 소자를 더 작게 만들면서도 구동능력은 우수한 소자를 만들어내는 것이라고 할 수 있다. 따라서 소자의 미세화와 함께 트랜지스터의 구동능력의 향상을 위한 기술개발에 대한 필요성이 점차 커지고 있으며, 고유전(high-k)재료를 트랜지스터의 게이트 절연막으로 이용하는 방법이 개발되고 있다. High-k 재료를 트랜지스터의 게이트 절연막에 적용하면 낮은 전압으로 소자를 구동할 수 있어서 소비전력이 감소하고 소자의 미세화 측면에서도 매우 유리하다. 그러나, 초미세화된 소자를 제작하기 위하여 high-k 절연막의 두께를 줄이게 되면, 전기적 용량(capacitance)은 커지지만 에너지 밴드 오프셋(band-offset)이 기존의 실리콘 산화막(SiO2)보다 작고 또한 열공정에 의해 쉽게 결정화가 이루어지기 때문에 누설전류가 발생하여 소자의 열화를 초래할 수 있다. 따라서, 최근에는 이러한 문제를 해결하기 위하여 게이트 절연막 엔지니어링을 통해서 누설전류를 줄이면서 전기적 용량을 확보할 수 있는 연구가 주목받고 있다. 본 실험에서는 high-k 물질인 Ta2O5와 SiO2를 적층시켜서 누설전류를 줄이면서 동시에 높은 캐패시턴스를 달성할 수 있는 게이트 절연막 엔지니어링에 대한 연구를 진행하였다. 먼저 n-type Si 기판을 표준 RCA 세정한 다음, RF sputter를 사용하여 두께가 Ta2O5/SiO2 = 50/0, 50/5, 50/10, 25/10, 25/5 nm인 적층구조의 게이트 절연막을 형성하였다. 다음으로 Al 게이트 전극을 150 nm의 두께로 증착한 다음, 전기적 특성 개선을 위하여 furnace N2 분위기에서 $400^{\circ}C$로 30분간 후속 열처리를 진행하여 MOS capacitor 소자를 제작하였고, I-V 및 C-V 측정을 통하여 형성된 게이트 절연막의 전기적 특성을 평가하였다. 그 결과, Ta2O5/SiO2 = 50/0, 50/5, 50/10 nm인 게이트 절연막들은 누설전류는 낮지만, 큰 용량을 얻을 수 없었다. 한편, Ta2O5/SiO2 = 25/10, 25/5 nm의 조합에서는 충분한 용량을 확보할 수 있었다. 적층된 게이트 절연막의 유전상수는 25/5 nm, 25/10 nm 각각 8.3, 7.6으로 비슷하였지만, 문턱치 전압(VTH)은 각각 -0.64 V, -0.18 V로 25/10 nm가 0 V에 보다 근접한 값을 나타내었다. 한편, 누설전류는 25/10 nm가 25/5 nm보다 약 20 nA (@5 V) 낮은 것을 확인할 수 있었으며 절연파괴전압(breakdown voltage)도 증가한 것을 확인하였다. 결론적으로 Ta2O5/SiO2 적층 절연막의 두께가 25nm/10nm에서 최적의 특성을 얻을 수 있었으며, 본 실험과 같이 게이트 절연막 엔지니어링을 통하여 효과적으로 누설전류를 줄이고 게이트 용량을 증가시킴으로써 고집적화된 소자의 제작에 유용한 기술로 기대된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권6호
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• pp.471-477
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• 1991

Effects of ZnO, PbO and SiO2 on the grain growth and magnetic properties of Sr-ferrite were investigated. (1) Addition of ZnO to Sr-ferrite increased remanence, but decreased coercivity and maximum energy product. (2) Addition of PbO up to 0.5 wt% increased (B$.$H)max of Sr-ferrite, but addition more than 0.5 wt% decreased (B$.$H)mzx (3) SiO2 addition to the 0.5 wt% PbO doped Sr-ferrite decreased remanence and increased coercivity. The coercivity increase in due to the grain refinement effect of SiO2. But addition of SiO2 more than 0.5 wt% invoked a decrease of coercivity and (B$.$H)max of Sr-ferrite due to abnormal grain growth. Sr-ferrite magnet having maximum energy product of 3.7MGOe was fabricated by using the roasting product of Pyrrhotite.

• 한국재료학회지
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• 제19권10호
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• pp.550-554
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• 2009

Unreported dielectrics based on the binary system of MgO-SiO$_2$ were investigated as potential candidates for microwave dielectric applications, particularly those demanding a high fired density and high quality factors. Extensive dielectric compositions having different molar ratios of MgO to SiO$_2$, such as 2:1, 3:1, 4:1, and 5:1, were prepared by conventional solid state reactions between MgO and SiO$_2$. 1 mol% of V$_2$O$_5$ was added to aid sintering for improved densification. The dielectric compositions were found to consist of two distinguishable phases of Mg$_2$SiO$_4$ and MgO beyond the 2:1 compositional ratio, which determined the final physical and dielectric properties of the corresponding composite samples. The increase of the ratio of MgO to SiO$_2$ tended to improve fired density and quality factor (Q) without increasing grain size. As a promising composition, the 5MgO.SiO$_2$ sample sintered at 1400 $^{\circ}C$ exhibited a low dielectric constant of 7.9 and a high Q $\times$ f (frequency) value of $\sim$99,600 at 13.7 GHz.