References
- K. B. Park, J. B. Seon, G. H. Kim, M. Yang, B. Koo, H. J. Kim, M. K. Ryu, and S. Y. Lee, IEEE Electron Device Lett., 31, 311 (2010). https://doi.org/10.1109/LED.2010.2040130
- Y. J. Chang, D. H. Lee, G. S. Herman, and C. H. Chang, Electrochem. Solid State Lett., 10, 135 (2007).
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hiromich, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004). https://doi.org/10.1038/nature03090
- E. M. C. Fortunato, L. M. N. Pereira, P. M. C. Barquinha, A. M. B. Rego, G. Goncalves, A. Vila, J. R. Morante, and R. F. P. Martins, Appl. Phys. Lett., 92,222103 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2937473
- D. H. Cho, S. Yang, C. Byun, J. Shin, M. K. Ryu, S. H. K. Park, C. S. Hwang, S. M. Chung, W. S. Cheong, S. M. Yoon, and H. Y. Chu, Appl. Phys. Lett., 93, 142111 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2998612
- J. S. Park, K. S. Kim, Y. G. Park, Y. G. Mo, H. D. Kim, and J. K. Jeong, Adv. Mater., 21, 329 (2009). https://doi.org/10.1002/adma.200802246
- W. H. Jeong, G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, H. J. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, J. B. Seon, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 96, 093503 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3340943
- G. H. Kim, W. H. Jeong, B. D. Ahn, H. S. Shin, H. J. Kim, H. J. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, J. B. Seon, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 96, 163506 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3413939
- D. N. Kim, D. L. Kim, G. H. Kim, S. J. Kim, Y. S. Rim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 97, 192105 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3506503
- S. J. Kim, G. H. Kim, D. L. Kim, D. N. Kim, and H. J. Kim, Phys. Status Solid A, 207, 1668 (2010). https://doi.org/10.1002/pssa.200983724
- S. J. Kim, D. L. Kim, D. N. Kim, and H. J. Kim, J. Inf. Disp., 11, 165 (2010). https://doi.org/10.1080/15980316.2010.9665846
- S. M. Yoon, S. H. Yang, S. W. Jung, C. W. Byun, S. H. K. Park, C. S. Hwang, and H. Ishiwara, Electrochem. Solid State Lett., 13, 141 (2010). https://doi.org/10.1149/1.3312900