Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Analysis of Threshold Voltage for DGMOSFET according to Channel Thickness Using Series Charge Distribution

급수형 전하분포를 이용한 DGMOSFET의 채널두께에 대한 문턱전압 특성분석

  • Cho, Kyoung-Hwan (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Han, Ji-Hyung (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
  • Published : 2012.05.26
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Abstract

In this paper, the threshold voltage characteristics have been analyzed by varying the channel thicknesses of Double Gate MOSFET. The channel thickness, as well as determining the size of the device which hardly affects SCE(Short Channel Effects), therefore the channel thicknesses is a very important parameter in the IC(Integrated circuit) design. In this study, using series charge distribution to analyze the threshold voltage on the channel thickness. Consequently, the threshold voltage decreases with increasing a channel thickness.

본 논문에서는 채널의 두께 변화에 따른 Double Gate MOSFET의 문턱전압특성을 분석 하였다. 채널의 두께는 소자의 크기를 결정할 뿐만 아니라 단채널효과에도 커다란 영향을 미치므로 IC 설계시 매우 중요한 파라미터이다. 그러므로 본 연구에서는 급수형 전하분포를 이용하여 채널두께에 따른 DGMOSFET의 문턱전압을 분석하였으며 이를 통해 채널의 두께가 증가할수록 문턱전압은 감소한다는 결과를 얻었다.

Keywords