Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Improving the Thermal Stability of Ni-Silicide Using Ni-V On Boron Cluster Implantend Source/drain for Nano-Scale CMOSFETs

  • Li, Shi-Guang (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Won-Jae (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Zhang, Ying-Ying (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Zhun, Zhong (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Jung, Soon-Yen (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Ga-Won (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Wang, Jin-Suk (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Hi-Deok (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University)
  • 이세광 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이원재 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 장잉잉 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 종준 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 정순연 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이가원 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 왕진석 (충남대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이희덕 (충남대학교 공과대학 전자공학과)
  • Published : 2010.04.01
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Abstract

본 논문에서는 nano-scale CMOSFET을 위해 Boron Cluster ($B_{18}H_{22}$)가 이온주입된 SOI 와 Bulk 기판들 이용하였으며 실리사이드의 열 안정성 개선을 위해 Ni-V을 증착한 것과 순수 Ni을 증착한 것을 비교 분석 하였다. 결과 SOI위에 Ni-V을 증착한 것이 제일 낮은 면 저항을 보여주었고 반대로 Bulk위에는 제일 높은 면 저항을 보여 주었다. 단면을 측정한 결과 SOI 위에 Ni-V을 증착한 동일 조건의 Ni보다 Silicide의 두께가 두껍게 형성된 것을 확인하였다.

Keywords