• 제목/요약/키워드: wet cleaning process

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친환경 황토타일 생산 제조시스템개발 (Development of Production System for Eco-friendly Ocher Tiles)

  • 한재호;김항우;이연신
    • 한국생산제조학회지
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    • 제24권2호
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    • pp.256-262
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    • 2015
  • This study has an innovative improvement of the ocher tiles production system that aims to resolve social issue of industrial waste and to meet the customer needs for environmental-friendly building materials. By changing a wet type cutting method to a dry type of ocher tiles production system, the three processes such as cleaning, dehydration, and drying can be removed in existing overall process of 17 steps. Accordingly, the application of the wet type cutting method, which is proposed in this study, makes an increase in ocher tiles production from 1,500 to 1,850 pieces per hour. In particular, industrial wastewater that was emerging as the biggest problem in environmental pollutants in the wet cutting method has been removed. In addition, the most serious problems of noise and dust from the operator side, while developing a device for the dry cutting method, are eliminated through the development of additional equipment.

유해가스 처리를 위한 Confined Plasma Source 개발 (Development of Confined Plasma Source for Hazardous Gas Treatment)

  • 윤용호
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.135-140
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    • 2020
  • 반도체 공정에서 필수적인 공정가스가 유해가스이기 때문에 이를 친환경적으로 해결하는 것이 필수과제이다. 현재 반도체 공정에서 사용되는 세정기술은 대부분이 1970년대 개발된 과산화수소를 근간으로 하는 습식 세정으로, 표면의 입자를 제거하기 위한 SC-1 세정액은 암모니아와 과산화수소 혼합액을 사용하고 있다. 따라서 환경적 문제를 유발하며, 또한 과도한 용수 사용으로 인한 경제적 문제도 심각하다. 이러한 이유로 본 연구를 통한 개발 제품은 챔버 출구에서 나오는 공정 유해가스를 진공펌프에 입력되기 전 가스를 분해하여 해가 없는 가스로 만들거나 소각과 동시에 펌프에 가스의 성분이 증착되어 반도체 공정의 환경적 문제를 해결하고자 한다. 본 논문에서는 반도제 공정에서 필수 불가결하게 사용되는 유해가스(N2, CF4, SF6⋯. 등)를 사람에게 무해한 가스로 치환하거나 플라스마로 소각하여 환경을 살리고 생산성 향상이 되도록 제안된 CPS (Confined Plasma Source)를 연구하고자 한다.

PR 제거공정 적용을 위한 오존 수 생성기술 연구 (A Study on the Ozonized Water Production technology for the PR Strip Process)

  • 손영수;채상훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권12호
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    • pp.13-19
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    • 2004
  • 반도체 또는 평판디스플레이 제조에 있어 노광공정 후의 PR(photo-resist) 제거 공정으로서 기존의 황산기반 용액을 대체하는 고농도 오존 수 생성 기술에 대한 연구를 수행하였다. 세라믹 연면방전구조의 오존발생장치를 개발하여, 0.5[ℓ/min]의 산소 유량에서 최대 12[wt%]이상의 오존가스 농도를 얻었으며, 이를 고농도로 물과 혼합하기 위한 고효율 오존접촉장치를 개발하였다. 오존 수 생성 실험 결과, 오존가스 10[wt%]에서 80[ppm]이상의 오존 수 농도를 달성하였으며, 70[ppm]의 오존 수에서 PR 제거율 147[nm/min]의 양호한 결과를 얻었다.

습식-펄스방전 복합시스템의 황산화물 및 질소산화물 제거성능 특성 (SOx and NOx removal performance by a wet-pulse discharge complex system)

  • 박현진;이환영;박문례;노학재;유정구;한방우;홍기정
    • 한국입자에어로졸학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.1-13
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    • 2019
  • Current desulfurization and denitrification technologies have reached a considerable level in terms of reduction efficiency. However, when compared with the simultaneous reduction technology, the individual reduction technologies have issues such as economic disadvantages due to the difficulty to scale-up apparatus, secondary pollution from wastewater/waste during the treatment process, requirement of large facilities for post-treatment, and increased installation costs. Therefore, it is necessary to enable practical application of simultaneous SOx and NOx treatment technologies to remove two or more contaminants in one process. The present study analyzes a technology capable of maintaining simultaneous treatment of SOx and NOx even at low temperatures due to the electrochemically generated strong oxidation of the wet-pulse complex system. This system also reduces unreacted residual gas and secondary products through the wet scrubbing process. It addresses common problems of the existing fuel gas treatment methods such as SDR, SCR, and activated carbon adsorption (i.e., low treatment efficiency, expensive maintenance cost, large installation area, and energy loss). Experiments were performed with varying variables such as pulse voltage, reaction temperature, chemicals and additives ratios, liquid/gas ratio, structure of the aeration cleaning nozzle, and gas inlet concentration. The performance of individual and complex processes using the wet-pulse discharge reaction were analyzed and compared.

감은사지서삼층석탑의 표면오염물 분석과 제거기술 (Analysis of Surface Contaminants and Removal Techniques on Three-story Stone Pagoda at the West of Gameunsaji Site)

  • 김사덕;이태종;김다람;한민수
    • 보존과학회지
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    • 제26권2호
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    • pp.203-211
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    • 2010
  • 감은사지서삼층석탑의 표면오염물과 세척사례 조사 연구는 부재 표면에서 관찰되는 무기오염물의 성분분석과 오염물 제거 방법을 선정하기 위해 실시하였다. 표면오염물 조사는 육안관찰과 주사전자현미경, XRD를 이용하여 오염물의 상태를 파악하고 정성 정량분석을 통해 비교 분류하였다. 분석결과, 표면오염물은 철화합물이나 황화합물 등 화합물로 존재하며, 결정 형태는 원형, 타원형, 침상, 각형이 주를 이룬다. 오염물을 제거할 수 있는 방법을 검토한 결과, 미립재를 와류형식으로 분사하는 저압와류세척방법이 적당한 것으로 사료된다.

SPM을 이용한 반도체 포토레지스트 제거 공정 대체를 위한 DIW-$O_3$ 방식 세정기술 개발 (Development of the DIW-$O_3$ Cleaning Technology Substituted for the Semiconductor Photoresist Strip Process using the SPM)

  • 손영수;함상용
    • 연구논문집
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    • 통권33호
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    • pp.99-109
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    • 2003
  • Recently the utilization of the ozone dissolved de-ionized water(DIW-$O_3$) in semiconductor wet cleaning process and photoresist stripping process to replace the conventional sulfuric acid and hydro peroxide mixture(SPM) method has been studied. In this paper, we propose the water-electrode type ozone generator which has the characteristics of the high concentration and purity to produce the high concentration DIW-$O_3$ for the photoresist strip process in the semiconductor fabrication. The proposed ozone generator has the dual dielectric tube structure of silent discharge type and the water is both used to electrode and cooling water. Through this study, we obtained the results of the 10.3 wt% of ozone gas concentration at the oxygen gas of 0.5 [liter/min.] and the DIW-$O_3$ concentration of 79.5 ppm.. Through the photoresist stripping test using the produced DIW-$O_3$, we confirmed that the photoresist coated on the silicon wafer was removed effectively in the 12 minutes.

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펨토초레이저 충격파에 의한 형광 나노입자 제거 (Removal of Nano-scaled Fluorescence Particles on Wafer by the Femtosecond Laser Shockwave)

  • 박정규;조성학;김재구;장원석;황경현;유병헌;김광열
    • 한국정밀공학회지
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    • 제26권5호
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    • pp.150-156
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    • 2009
  • The removal of tiny particles adhered to surfaces is one of the crucial prerequisite for a further increase in IC fabrication, large area displays and for the process in nanotechnology. Various cleaning techniques (wet chemical cleaning, scrubbing, pressurized jets and ultrasonic processes) currently used to clean critical surfaces are limited to removal of micrometer-sized particles. Therefore the removal of sub-micron sized particles from silicon wafers is of great interest. For this purpose various cleaning methods are currently under investigation. In this paper, we report on experiments on the cleaning effect of 100nm sized fluorescence particles on silicon wafer using the plasma shockwave occurred by femtosecond laser. The plasma shockwave is main effect of femtosecond laser cleaning to remove particles. The removal efficiency was dependent on the gap distance between laser focus and surface but in some case surface was damaged by excessive laser intensity. These experiments demonstrate the feasibility of femtosecond laser cleaning using 100nm size fluorescence particles on wafer.

전기분해 이온수를 이용한 세정기술 개발 (Development of new cleaning technology using ionized water by electrolysis)

  • 변문기;백희원;조봉희;김영호
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.617-620
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    • 1999
  • To reduce the consumption of chemicals and ultra pure water(UPW) in cleaning process used in device manufacturing, we proposed wet processes that use electrolytic ionized water(EIW), which is generated by electrolysis of a diluted electrolyte solution or UPW and systemically investicate the EIW\`s characteristics. EIW\`s pH values are increased in cathode chamber and decreased in anode chamber according to the electrolysis time and its varied ratio is reduced with time increasement. The variation of pH and ORP is increased accordin to the applied voltage until critical voltage. But more than that voltage, the variation is decreased because of ion\`s scattering effect. When electrolyte is added, the effects of electrolysis is increased because electrolyte acts as catalyst. But when the density of electrolyte is increased more than critical value, ion\`s flowage is obstructed and the effects of electrolysis is decreased.

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UV-excited $F_2/H_2$를 이용한 실리콘 자연산화막 제거에 관한 연구 (A Study on the Removal of Native Oxide on a Silicon Surface Using UV-Excited $F_2/H_2$)

  • 최성호;최진식;김성일;구경완;천희곤
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1528-1530
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    • 1997
  • As device size shrinks, contamination will increasingly affect the reliability and yield of device. Therefore, contaminants must be removed from the surfaces of Si wafers prior to each process. But it becomes out increasingly difficult to clean silicon surfaces with finer patterns by the conventional wet treatment because of the viscosity and surface tension of solutions. Hence, a damage less dry cleaning process is needed for the silicon surfaces. For the removal of Si native oxide by UV-enhanced dry cleaning. $F_2$ gas and $F_2/H_2$ mixed gas were applied. As a result of analysis, UV-enhnaced $F_2/H_2$ treatment is more suitable than UV-enhanced $F_2$ treatment for removal of native oxide on the surfaces of Si wafers.

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선박용 디젤엔진의 NOx를 저감하기 위한 습식 배기가스 처리기술 적용에 관한 실험적 연구 (Experimental study of NOx reduction in marine diesel engines by using wet-type exhaust gas cleaning system)

  • 류영현;김태우;김정식;남정길
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제41권3호
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    • pp.216-221
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    • 2017
  • 디젤엔진은 내연기관 중에 제동 열효율이 가장 높은 엔진이기 때문에 큰 동력을 필요로 하는 대형트럭과 같은 중 대형 운송 차량 및 선박 등의 수송분야 및 발전시스템 등의 다양한 분야에서 사용되어지고 있다. 하지만, 디젤엔진은 연소과정에서 질소산화물(이하 NOx) 발생량이 많은 단점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 선박용 디젤엔진의 NOx를 저감하기 위해서 습식 배기가스 처리 기술인 무격막식 해수 전기분해 방식을 이용하여 NOx 저감을 시도하였다. 실제 해수를 사용하여 디젤엔진에서 배출되는 유해가스에 전기 분해된 해수인 전해수를 분사하여 보았다. 전해수의 pH 농도 및 유효염소농도, 온도에 따른 NO 산화율 및 NOx 감소량을 조사하였다. 본 실험을 통해서 전해수의 pH가 약산성 영역일 경우가 중성일 경우보다 산화탑에서의 NO 산화율이 상승하였고, 유효염소농도가 높을수록 NO 산화율이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 전해수 온도는 NO 산화율에 영향이 없음을 추가적으로 확인할 수 있었으며 디젤엔진에서 생성된 배기배출물에 전해수를 분사함으로써 NOx가 저감됨을 확인할 수 있었다.