Vertical nanowire SGFETs(Surrounding Gate Field Effect Transistors) provide full gate control over the channel to eliminate short channel effects. This paper presents design and characterization of a differential pair amplifier using NMOS and PMOS SGFETs with a 10nm channel length and a 2nm channel radius. The amplifier dissipates $5{\mu}W$ power and provides 5THz bandwidth with a voltage gain of 16, a linear output voltage swing of 0.5V, and a distortion better than 3% from a 1.8V power supply and a 20aF capacitive load. The 2nd and 3rd order harmonic distortions of the amplifier are -40dBm and -52dBm, respectively, and the 3rd order intermodulation is -24dBm for a two-tone input signal with 10mV amplitude and 10GHz frequency spacing. All these parameters indicate that vertical nanowire surrounding gate transistors are promising candidates for the next generation high speed analog and VLSI technologies.
PHUNG, Mai Lan;HOANG, Vu Hiep;NGUYEN, Thi Thanh Huyen;PHAM, Thi Thanh Van;TRAN, Viet Tien;HOANG, Van Hoa
The Journal of Asian Finance, Economics and Business
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제8권5호
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pp.355-364
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2021
The main objective of this study is to examine the interactive effect of technology spillover channels on business efficiency within the case study of manufacturing industry of Vietnam during the period from 2012 to 2018. The research model was developed with business efficiency as dependent variable and the relevant factors affecting the technology spillover capacity as independent variables. With a sample of 2,776 cross-sectional enterprises, panel data analysis approach was adopted to estimate the impact of technology spillover issue. Different spillover channels were also included in the analysis to enhance the empirical result. The study reveals that technology spillovers positively influence manufacturing business efficiency, in which horizontal spillover channel produces negative impact and vertical spillover channel, creates positive impact. Several factors that negatively affect the technology spillover capacity of businesses could be mentioned such as limited skills and experiences of workers, methods of implementing R&D, and the existence of FDI enterprises. Meanwhile, the rise of other factors related to joint-venture activities can help to increase the technology spillover capacity of businesses. In addition, skill and experience transfer makes a partial impact since this variable only positively affect the vertical spillover channel and provide no evidence of impact regarding horizontal spillover channel model.
In the present study a new measurement technique has been developed, which uses an ultrasonic transmission signal in order to identify the vertical two phase flow pattern. The ultrasonic measurement system developed in the present study not only provides the information required for the identification of vertical two phase flow patterns but also makes real time identification possible. Various vertical two phase flow patterns such as bubbly, slug, churn, annular flow etc. have been accurately identified with the present ultrasonic measurement system under atmospheric condition. In addition, the present test apparatus can practically simulate the ultrasonic propagation characteristics under high temperature and high pressure systems. Therefore, it is expected that the present ultrasonic flow pattern identification technique could be applicable to the vertical two phase flow systems under high temperature and high pressure conditions.
A numerical study is carried out for increasing heat removal using indirect cooling system. Computation is performed for nine cases as variation of flow condition in the lower channel. As the result of this study, water is more effective than air at the same pressure loss in spite of the lower inlet velocity. In channel configuration, the vertical channel is more effective than horizontal channel because of the buoyancy effect. Under the condition that heat generation is the same, counter flow effectively decreases the temperature difference among blocks. Parallel flow is more effective than counter flow when average temperature of all blocks is considered. In the case of installing obstacles in the lower channel, it is desirable to install obstacles in the bottom of lower channel. Heat transfer rate increases as the height of obstacles increases.
상업론의 전통을 이어받은 일본 마케팅학계의 선구자들은 과점(寡占)메이커가 구축한 유통계열화에 대해 중소상인을 배급자로 전락시킨다고 하여 비판적이었고, 멀지 않은 장래에 붕괴될 것으로 예견했다. 한편 이러한 규범론적 연구그룹에 대해 거의 모든 소비재업계에 보편적으로 존재하는 유통계열화야 말로 미국식 마케팅 전략의 진수라고 평가하는 실증주의 연구그룹도 존재했다. 일본의 유통경로연구는 이러한 전통적인 규범주의 연구와 미국의 영향을 받은 경험주의 연구의 건전한 대립에 의해 발전하였다. 특기해야 할 것은 대형소매기업의 대두가 본격화되는 1980년대에 들어와 유통계열화가 약체화하기 시작했다는 점과 그 반면에 오랫동안 대립관계에 있었던 과점메이커와 대형소매기업간의 파트너십관계가 진전되기 시작했다는 점이다. 이에 따라 일본의 유통경로연구의 입장은 크게 변했다. 유통계열화라는 연구대상이 소멸했다고 판단했기 때문에 종래 이를 비판하고 상인옹호론을 펼쳤던 규범적 연구자들이 대형소매기업이 주도권을 가지는 제판동맹(製販同盟)을 긍정적으로 받아들인 것이다. 한편 유통계열화의 순기능을 지지했던 경험적 연구자들도 태도를 바꾸었다. 실증주의의 가르침에 따라 제판동맹이라는 새로운 실천현상을 연구의 프론티어로 인식한 것이다. 이처럼 일본의 유통경로연구가 일제히 유통계열화에서 제판동맹으로 연구의 중점을 이동시키면서, 방법론적으로 규범주의를 옹호하는 연구자는 그 모습을 감추고 다투어 경험주의 연구에 치중하게 된다. 일본적 마케팅의 주역으로서 규범주의적 색채를 남겼던 유통경로연구 조차도 방법론적으로 전향하게 된 것이다. 본고는 유통계열화의 종언을 전제로 하는 이러한 일본유통경로연구의 움직임에 대해 비판적인 견해를 피력한다.
기존 마이크로채널 열교환기는 한 플레이트에 고온 또는 저온, 한 종류의 유체만이 흐르고 있다. 채널 내부를 흐르는 유체의 수직 방향으로는 다른 종류의 유체가 존재하지만, 수평 방향으로는 같은 종류의 유체가 존재한다. 그로 인해 수평 방향의 열전달률은 수직 방향에 비하여 낮게 나타나게 된다. 열교환기 성능 향상을 위하여 한 플레이트에서 고온, 저온 유동이 번갈아가며 존재하는 새로운 채널 배열을 제안하였다. 새로운 채널 배열을 위해서는 특별한 입구 및 출구 설계가 필요하다. 제안된 채널 배열을 통하여 기존 열교환기보다 높은 열전달률을 얻을 수 있다. Reynolds 수와 Prandtl수가 증가할수록 새로운 채널 배열로 인한 열 성능 향상이 증가하고, 고체와 유체의 열전도계수 비가 증가할수록 열 성능 향상은 감소한다.
본 논문에서는 관성 항해 시스뎀(INS) 수직 찬넬의 bias error 감소를 위해 Kalman filter 방법과 재래식 방법이 적용, 비교되어졌다. 이 두가지 방법들은 예측 error와 반응면에서 다른 보통 쓰이는 방법들 보다 더 잘 수행됨을 보였다. 비교 연구 결과에 의하면, Kalman filter 방법 방호이 별무리없이 재래식 방법보다 효과적으로 더 잘 수행됨을 알 수 있다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제12권1호
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pp.41-45
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2012
We observed that in chemical vapor deposition (CVD) tungsten silicide (WSix) poly gate scheme, the gate oxide thickness decreases as gate length is reduced, and it intensifies the roll-off properties of transistor. This is because the fluorine diffuses laterally from WSix to the gate sidewall oxide in addition to its vertical diffusion to the gate oxide during gate re-oxidation process. When the channel length is very small, the gate oxide thickness is further reduced due to a relative increase of the lateral diffusion than the vertical diffusion. In DRAM cells where the channel length is extremely small, we found the thinned gate oxide is a main cause of poor retention time.
The coupled conduction and convection heat transfer from the protruding heat source in a vertical channel is numerically investigated. Conjugate solution of the two-dimensional energy equation is obtained for the incompressible air flow over the rectangular block with local heat source. It was found that several recirculation zones and separation bubble near the block were related to Re and Gr. And the results show that fractions of the heat transfer through each of the block face, maximum temperature of the block and the relative effect of each parameter on the maximum temperature and heat transfer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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