• 한국식품과학회지
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• 제22권4호
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• pp.479-485
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• 1990

증발 농축공정중 각종 운전 조건의 제어 및 데이터 수집을 자동으로 하기 위하여 제어 및 데이터 수집 부위에 각종 조절기와 센서를 부착하여 컴퓨터 프로그램에 의하여 공정이 진행되도록 하였다. 증발 농축 장치는 원심식 박막증발기인 Centri-Therm$(CT-1B,\;{\alpha}-Laval\;Co.,\;Sweden)$이 이용되었으며 제어 변수로는 증발기의 압력, 급액 속도, 증기의 온도 및 냉각수의 유량 등을 택했다. 그리고 데이타 수집 부위로는 급액 및 농축액의 온도와 농도, 냉각수의 입구 및 출구 온도, 증기의 온도, 증발 온도, 원료 및 농축액의 중량 변화, 응축수의 양 등을 택했다. 운전 프로그램은 PASCAL language를 이용해 작성하였으며 전 공정은 균일하게 콘트롤되었다. 냉각수는 밸브 콘트롤러에 의해 시간당 125kg의 유속으로 흐르도록 하였으며 급액 속도 125/h에서 최대 증발 속도는 41.7kg/h였다.

• 분석과학
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• 제33권1호
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• pp.11-22
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• 2020

When extracting semi-volatile components of herbal medicines using hot water vapor, some substances may react with water vapor or oxygen, and some volatile substances may be lost, when using an organic solvent extraction method has the disadvantage that it may contain a non-volatile material and residual organic solvent. In addition, it is inefficient to separate semi-volatile substances from herbal medicines into each single component and conduct biological activity research for each component to determine the effective ingredient, and some components may be lost in the separation process. In this study, semi-volatile substances evaporated under two pressure-reduced conditions in Chinese herbal medicines such as Cnidii Rhizoma, Aucklandiae Radix and Amomum Fructus were separated by cooling with liquid nitrogen. Those were analyzed by gas chromatography-mass spectrometry (GC-MS) to identify the components, and this method may be used to study biological activities at the cellular level. The substances separated under reduced pressure, essential oil obtained by simultaneous distillation extraction (SDE) method and substances by using solid phase micro-extraction (SPME) from Cnidii Rhizoma, Aucklandiae Radix and Amomum Fructus were analyzed by GC-MS. In the case of Cnidii Rhizoma and Aucklandiae Radix, there were some differences among the essential oil components obtained by SDE and those identified by low temperature capture (CT) and SPME method, these were believed to be produced by some volatiles reacting with water or oxygen at the boiling point temperature of water.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제38권9호
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• pp.1032-1038
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• 2014

본 연구에서는 병렬 마이크로 채널에서 FC-72의 비등 열전달 특성을 파악하기 위한 실험적 연구를 수행하였다. 병렬 마이크로 채널은 깊이 0.2 mm, 폭 0.45 mm, 길이 60 mm의 15개의 마이크로 채널로 구성되었으며, 실험은 열유속 $16.4kW/m^2$와 $25.6kW/m^2$의 조건에서 수행되었으며, 이때 질량유속 300, 400 그리고 $500kg/m^2s$의 범위에서 이루어졌다. 실험을 통해 측정된 열전달 계수는 낮은 건도에서는 건도가 증가함에 따라 급격하게 감소하며, 일정 건도 이상에서는 일정하게 유지되었다. 본 연구를 통해 마이크로 채널에서 FC-72의 비등 열전달 메커니즘을 확인하였으며, 실험에서 얻어진 열전달 계수는 열전달 계수를 예측하기 위한 기존의 상관식들과 비교 분석하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
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• pp.118-118
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• 2000

New single-source precursor, [AlCI3:NH2tBu] was synthesized for AlN thin f film processing with AICI3 (Aluminum Chloride) and tBuNH2 (tert-butylamine). AlN thin films for packaging aspplication were deposited on sapphire substrate by a atmosph하ie-pressure MOCVD. In most of other study methyl-based AI precursors w were used for source, But herein Aluminum Chloride was used for as AI source i in order to prevent the carbon contamination in the films and stabilize the p precursor. New precursor showed the very high gas vapor pressure so it allowed to m make the film under atmospheric-pressure and get the high purified film. High q quality AlN thin film was obtained at 700 to $900^{\circ}C$. The new precursor was p purified by a sublimation technique and help to fabricate high purity film. It s showed high vapor pressure, which is able to a critieal factor for the high purity a and atmospheric CVD of AlN. High Quality AIN thin film was obtained at $700-900^{\circ}C$. The AIN film was characterized by RBS

• 한국식품과학회지
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• 제21권2호
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• pp.252-257
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• 1989

OPP/PVDC 도포/LDPE 복합 필름과 Nylon/LDPE복합 필름을 사용하여 비엔나 소시지를 포장하며 품질수명을 비교한 결과는 다음과 같다. 두 복합 필름의 투습도와 가스투과도는 PVDC 도포 필름이 현저히 적었다. Nylon복합 필름은 가로, 세로 사이의 신장율이 비슷했으나 PVDC 도포 필름은 가로, 세로의 신장율이 4.5배 정도 차이가 있었다. 비엔나 소시지의 Critical Quality Index로서 VBN 이 더 적합했고 이 VBN 변화치로부터 구한 반응 속도상수로부터 $Q_{10}$치를 계산하여 예측한 품질수명은 $15^{\circ}C$ 저장의 경우 Nylon 복합 필름은 25일, PVDC 도포 필름은 31일, $5^{\circ}C$ 저장의 경우 Nylon복합 필름은 32일, PVDC도포 필름은 41일로 나타났다. PVDC도포 필름의 품질수명이 6일에서 9일정도 더 길었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제24권1호
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• pp.49-54
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• 2003

TiO₂nanoparticles were synthesized using the metallorganic chemical vapor deposition process. Particles with and without metal ion dopants were obtained. X-ray photoelectron and energy dispersive X-ray spectroscopic measurements confirmed the stoichiometry of the TiO₂nanoparticles. X-ray diffraction patterns showed a polycrystalline anatase structure of TiO₂. Transmission electron microscopy revealed that these particles are of nanoscale dimensions. Exact particle size and size distribution analyses were carried out by dynamic light scattering. The average particle size was determined to be 22 nm. The nanosize particles provided large surface area for photocatalysis and a large number of free surface-charge carriers, which are crucial for the enhancement of photocatalytic activity. To improve the photocatalytic activity, metal ions, including transition metal ions $(Pd^{2+},\;Pt^{4+},\;Fe^{3+})$ and lanthanide ion $(Nd^{3+})$ were added to pure TiO₂nanoparticles. The effects of dopants on photocatalytic kinetics were investigated by the degradation of 2-chlorophenol under an ultraviolet light source. The results showed that the TiO₂nanoparticles with the metal ion dopants have higher photocatalytic activity than undoped TiO₂. The $Nd^{3+}$ ion of these dopant metal ions showed the highest catalytic activity. The difference in the photocatalytic activity with different dopants is related to the different ionic radii of the dopants.

• 한국진공학회지
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• 제14권4호
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• pp.201-206
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• 2005

본 연구에서는 HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 방법으로 Si 위에 GaN/AIN/Al/Si 구조를 제작하고, AlN 버퍼층의 두께에 따른 광학적 특성을 조사함으로써 효과적인 eaN 성장을 위한HVPE에서의 공정 방법을 개선하고자 하였다. 이를 위해 Al을 증착한 Si 기판과 그렇지 않은 경우를 PL측정을 통해 그 효과를 관찰하였고, $5{\AA}$ 두께의 Al 대해 AlN 버퍼층의 두께를 변화시켜가면서 GaN를 성장시켜 그 특성을 조사하였다. Al을 증착한 경우가 증착하지 않은 경우에 비해 광학적 특성이 우수한 것으로 나타났으며, AlN의 두께 변화에 대해서는 양질의 GaN를 얻기 위한 최적의 두께는 약 $260{\AA}$ 인 것으로 나타났다. 이 경우 SEM을 이용한 표면사진에서 GaN의 초기성장이 hexagonal형태로 성장되고 있음을 관찰할 수 있었다. 또한 XRD의 회절 패턴은 GaN가 {0001} 방향으로 우선 배향성을 가지고 성장되고 있음을 보여주고 있었다.

• 한국가스학회지
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• 제26권5호
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• pp.35-40
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• 2022

태양광 전지 제조 설비인 PCVD(Plasma Chemical Vapor Deposition)는 NH₃, SIH₄, O₂를 Chamber에 주입하여 생성된 Plasma를 Wafer에 증착시키는 설비이다. PCVD설비에서 Gas 이동과 주입이 Gas Cabinet에서 이루어지며, 내부에는 MFC, Regulator, Valve, Pipe 등이 복잡하게 연결되어 많은 누출 점이 존재한다. 폭발 상한값(UEL) 33.6%, 폭발 하한값(LEL) 15%의 NH₃ 누출 시 폭발을 예방하기 위해서는 NH₃ 농도가 폭발 범위에서 벗어날 수 있는 희석능력이 있어야 한다. 본 연구는 기존 PCVD의 Gas Cabinet에 대한 NH₃ Gas 누출 시 희석능력을 3D와 수치로 확인할 수 있는 CFD 분석 기법을 활용하여 분석하였다. 그 결과 중희석에 해당되며 설비 개선을 통해 고환기가 가능하다는 결론을 얻었다.

• 펄프종이기술
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• 제42권1호
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• pp.64-73
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• 2010

This study was conducted to modify the surface properties of papers by formation of hydrophobic self-assembled monolayer(SAM) on paper surface with silanes. A base paper I(0.5% AKD) and base paper II(1.0-1.5% AKD) were reacted with silanes(PFDTES, DMDCS, MODDCS) by immersion method and vapor deposition method. Hydrophobic SAMs(contact angle value>$120^{\circ}C$) were obtained on all papers after treatment with $10^{\mu}l$ PFDTES for 15min, with $50^{\mu}l$ DMDCS for 30min, with $50^{\mu}l$ MODDCS for 300min. When applying PFDTES to paper surface, lower silane concentration and shorter reaction time were required, whereas MODDCS with long alkyl chain required the longest reaction time of 300min. The st$\ddot{o}$ckight sizing degree of silane treated papers were increased between 105sec(base paper I) and 130sec(base paper II). The wet tensile strength of PFDTES-treated base papers(I, II) increased by 10-34% after SAM formation. However, the wet tensile strength of the DMDCS-treated base paper(I) was found to decrease from 0.067kN/m to 0.038kN/m; this may due to the cellulose degrading as a result of generated hydrogen chloride when hydroxyl group of cellulose were reacted with DMDCS. No apparent changes of PPS roughness on silane-treated papers are observed. The ATR-IR spectrum showed absorption peak located at 465 and 1200cm-1 which can be assigned to the Si-O-C asymmetric stretching and Si-O-C bonds, respectively.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제24권3호
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• pp.53-59
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• 2015

The field-effect transistors (FETs) with a graphene-based p-n junction channel were fabricated using the patterned self-assembled monolayers (SAMs). The self-assembled 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES) monolayer deposited on $SiO_2$/Si substrate was patterned by hydrogen plasma using selective coating poly-methylmethacrylate (PMMA) as mask. The APTES-SAMS on the $SiO_2$ surface were patterned using selective coating of PMMA. The APTES-SAMs of the region uncovered with PMMA was removed by hydrogen plasma. The graphene synthesized by thermal chemical vapor deposition was transferred onto the patterned APTES-SAM/$SiO_2$ substrate. Both p-type and n-type graphene on the patterned SAM/$SiO_2$ substrate were fabricated. The graphene-based p-n junction was studied using Raman spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. To implement low voltage operation device, via ionic liquid ($BmimPF_6$) gate dielectric material, graphene-based p-n junction field effect transistors was fabricated, showing two significant separated Dirac points as a signature for formation of a p-n junction in the graphene channel.