외국농산물의 국내 유입증가와 이에 따른 신속한 원산지 판별법 확립이 요구되는 가운데 최근 수입이 급증한 품목 중 하나인 황기를 선택, CE 및 NIRS를 이용하여 분석조건을 확립하고 원산지판별에의 적용 가능성을 검토하였다. CE를 이용하여 분석 시 추출은 methanol: 0.1M phosphate buffer(pH 2.5)(3:7)를 사용하였으며 uncoated fused silica capillary$(50\;{\mu}m\;I.D.{\times}27cm)$를 이용하여 $45^{\circ}C$, 14 kV로 분석, 200 nm에서 검출하였다. 분석 buffer는 0.1 M phosphate buffer(pH 2.5)에 20% methoxy ethanol과 40 mM HSA를 첨가하여 사용하였으며, 8초간 pressure injection 하였다. Peak의 재현성을 증대시키기 위하여 시료 주입 전 분석 buffer를 1분간 분석 시와 같은 방향으로(F) 흘려주고 0.1 M phosphoric acid와 1 M sodium hydroxide는 각각 4분, 5분간 반대방향으로(R) 홀려주었다. 증류수를 다시 1분간 흘려주고(R) 분석 buffer로 2분간 평형화(F) 시킨 후 시료를 주입하였다. 이상의 조건으로 국내산(97점)과 수입(113점) 황기를 분석한 결과 전체 peak의 양상은 유사하였으나 약 $11{\sim}13$분에 용출되는 2개의 peak(peak am-1, am-2)의 면적 비율에서 차이가 나타나 국산은 peak am-2가 peak am-1의 약 4배인 반면, 수입 산은 10배로 나타나 원산지 판별이 가능하였으며, 약 80%의 편별율을 나타내었다. NIRS는 국산 및 수입산 황기 raw 스펙트럼의 2차 미분 스펙트럼 R값이 0.915로 비교적 안정된 값을 얻을 수 있었고, SEP는 약 14.3%로 나타났다. 이를 국산과 수입산 황기에 적용 시 전체 판별율이 약 97%로 비교적 높은 판별율을 보였다. 또한 NIRS로 판별이 불가능한 시료가 CE로는 판별이 가능하여 이 두 기기를 함께 사용 시 상호보완하여 신속 정확한 원산지 판별법의 개발 가능성이 시사되었다.
Kim, Kyung-O;Kim, Jong-Kyung;Ha, Jang-Ho;Kim, Soon-Young
Nuclear Engineering and Technology
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제41권5호
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pp.723-728
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2009
The response property of the CZT detector ($5{\times}5{\times}5\;mm^3$), widely used in photon spectroscopy, was evaluated by considering the charge collection efficiency, which depends on the interaction position of incident radiation, A quantitative analysis of the energy spectra obtained from the CZT detector was also performed to investigate the tail effect at the low energy side of the full energy peak. The collection efficiency of electrons and holes to the two electrodes (i.e., cathode and anode) was calculated from the Hecht equation, and radiation transport analysis was performed by two Monte Carlo codes, Geant4 and MCNPX. The radiation source was assumed to be 59.5 keV gamma rays emitted from a $^{241}Am$ source into the cathode surface of this detector, and the detector was assumed to be biased to 500 V between the two electrodes. Through the comparison of the results between the Geant4 calculation considering the charge collection efficiency and the ideal case from MCNPX, an pronounced difference of 4 keV was found in the full energy peak position. The tail effect at the low energy side of the full energy peak was confirmed to be caused by the collection efficiency of electrons and holes. In more detail, it was shown that the tail height caused by the charge collection efficiency went up to 1000 times the pulse height in the same energy bin at the calculation without considering the charge collection efficiency. It is, therefore, apparent that research considering the charge collection efficiency is necessary in order to properly analyze the characteristics of CZT detectors.
Ahmad, Mais Jamil A.;Abdul-Gader Jafar, Mousa M.;Saleh, Mahmoud H.;Shehadeh, Khawla M.;Telfah, Ahmad;Ziq, Khalil A.;Hergenroder, Roland
Applied Microscopy
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제47권3호
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pp.110-120
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2017
Non-isothermal thermogravimetry (TG) measurements on melt-quenched $Bi_xSe_{100-x}$ specimens (x=0, 2.5, 7.5 at%) were made at a heating rate ${\beta}=10^{\circ}C/min$ in the range $T=35^{\circ}C{\sim}950^{\circ}C$. The as-measured TG curves confirm that $Bi_xSe_{100-x}$ samples were thermally stable with minor loss at $T{\leq}400^{\circ}C$ and mass loss starts to decrease up to $600^{\circ}C$, beyond which trivial mass loss was observed. These TG curves were used to estimate molar (Se/Bi)-ratios of $Bi_xSe_{100-x}$ samples, which were not in accordance with initial composition. Shaping features of conversion curves ${\alpha}(T)-T$ of $Bi_xSe_{100-x}$ samples combined with a reliable flow chart were used to reduce kinetic mechanisms that would have caused their thermal mass loss to few nth-order reaction models of the form $f[{\alpha}(T)]{\propto}[1-{\alpha}(T)]^n$ (n=1/2, 2/3, and 1). The constructed ${\alpha}(T)-T$ and $(d{\alpha}(T)/dT)-T$ curves were analyzed using Coats-Redfern (CR) and Achar-Brindley-Sharp (ABS) kinetic formulas on basis of these model functions, but the linearity of attained plots were good in a limited ${\alpha}(T)-region$. The applicability of CR and ABS methods, with model function of kinetic reaction mechanism R0 (n=0), was notable as they gave best linear fits over much broader ${\alpha}(T)-range$.
Jo, Kwang-Min;Lee, Joon-Hyung;Kim, Jeong-Joo;Heo, Young-Woo
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.265.2-265.2
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2016
Oxide thin film transistors (TFTs) have attracted considerable interest for gate diver and pixel switching devices of the active matrix (AM) liquid crystal display (LCD) and organic light emitting diode (OLED) display because of their high field effect mobility, transparency in visible light region, and low temperature processing below $300^{\circ}C$. Recently, oxide TFTs with polycrystalline In-Ga-O(IGO) channel layer reported by Ebata. et. al. showed a amazing field effect mobility of $39.1cm^2/Vs$. The reason having high field effect mobility of IGO TFTs is because $In_2O_3$ has a bixbyite structure in which linear chains of edge sharing InO6 octahedral are isotropic. In this work, we investigated the characteristics and the effects of oxygen partial pressure significantly changed the IGO thin-films and IGO TFTs transfer characteristics. IGO thin-film were fabricated by rf-magnetron sputtering with different oxygen partial pressure ($O_2/(Ar+O_2)$, $Po_2$)ratios. IGO thin film Varies depending on the oxygen partial pressure of 0.1%, 1%, 3%, 5%, 10% have been some significant changes in the electrical characteristics. Also the IGO TFTs VTH value conspicuously shifted in the positive direction, from -8 to 11V as the $Po_2$ increased from 1% to 10%. At $Po_2$ was 5%, IGO TFTs showed a high drain current on/off ratio of ${\sim}10^8$, a field-effect mobility of $84cm^2/Vs$, a threshold voltage of 1.5V, and a subthreshold slpe(SS) of 0.2V/decade from log(IDS) vs VGS.
One of the most important characteristic curves of a solar cell is its current density-voltage (J-V) curve under AM1.5G insolation. Solar cell can be considered as a semiconductor diode, so a diode equivalent model was used to estimate its parameters from the J-V curve by numerical simulation. Active layer plays an important role in operation of a solar cell. We investigated the effect thicknesses and defect densities (Nd) of the active layer on the J-V curve. When the active layer thickness was varied (for Nd = 8×1017 cm-3) from 800 nm to 100 nm, the reverse saturation current density (Jo) changed from 3.56×10-5 A/cm2 to 9.62×10-11 A/cm2 and its ideality factor (n) changed from 5.28 to 2.02. For a reduced defect density (Nd = 4×1015 cm-3), the n remained within 1.45≤n≤1.92 for the same thickness range. A small increase in shunt resistance and almost no change in series resistance were observed in these cells. The low reverse saturation current density (Jo = 9.62×10-11 A/cm2) and diode ideality factor (n = 2.02 or 1.45) were observed for amorphous silicon based solar cell with 100 nm thick active layer.
This work presents the synthesis and preparation of a new glass system described by the equation of (70-x) B2O3-5TeO2 -20SrCO3-5ZnO -xBi2O3, x = 0, 1, 5, 10, and 15 mol. %, using the melt quenching technique at a melting temperature of 1100 ℃. The photon-shielding characteristics mainly the linear attenuation coefficient (LAC) of the prepared glass samples were evaluated using Monte Carlo (MC) simulation N-particle transport code (MCNP-5) at gamma-ray energy extended from 59 keV to 1408 keV emitted by the radioisotopes Am-241, Ba-133, Cs-137, Co-60, Na-22, and Eu-152. Furthermore, we observed that the Bi2O3 content of the glasses had a significantly stronger impact on the LAC at 59 and 356 keV. The study of the lead equivalent thickness shows that the performance of fabricated glass sample with 15 mol.% of Bi2O3 is four times less than the performance of pure lead at low gamma photon energy while it is enhanced and became two times lower the perforce of pure lead at high energy. Therefore, the fabricated glasses special sample with 15 mol.% of Bi2O3 has good shielding properties in low, intermediate, and high energy intervals.
검출기의 구조를 PENELOPE의 코드를 사용하여 전산모사 하였다. 표준혼합시료(450, 1,000 ml)를 사용하여 다양한 밀도와 높이에 따른 저에너지(59.54 keV)부터 고 에너지(1,836.05)에 대한 측정효율과 PENELOPE 전산모사에서 구한 효율을 비교하였으며, 또한 자체흡수에 대한 효율을 보정하여 다양한 환경시료에 적용하여 검출하한치를 알아보고자 한다. 표준혼합선원의 전체에너지 피크효율 값을 적용하여 높이에 따른 효율변화를 측정치와 PENELOPE의 전산모사 값과 비교하였다. 여기서 구한 값들을 자체흡수 보정하여 구한 효율을 실제 환경시료에 적용하여 검출하한치 값들을 구하였다. 밀도보정인자는 밀도가 $0.4g/cm^3$에서 241Am(59.54 keV)의 밀도보정인자는 1.15, PENELOPE 전산모사에서는 1.153, 137CS(661.66 keV) 에서는 $1.06g/cm^3$, PENELOPE 전산모사에서는 1.064, 88Y(1,836.04 keV)에 대한 밀도보정인자는 1.03, PENELOPE 전산모사에서는 1.033으로 불확도는 1% 이내에서 잘 일치함을 확인하였다. 환경 시료의 밀도에 따른 방사능 농도는 시료량이 많을수록, 측정시간이 증가할수록 MDA(Minimum Detectable Activity) 값이 감소함을 확인할 수 있었다.
상토에 기비로 혼합된 질소의 $NH_4{^+}:NO_3{^-}$ 비율이 '불암 3호' 배추의 플러그묘 생장에 미치는 영향을 구명하기 위하여 본 연구를 수행하였다. 코이어 더스트:피트모스:펄라이트가 3.5:3.5:3(v/v/v)으로 혼합된 상토를 조제하는 과정에서 기비로 혼합된 질소 수준을 $300mg{\cdot}kg^{-1}$으로 고정하고, $NH_4{^+}:NO_3{^-}$ 비율을 0:100, 27:73, 50:50, 73:27, 100:0으로 조절하였다. 각각의 $NH_4{^+}:NO_3{^-}$ 처리구에 다른 필수적인 비료는 동일하게 배합하여 72구 플러그트레이에 충전하였다. 배추 종자를 파종한 후, 2주와 4주 뒤에 지상부 생육을 조사하였다. 식물체내 무기원소 함량은 파종 4주 후 묘를 분석하였고, 매주 채취한 상토를 이용하여 무기원소 농도를 분석하였다. 파종 후 묘의 생장이 진행됨에 따라 상토의 pH가 점차 상승하고 EC가 낮아지는 경향을 보였다. 파종 2주 후 $NH_4{^+}$ 비율이 높았던 처리에서 $NO_3{^-}$ 비율이 높았던 처리들 보다 상토의 K, Ca, 및 Mg 농도가 높았지만 파종 4주 후 모든 처리에서 매우 낮은 농도로 분석되었고 처리간 차이도 뚜렷하지 않았다. 상토의 $NO_3{^-}$ 농도는 $NH_4{^+}:NO_3{^-}$(100:0) 처리에서 가장 낮았고, $NH_4{^+}:NO_3{^-}$(0:100) 처리에서 가장 높았으며, $NH_4{^+}$ 농도는 반대의 경향을 보였다. 파종 2주 후의 배추 유묘는 $NH_4{^+}:NO_3{^-}$ 비율을 27:73으로 조절한 처리에서 지상부 생체중 및 건물중이 가장 무거웠으며, 파종 4주 후에는 50:50으로 조절한 처리에서 가장 무거웠다. 100:0($NH_4{^+}:NO_3{^-}$)처리의 경우 발아 후 생존율이 약 19%였고, 생존한 식물체의 4주 후 지상부 생장도 가장 저조하였다. 이상의 결과는 배추 플러그 육묘시 식물이 어린 상태에서는 $NH_4{^+}$ 비율을 기비로 혼합된 총 질소의 25% 이하로, 식물이 어느 정도 생장한 상태이더라도 50% 이하로 조절하여야 $NH_4{^+}$ 독성을 방지할 수 있음을 의미한다.
목 적 : ${\alpha}$-Galactosylceramide (GalCer)로 자극한 자연살상 T 세포(NKT)는 CD1d 및 T 세포 수용체(T cell receptor) 의존적으로 일부 백혈병에서 항암효과를 발현하나, CD1d음성인 신경모세포종에서는 세포독성을 유도할 수 없다. 이들 NKT세포의 활성화 시 분비되는 많은 양의 사이토카인의 직접적인 항암효과에 대해서는 소수의 보고가 있다. 본 연구에서는 hCD1d/${\alpha}$-GalCer tetramer로 NKT세포를 자극하여 얻은 상청액(supernatant)을 이용하여 NKT세포에 의한 신경모세포종의 치료적 접근의 가능성을 알아보았다. 방 법 : 신경모세포종 세포 주를 IMDM 배지에 배양하였고, NKT세포에서 분비되는 사이토카인 양은 cytometric bead array (CBA)분석으로 측정하였다. 세포 생존율은 calcein-AM 형광물질을 이용하여 digital image microscopy scanning (DIMSCAN)으로 측정하였고 특이 세포고사(specific apoptosis)는 annexin V and 7-AAD 염색 후 유식세포분석기를 통하여 산출하였다. 결 과 : 활성화된 NKT세포는 많은 양의 IL-2, IL-4, INF-${\gamma}$와 TNF-${\alpha}$을 분비하였다. NKT 자극 후 얻어진 상청액은 8개의 신경모세포종 세포 주 중 4개에서 의미있는 세포독성을 나타냈으며, 그 기전은 annexin-V 염색이나 pancaspase 억제제의 전 처치 실험으로 세포고사을 통하여 유도됨을 알 수 있었다. 그리고 이들 세포고사 유도는 anti-TNF-${\alpha}$, anti-IFN-${\gamma}$ 중화항체의 단독투여 시 현저히 감소하였고 동시투여 시에는 완전하게 억제되었다. 결 론 : NKT 세포의 활성화에 의해 분비된 IFN-${\gamma}$와 TNF${\alpha}$가 일부 신경모세포종 세포 주에서 협동적 세포 독성을 유도하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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