The settlement, bearing capacity, axial force, and skin friction responses of pervious and impervious concrete piles in silty and sandy underlying layer foundations and of pervious concrete piles in model tests were determined. The results showed that pervious concrete piles can exhibit high strengths, provide drainage paths and thus reduce foundation consolidation time. Increasing the soil layer thickness and pile length could eliminate the bearing capacity difference of pervious piles in a foundation with a silty underlying layer. The pervious concrete piles in the sandy underlying layer were more efficacious than those in the silty underlying layer because the sandy underlying layer can provide more bearing capacity than the silty underlying layer. The results indicated that the performances of the pervious concrete piles in the sand and silt foundations differed. The pervious concrete piles functioned as floating piles in the underlying layer with a lower bearing capacity and as end-bearing piles in the underlying layer with a higher bearing capacity.
본 논문은 지반위에 놓인 콘크리트 슬래브가 환경하중에 의해 컬링 할 때의 거동을 해석할 경우에 하부층의 모델링 방법에 따른 해석 결과의 차이를 분석한 내용을 기술하였다. 지반위에 놓인 슬래브 시스템을 전체 3차원 모델, 3차원 슬래브와 하부층을 스프링으로 구성한 모델, 그리고 2차윈 슬래브와 하부층을 스프링으로 구성한 모델 등으로 개발하여 해석을 수행하였다. 먼저 하부층이 단일 층으로 구성되어 있을 경우에 하부층 모델링 방법에 따른 컬링 거동의 차이를 분석하였다. 그리고 하부층이 서로 다른 재료와 두께로 구성되어 있는 복층일 경우에 하부층 모델링에 따른 컬링 거동의 특성을 비교 분석하였다. 연구결과 하부층을 무인장 스프링으로 모델링 하면 하부층이 단층일 경우에는 일반적으로는 상당히 정확한 해석결과를 얻을 수 있으나, 하부층이 복층일 경우에는 상위하부층의 탄성계수가 클 때, 하위하부층의 탄성계수가 작을 때, 그리고 상위하부층과 하위하부층의 두께가 두꺼울 때는 컬링 시에 슬래브의 수직변위 차이를 과대평가하게 되며 최대응력은 과소평가하게 된다.
The elecronic absorption and surface morphology evolution of two types of molecular double layer thin films, copper phthalocyanine(CuPc) layer deposited on top of chloro[subphtalocyaninato]boron(III) (SubPc) layer, denoted as SubPc/CuPc, and vice versa, at various thicknesses were invertigated using ultraviolet(UV)-visible spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). Both types of double layer structures showed similar broadened absorption patterns in UV-visible region which were well consistent with fitted spectra by a simple linear combination of single layer absorption spectra of two materials. In contrast, the surface morphology of double layer structures was dependent on the order of deposition. For CuPc/SubPc structures, the surface morphology was characterized by elongated grains, characteristic of SubPc thin films, indicating the morphological influence of underlying CuPc layer on subsequent SubPc layer was not large. For SubPc/CuPc structures, however, the underlying SubPc layer acted as a morphological template for the subsequently deposited CuPc layer. It was also observed that the grain size of CuPc layer varied by the thickness of underlying SubPc layer.
Park, Gyoo-Soon;Heo, Il-Su;Ryu, Il-Hwan;Yim, Sang-Gyu
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제32권3호
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pp.943-946
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2011
The electronic absorption and surface morphology evolution of two types of molecular double layer thin films, copper phthalocyanine (CuPc) layer deposited on chloro[subphthalocyaninato]boron(III) (SubPc) layer, denoted as SubPc/CuPc, and vice versa, with various thicknesses were investigated using ultraviolet (UV)-visible spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). Both types of double layer structures showed similar broadened absorption patterns in the UV-visible region that were consistent with the fitted spectra following simple linear combination of the single layer absorption spectra of the two materials. In contrast, the surface morphology of double layer structures was dependent on the order of deposition. For the CuPc/SubPc structures, surface morphology was characterized by elongated grains, which are characteristic of SubPc thin films, indicating that the morphological influence of the underlying CuPc layer on the subsequent SubPc layer was not large. For the SubPc/CuPc structures, however, the underlying SubPc layer acted as a morphological template for the subsequently deposited CuPc layer. It was also observed that the grain size of the CuPc layer varied according to the thickness of the underlying SubPc layer.
본 연구는 지반위에 놓여진 콘크리트 슬래브가 온도하중을 받아서 컬링할 때의 거동을 실내 실험을 통해 분석하고 슬래브를 지지하고 있는 하부층의 구성이 슬래브의 컬링 거동에 어떠한 영향을 미치는지를 분석하기 위하여 수행되었다. 실험을 위해 콘크리트슬래브를 제작하고 온도측정센서를 장착하였으며 인위로 온도하중을 가하며 슬래브의 여러 위치에서 변위의 변화를 측정하였다. 하부층은 두 가지의 관점을 고려하여 구성하였으며, 첫째는 단일 하부층을 이용하여 재료와 두께를 달리하여 지지력을 다르게 하는 경우이며, 둘째는 하부층을 복층으로 구성하되 복합지지력은 일정하나 슬래브와 직접 접촉하는 상위하부층의 재료성질을 다르게 하는 경우이다. 실험결과 시간에 따른 슬래브의 수직 변위 변화는 온도구배의 변화와 거의 일치하는 양상을 보였으며 컬링 거동의 특성을 컬업 구간과 컬다운 구간으로 구분하여 분석하였다. 하부층의 지지력은 커질수록 슬래브의 중앙과 코너의 수직 변위 차이는 감소하게 되며 최상위 하부충의 재료 성질이 컬링 거동에 영향을 미치는 것을 알 수 있었다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제40권8호
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pp.692-697
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2016
This study investigated the effect of surface roughness of zinc oxide (ZnO) layer on the growth of polycrystalline Si layer via an Al-induced layer exchange process. It was found that the growth rate, grain size, crystallization fraction, and preferential orientation of the polycrystalline Si layer were strongly influenced by the surface roughness of the underlying ZnO layer. As the roughness of the ZnO surface increased, a higher growth rate (~40 min) and preferential Si (100) orientation were obtained because of the spatial concentration fluctuations in the Al-Si alloy, induced by the surface roughness of the underlying ZnO layer.
$Cr_2AlC$ compounds were synthesized by hot pressing, and oxidized between 900 and $1200^{\circ}C$ in air for up to 50 hours. They oxidized to a thin $Al_2O_3$ layer containing a small amount of $Cr_2O_3$with the liberation of carbon as CO or $CO_2$ gases. The consumption of Al to form the $Al_2O_3$ layer led to the depletion of Al and enrichment of Cr just below the $Al_2O_3$ layer, resulting in the formation of an underlying $Cr_7C_3$ layer. As the oxidation temperature and time increased, the $Cr_7C_3$ oxide layer and the underlying $Cr_7C_3$ layer thickened. The oxidation resistance of $Cr_2AlC$ was generally good due to the formation of the $Al_2O_3$ barrier layer.
In this study, the effect of Au-Sn alloy coating on reliability of electrical contacts was investigated via comparison with Au-Co alloy coating. The results show that Au-Sn alloy exhibited lower contact resistance and higher solder spreadability than those of Au-Co alloy after thermal aging. In the case of Au-Co alloy plating, the underlying Ni element diffused into Au-Co layer to form Ni oxides on surface during thermal aging, leading to increased contact resistance and decreased solder spreadability. Meanwhile, for Au-Sn alloy plating, Au-Ni-Sn metallic compound was formed at the interface between Au-Sn layer and underlying Ni layer. This compound acted as a diffusion barrier, thereby inhibiting the diffusion of Ni to Au-Sn layer during thermal aging. Consequently, Au-Sn alloy layer showed better contact reliability than that of Au-Co alloy layer.
Reliability and performance in metal gate/high-k device with multiple gate dielectrics were investigated. MOSFETs with a thin $HfSiO_x$ layer on a thermal Si02 dielectric as gate dielectrics exhibit excellent mobility and low interface trap density. However, the distribution of threshold voltages of $HfSiO_x/SiO_2$ stack devices were wider than those of $SiO_2$ and $HfSiO_x$ single layer devices due to the penetration of Hf and/or intermixing of $HfSiO_x$ with underlying $SiO_2$. The results of TZDB and SILC characteristics suggested that a certain portion of $HfSiO_x$ layer reacted with the underlying thick $SiO_2$ layer, which in turn affected the reliability characteristics.
We report a simple way of fabricating high-quality carbon nanoscrolls (CNSs) by taking advantage of strain relief due to large difference in strain at the interface of graphene and underlying layer. This method allows strain-controlled self rolling-up of monolayer graphene during etching process at predefined positions on SiO2/Si substrates by photolithography. The size and the length of the CNSs can be easily controlled by adjusting the thickness of the underlying layer and by pre-patterning. Raman spectroscopy studies show that the CNSs is free of significant defects, and the electronic structure and phonon dispersion are slightly different from those of two-dimensional graphene. The preparation of high-quality CNSs may open up new opportunities for both fundamental and applied research of CNSs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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