Microelectromechanical systems (MEMS)-fabricated suspended devices were used to measure the in-plane electrical conductivity, Seebeck coefficient, and thermal conductivity of 304 nm and 516 nm thick InGaAlAs films with 0.3% ErAs nanoparticle inclusions by volume. The suspended device allows comprehensive thermoelectric property measurements from a single thin film or nanowire sample. Both thin film samples have identical material compositions and the sole difference is in the sample thickness. The measured Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermal conductivity were all larger in magnitude for the thicker sample. While the relative change in values was dependent on the temperature, the thermal conductivity demonstrated the largest decrease for the thinner sample in the measurement temperature range of 325 K to 425 K. This could be a result of the increased phonon scattering due to the surface defects and included ErAs nanoparticles. Similar to the results from other material systems, the combination of the measured data resulted in higher values of the thermoelectric figure of merit (ZT) for the thinner sample; this result supports the theory that the reduced dimensionality, such as in twodimensional thin films or one-dimensional nanowires, can enhance the thermoelectric figure of merit compared with bulk threedimensional materials. The results strengthen and provide a possible direction in locating and optimizing thermoelectric materials for energy applications.
We have setup a compact and useful in-situ SMOKE system in order to study surface magnetism of ultra-thin films. Since the longitudinal or polar magnetic fields can be applied to the sample by just rotating the sample manipulator, It is very simple to take hysteresis curve for in-plane or polar surface magnetism. The SMOKE system was tested by investigating the surface magnetism of ultra-thin Co film deposited on Pt(111) surface.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.18
no.3
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pp.105-108
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2008
Four different thin films were made by depositing PZ and PT in different stacking sequences. PZ and PT phases are preferably co-existed in sample A and C that are annealing after each coatings. The sample B and D, on the other hands, have tendency toward the PZT phase after co-firing the sample. The sample B that started from PT stacking first was more stable PZT phase than that of PZ first sample D.
The glass bead surface was coated using a TiO2 sol, after which dry-treated (TB) and calcined (TBc) samples were prepared. Photocatalytic degradation of methylene blue and toluene, as well as characterization of the TiO2 thin films, were carried out. The TiO2 thin film of the TB sample had the same shape as the sponge foam, according to FE-SEM, XPS, and FTIR analyses, and contained both amorphous and crystalline TiO2. On the other hand, crystalline TiO2 was mainly present in the TiO2 thin film of the TBc sample, and needle-shaped particles and tiny ones were mixed. The adsorption capacity for methylene blue and the degradation rate of the TBc sample were less than 10 % compared with those of the TB sample, and the adsorption capacity and degradation rate of the TBc sample decreased similarly as the amount of TiO2 coating increased. The amount of toluene adsorption for the TBc sample (46 mg/g) was smaller than that of the TB sample with the same coating amount, but the degradation rate was similar. In the case of the TB sample, the degradation rate for toluene decreased less than the adsorption capacity as the amount of TiO2 coating increased. This result is considered to be because, in the non-calcined TB sample, the active site reduction of the crystalline particles occurred less and the specific surface area of the amorphous texture decreased as the amount of TiO2 coating increased.
Structural and optical characteristics in $SnO_2$/a-Se/Al sample by aging variation and applying constant voltage had been investigated. a-Se was varied with monoclinic structure and its surface was greatly exchanged. Its capacitance was first decreased and then increased and its photo-current, photo-voltage and photo-capacitance were increased gradually with day and applying voltage. From the results, crystallization of a-Se and dopant trap level formation had been identified. Also, it was acknowledged $SnO_2$/a-Se/Al sample is useful in photovoltaic and solid thin film cell.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.3C
no.6
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pp.246-251
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2003
We report the theory of thin-sample Z -scan for materials, viz. diffusion-dominated photorefractives, having a nonlinearly induced phase that may be proportional to the spatial derivative of the intensity profile. The on-axis far-field intensity is approximately an even function of the scan distance on different positive and negative values for phase shift $\Delta$$\Phi$$_{o}$. In case of positive phase shift, the Z -scan graph shows a minimum and two maxima, while for the negative value, only one minimum is observed. The fact is that far-field beam profiles display beam distortion and shift of the peak as compared with Kerr-type or photovoltaic nonlinearities.s.
Kamino, T.;Yaguchi, T.;Ueki, Y.;Ohnish, T.;Umemura, K.;Asayama, K.
한국전자현미경학회:학술대회논문집
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2001.11a
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pp.18-22
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2001
A technique to characterize specific site of materials using a combination of a dedicated focused ion beam system(FIB), and Intermediate-voltage scanning transmission electron microscope(STEM) or transmission electron microscope(TEM) equipped with a scanning electron microscope(SEM) unit has been developed. The FIB system is used for preparation of electron transparent thin samples, while STEM or TEM is used for localization of a specific site to be milled in the FIB system. An FIB-STEM(TEM) compatible sample holder has been developed to facilitate thin sample preparation with high positional accuracy Positional accuracy of $0.1{\mu}m$ or better can be achieved by the technique. In addition, an FIB micro-sampling technique has been developed to extract a small sample directly from a bulk sample in a FIB system These newly developed techniques were applied for the analysis of specific failure in Si devices and also for characterization of a specific precipitate In a metal sample.
Two different window-structured $CuInGaSe_2$(CIGS) solar cells, i.e., CIGS/thin-CdS/ZnO:B(sample A) and CIGS/very thin-CdS/Zn(S/O)/ZnO:B(sample B), were prepared, and the diffusivity of Zn, Cd, S, and B atoms, respectively, in the CIGS, ZnO or Zn(S/O) layer was estimated by a theoretical fit to experimental secondary ion mass spectrometer data. Diffusivities of Zn, Cd, S, and B atoms in CIGS were $2.0{\times}10^{-13}(1.5{\times}10^{-13})$, $4.6{\times}10^{-13}(4.4{\times}10^{-13})$, $1.6{\times}10^{-13}(1.8{\times}10^{-13})$, and $1.2{\times}10^{-12}cm^2/s$ at 423K, respectively, where the values in parentheses were obtained from sample B and the others from sample A. The diffusivity of the B atom in a Zn(S/O) of sample B was $2.1{\times}10^{-14}cm^2/sec$. Moreover, the diffusivities of Cd and S atoms diffusing back into ZnO(sample A) or Zn(S/O)(sample A) layers were extremely low at 423K, and the estimated diffusion coefficients were $2.2{\times}10^{-15}cm^2/s$ for Cd and $3.0{\times}10^{-15}cm^2/s$ for S.
Transmission electron microscopy (TEM) is a powerful tool for analyzing a broad range of materials and provides localized information about the microstructure. However, the analysis results are strongly influenced by the quality of the thin foil specimen. Sample preparation for TEM analysis requires considerable skill, especially when the area of interest is small or the material of interest is difficult to thin because of its high hardness and its mechanical instability when thinned. This article selectively reviews recent advances in TEM sample preparation techniques using a tripod polisher. In particular, it introduces two typical types (fl at type and wedge type) of TEM sample preparation and the benefits and drawbacks of each method; finally, a method of making better samples for TEM analysis is suggested.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2013.05a
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pp.112-113
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2013
Thin CrAlMgSiN films, whose composition were 30.6Cr-11.1Al-7.3Mg-1.2Si-49.8N (at.%), were deposited on steel substrates in a cathodic arc plasma deposition system. They consisted of alternating crystalline Cr-N and AlMgSiN nanolayers. After oxidation at $800^{\circ}C$ for 200 h in air, a thin oxide layer formed by outward diffusion of Cr, Mg, Al, Fe, and N, and inward diffusion of O ions. Silicon ions were relatively immobile at $800^{\circ}C$. After oxidation at $900^{\circ}C$ for 10 h in air, a thin $Cr_2O_3$ layer containing dissolved ions of Al, Mg, Si, and Fe formed. Silicon ions became mobile at $900^{\circ}C$. After oxidation at $900^{\circ}C$ for 50 h in air, a thin $SiO_2-rich$ layer formed underneath the thin $Cr_2O_3$ layer. The film displayed good oxidation resistance. The main factor that decreased the oxidation resistance of the film was the outward diffusion and subsequent oxidation of Fe at the sample surface, particularly along the coated sample edge.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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