근접장의 특성과 근접장 마이크로파 현미경의 배경이론을 설명하였고 유전체 공진기 제작에 앞서 HFSS (high frequency structure simulator)를 이용한 모의 시뮬레이션을 기술하였다. 이것을 바탕으로 원통형 유전체 공진기를 제작하여 금속탐침과 결합한 근접장 마이크로파 현미경(near field scanning microwave microscope : NSMM)을 구성하였다. 제작한 유전체 공진기의 특성은 HFSS를 이용하여 모의 실험한 결과와 비교하였다 Tip의 기하학적 모양에 따른 공간분해능과 감도(sensitivity)를 연구하였고 contrast가 가장 좋은 hybrid tip을 개발하였다. 전도도가 서로 다른 금속시료에 따른 NSMM의 반사계수의 변화를 측정하였고 실험결과와 이론적 시료의 임피던스를 비교하였다. 마지막으로 유전체 공진기를 이용한 NSMM으로 공간 분해능이 $1{\mu}m$의 Cr과 NiFe 패턴의 이미지를 비접촉, 비파괴방법으로 얻었다.
본 논문에서는 나노 임프린트 기술을 이용한 폴리머 링 광공진기를 제안하고 구현하였다. 공진기 역할을 하는 링 도파로에서의 전파손실과 링 및 버스 도파로 간의 광파워 결합계수를 빔전파방법을 도입하여 계산하였으며, 또한 전달 매트릭스 방법을 도입하여 이들이 소자에 미치는 영향을 분석하고 소자를 설계하였다. 특히, smoothing buffor layer를 갖는 임프린트용 스탬프를 도입하여 다음과 같은 성과를 얻을 수 있었다. 먼저 식각공정으로 얻어진 스탬프 상의 도파로 패턴의 측면 거칠기를 링 도파로의 산란손실을 개선함으로써 Q값을 획기적으로 향상시켰다. 또한, 결합영역에서 버스와 링 도파로 간의 간격을 기존 lithography 공정에서는 불가능하였던 $0.2{\mu}m$정도까지 효과적으로 줄이고 제어함으로써 링과 도파로 간의 광파워 결합을 정밀하게 조절할 수 있게 되었다. 제작된 소자의 성능을 살펴보면, 링 반경이 $200{\mu}m$인 경우에 대해 1550 nm 파장 대역에서 Q값은 ~103800이고, 소멸비는 ~11 dB, free spectral range는 1.16 nm였다.
초고주파 대역에서 사용하는 소자들은 기생성분으로 인하여 주파수가 증가함에 따라 이득이 감소한다. 이러한 특성을 보상하기 위해 전자전과 같은 광대역 시스템에서는 반대의 기울기를 갖는 선형 이득 등화기가 필요하다. 본 논문에서는 18~40GHz 대역에서 사용할 수 있는 선형 이득 등화기를 설계하고 제작하였다. 설계와 제작의 오차를 줄이기 위하여 회로설계와 모멘텀 설계를 진행하였다. 구현 주파수 대역 내에서 가능한 기생성분을 최소화하기 위해 thin film 공정을 사용하였으며, 박막저항의 길이에 의한 파장 변화를 최소화하기 위해 100 ohm/square의 sheet resistance로 설계하였다. 본 선형 이득 등화기는 직렬 마이크로스트립 라인에 사분의 일 파장을 갖는 공진기를 저항으로 결합하는 구조이다. 모두 3개의 1/4 파장의 Short 공진기를 사용하였다. 제작된 선형 이득 등화기는 40GHz에서 -5dB 이상의 손실을 가졌으며, 18 ~ 40 GHz 대역에서 6dB 기울기를 나타내었다. 제작된 이득 등화기를 전자전 수신기와 같은 광대역 MMIC들이 다단으로 연결된 장치 내부에 사용한다면 주파수가 증가에 따른 이득 평탄도 악화를 감소시킬 수 있을 것이다.
This paper describes the influence of a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer on the surface acoustic wave (SAW) properties of poly aluminum nitride (AlN) thin films by comparing the center frequency, insertion loss, the electromechanical coupling coefficient ($k^2$), andthetemperaturecoefficientoffrequency(TCF) of an IDT/AlN/3C-SiC structure with those of an IDT/AlN/Si structure, The poly-AlN thin films with an (0002)-preferred orientation were deposited on a silicon (Si) substrate using a pulsed reactive magnetron sputtering system. Results show that the insertion loss (21.92 dB) and TCF (-18 ppm/$^{\circ}C$) of the IDT/AlN/3C-SiC structure were improved by a closely matched coefficient of thermal expansion (CTE) and small lattice mismatch (1 %) between the AlN and 3C-SiC. However, a drawback is that the $k^2(0.79%)$ and SAW velocity(5020m/s) of the AlN/3C-SiC SAW device were reduced by appearing in some non-(0002)AlN planes such as the (10 $\bar{1}$ 2) and (10 $\bar{1}$ 3) AlN planes in the AlN/SiC film. Although disadvantages were shown to exist, the use of the AlN/3C-SiC structure for SAW applications at high temperatures is possible. The characteristics of the AlN thin films were also evaluated using FT-IR spectra, XRD, and AFM images.
직류 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착압력과 기판온도변화에 따른 텅스텐 박막의 미세구조 변화에 대하여 연구하였다. 기판온도 40$0^{\circ}C$에서 증착 압력의 감소에 따라 텅스텐 박막의 미세구조가 zone I에서 zone T로 변화하였다. 텅스텐 박막의 미세구조 비저항과 결정배향성은 상관관계를 보였으며. 미세구조가 zone T 영역에서 낮은 비저항(10$\times$$10^{-6}$$\Omega$-cm) 과 99%의 (110)면 우선 배향성을 나타내었다. zone T 영역에 해당하는 미세구조를 지니는 텅스텐 박막을 이용한 박막형 공진기는 텅스텐 박막의 높은 탄성저항과 매끈한 표면으로 인해 494의 $Q_{s}$와 5.50%의 $K_{eff}$$^{2}$ 값의 우수한 공진특성을 보였다....
본 논문에서는 2 GHz 대역의 격자형 및 평형 구조를 가지는 박막공진 여파기를 설계, 제작하고 분석하였다. 단위공진자의 앞전물질은 AIN를 사용하였고, 전극도체로는 백금을 사용하였으며, 하부도체와 기판사이에 공기층이 있는 구조로 제작되었다. 제작된 여파기들은 크기가 작고 낮은 삽입손실과 격자형의 경우 약 15 dB, 평형 구조의 경우 약 30 dB 정도의 선택도를 가진다. 격자형 및 평형 구조는 사다리형 구조와 같이 실리콘 기판위에 제작되었으며, 사다리형 구조에 비해 넓은 대역폭을 가지며 평형구조의 경우 이외의 튜닝과정 없이 RF 여파기로 사용될 수 있다.
본 논문에서는 박막공진기에 대한 새로운 모델링 기법을 제안하고, 등가회로를 이루고 있는 각 수동소자들 값에 대한 정확한 공식을 소개하였다. 제안된 새로운 모델은 박막공진기의 물리적 수직 구조 특성을 잘 표현하고 있는 Mason모델에 대해 유전체 손실을 표현할 수 있는 저항 성분을 추가한 뒤, 임피던스 특성을 기반으로 한 단순화 과정을 통해 유도되었다. 제안된 모델은 기존의 Modified Butterworth-Van Dyke(MBVD) 모델과 비슷한 형태로 표현되지만 최적화 변수가 3개에 불과하기 때문에 측정값에 대한 훨씬 정확하고 빠른 커브 피팅(curve fitting)을 수행 할 수 있으며, 공진주파수나 반공진주파수와 같은 설계자의 의도를 반영 할 수 있는 변수들로 구성되기 때문에 여파기나 전압제어 발진기 등을 설계하는데 있어서 편리하게 이용될 수 있다.
In material processing, a laser system with optimal laser parameters has been considered to be significant. Especially, the laser scribing technology is thought to be very important for fabricating DSSC(Dye sensitized solar eel!) modules with good quality. Moreover, the $TEM_{00}$ mode laser beam is the most dominant factor to decide the IPCE(Incident photon to current conversion efficiency) characteristics. In order to get the $TEM_{00}$ mode, a pin-hole is inserted within a simple pulsed Nd:YAG laser resonator. And the spatial field distribution is measured by using three size pin-hole diameters of 2.0, 6.0mm respectively. At that moment, each case has the same laser beam energy by adjusting the discharge voltage and pps(pulse per second). From those results, it is known that the pin-hole size of 2.0mm has the perfect $TEM_{00}$ mode. In addition, at the charging voltage of 1000V, 10pps and the feeding speed of 1.11mm/sec, the SEM photo of FTO(Fluorine-doped tin oxide) thin film layers shows the best scribing trace.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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