• Title/Summary/Keyword: thin beam

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Photoluminescence Studies of ZnO Thin Films on Porous Silicon Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

  • Kim, Min-Su;Nam, Gi-Woong;Kim, So-A-Ram;Lee, Dong-Yul;Kim, Jin-Soo;Kim, Jong-Su;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.310-310
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    • 2012
  • ZnO thin films were grown on porous silicon (PS) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). The optical properties of the ZnO thin films grown on PS were studied using room-temperature, low-temperature, and temperature-dependent photoluminescence (PL). The full width at half maximum (FWHM) of the near-band-edge emission (NBE) from the ZnO thin films was 98 meV, which was much smaller than that of ZnO thin films grown on a Si substrate. This value was even smaller than that of ZnO thin films grown on a sapphire substrate. The Huang-Rhys factor S associated with the free exciton (FX) emission from the ZnO thin films was found to be 0.124. The Eg(0) value obtained from the fitting was 3.37 eV, with ${\alpha}=3.3{\times}10^{-2}eV/K$ and ${\beta}=8.6{\times}10^3K$. The low- and high-temperature activation energies were 9 and 28 meV, respectively. The exciton radiative lifetime of the ZnO thin films showed a non-linear behavior, which was established using a quadratic equation.

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산소 중성빔으로 보조증착된 MgO 보호막을 갖는 AC PDP의 특성에 관한 연구 (A Study on the MgO Protective Layer Deposited by Oxygen-Neutral-Beam-Assisted Deposition in AC PDP)

  • 이조휘;권상직
    • 한국진공학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.96-101
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    • 2008
  • MgO는 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel, PDP)의 보호막으로 널리 쓰이고 있다. 기존의 산소 이온빔 보조 증착(Ion-Beam-Assisted Deposition, IBAD) 방법을 이용하여 MgO 보호막을 형성시킨 경우 이온빔의 충전에 의해 야기되는 아크(Arc) 문제 등이 있었다. 이 문제점을 해결하기 위하여, 산소 중성빔 보조증착(Neutral-Beam-Assisted Deposition, NBAD) 방법을 이용하여 MgO를 증착하였다. 그리고 산소 중성빔의 에너지를 변화시킴에 따라 MgO 보호막의 특성과 PDP 패널 방전 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 이에 따른 실험 결과로부터 산소 중성빔 에너지가 300eV일 때, 최소 방전 개시 전압, 최고 발광 휘도 및 최고 발광 효율을 얻을 수 있었다.

Phase Stability of Bi-2212 and Bi-2223 Thin Films Prepared by IBS Technique

  • Yang, Sung-Ho;Park, Yong-Pil
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제2권1호
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    • pp.12-15
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    • 2001
  • Bi-2212 and Bi-2223 thin films are prepared by IBS(ion beam sputtering) technique. Three phases of Bi-2201, Bi-2212 and Bi-2223 appear as stable ones in spite of the conditions for thin film fabrication of Bi-2212 and Bi-2223 compositions, depending on substrate temperature (T $_{sub}$) and ozone pressure(PO$_3$). It is found out that these phases are limited within very narrow temperature.e.

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Automatic analysis of thin-walled laminated composite sections

  • Prokic, A.;Lukic, D.;Ladjinovic, Dj.
    • Steel and Composite Structures
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    • 제16권3호
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    • pp.233-252
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    • 2014
  • In this paper a computer program is developed for the determination of geometrical and material properties of composite thin-walled beams with arbitrary open cross-section and any arbitrary laminate stacking sequence. Theory of thin-walled composite beams is based on assumptions consistent with the Vlasov's beam theory and classical lamination theory. The program is written in Fortran 77. Some numerical examples are given, with complete information about input and output.

회전하는 복합재-VEM 박판보의 GHM 기법을 이용한 진동해석 (The Vibration Analysis of Composite-VEM Thin-Walled Rotating Beam Using GHM Methodology)

  • 박재용;나성수
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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    • 한국소음진동공학회 2004년도 춘계학술대회논문집
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    • pp.337-341
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    • 2004
  • This paper concerns the analytical modeling and dynamic analysis of advanced rotating blade structure implemented by a dual approach based on structural tailoring and viscoelastic materials technology. Whereas structural tailoring uses the directionality properties of advanced composite materials, the passive materials technology exploits the damping capabilities of viscoelastic material(VEM) embedded into the host structure. The structure is modeled as a composite thin-walled beam incorporating a number of nonclassical features such as transverse shear, warping restraint, anisotropy of constituent materials, and warping and rotary inertias. The VEM layer damping treatment is modeled by using the Golla-Mushes-McTavish(GHM) method, which is employed to account for the frequency-dependent characteristic o the VEM. The displayed numerical results provide a comprehensive picture of the synergistic implications of the application of both techniques, namely, the tailoring and damping technology on vibration response of thin-walled beam structure exposed to external time-dependent excitations.

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Ion Beam Assisted Deposition System의 제작 및 자동화

  • 손영호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.27-27
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    • 1998
  • 진공기술의 응용과 진공환경의 이용은 더 이상 논하지 않더라도 산업 전반에 그 충요성이 점점 더 커가고 있다. 이러한 여건에도 불구하고 진공율 이용하는 system 개밟의 국산화는 수 입하는 system으$\mid$ 수에 비하여 절대적으로 부족하며, 또한 개발하는 system의 자동화는 거의 이 루어지지 않고 있으며, 자동화된 진공판련 system은 거의 대부분 수입에 의흔하고 있다. 실험 실 규모에서부터 System올 하나하나 개밭하고, 이톨 자동화하는 노력과 일이 진행됨다면 산업 응용에 있어서도 자연스럽게 자동화된 system으$\mid$ 개발이 이루어 질 것이다 .. system 자동화는 상 품수명의 단축과 이에 따른 다품종 소량을 요구하는 시장수요에 대응하고, 인력절감과 고풀짙 화로 생산성 향상의 요구에 대응하기 위하여 필요하다. 본 연 구에 서 는 e-beam evaporator로 evaporation하면 서 ion beam으로 assist하여 thin film율 제 작하는 IBAD vacuum system율 싫 계 및 제 작하고[1,2], PLC[3,떼톨 이 용하여 system 자동화톨 하였다 .. thin film 제작 process는 먼저 기본 진공상태로 만뚫고 난 뒤, e-beam evaporator로 e evaporation하면서 ion beam source로 assist하여 substrate 011 thin film율 제조한다 226;. thin film올 제 조하면서 thickness monitor로 sample의 thickness rate톨 control 하고, sample의 균얼성과 밀착 성을 고려하여 substrate톨 rotation 및 heating 할 수 있도록 싫계, 제작하였다. 양질의 박막올 제조하기 위해서 진공환경이 좋은 상태로 제공되어야 한다. 이톨 위하여 oil free operation 0 I 가 능한 dry pump와 turbo molecular pump로 고진공 배기 하였다. 진공도의 흑점은 thermal effect 툴 고려하여 cold cathode ion gauge률 사용하였고, intro chamber와 main chamber 사이에는 g gate valve톨 설치하여 벌도로 운용되도록 하였다. 이러한 process를 박막의 두께, 진공도, 시 간, 온도, 공정 동의 조건올 기훈으로 자동화한 것이다. 또한 정전과 단수에 대한 interlock 기능 도 고려하였다.하였다.

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Homeotropic Alignment Effect for Nematic Liquid Crystal on the SiOx Thin Film Layer by New Ion Beam Exposure

  • Han, Jeong-Min;Choi, Sung-Ho;Kim, Byoung-Yong;Han, Jin-Woo;Hwang, Jeoung-Yeon;Ok, Chul-Ho;Seo, Dae-Shik
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제7권6호
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    • pp.293-296
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    • 2006
  • We studied homeotropic alignment effect for a nematic liquid crystal (NLC) on the $SiO_{x}$ thin film irradiated by the new ion beam method. $SiO_{x}$ thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and were treated by the DuoPIGatron ion source. A uniform liquid crystal alignment effect was achieved over 2100 eV ion beam energy. Tilt angle were about $90^{\circ}$ and were not affected by various ion beam energy.

Liquid Crystal Alignment on the SiC Thin Film by the Ion Beam Exposure Method

  • Park, Chang-Joon;Hwang, Jeoung-Yeon;Kang, Hyung-Ku;Kim, Young-Hwan;Seo, Dae-Shik;Ahn, Han-Jin;Kim, Kyung-Chan;Kim, Jong-Bok;Baik, Hong-Koo
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제6권1호
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    • pp.22-24
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    • 2005
  • We studied the nematic liquid crystal (NLC) aligning capabilities using the new alignment material of the SiC (Silicon Carbide) thin film. The SiC thin film exhibits good chemical and thermal stability. The good thermal and chemical stability makes SiC an attractive candidate for electronic applications. A vertical alignment of nematic liquid crystal by ion beam exposure on the SiC thin film surface was achieved. The about $87{\circ}$ of stable pretilt angle was achieved at the range from $30{\circ}$ to $45{\circ}$ of incident angle. The good LC alignment is maintained by the ion beam alignment method on the SiC thin film surface at high annealing temperatures up to $300{\circ}C$.

DPSS Laser에 의한 AsGeSeS,Ag/AsGeSeS 와 AsGeSeS/Ag/AsGeSeS 박막의 홀로그래픽 데이터 격자형성 (Holographic Data Grating Formation of AsGeSeS Single layer, Ag/AsGeSeS double layer And AsGeSeS/Ag/AsGeSeS Muti-layer Thin Films with the DPSS Laser)

  • 구용운;구상모;조원주;정홍배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.55-56
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    • 2006
  • We investigated the diffraction grating efficiency by the DPSS laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on AsGeSeS & Ag/ AsGeSeS thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS(532nm)(P:P)polarized laser beam on AsGeSeS, Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/Ag/AsGeSeS thin films. As a result, for the laser beam intensity, 0.24 mW, single AsGeSeS thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for 2.4 mW, it was recorded with the fastest speed of 50 s, which the diffraction grating forming speed is faster than that of 0.24 mW beam. Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/ Ag/ AsGeSeS multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at 2.4 mW and higher value of diffraction efficiency at 0.24 mW.

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비등방성 얇은 곡선보 및 두꺼운 곡선보의 해석연구 (A Study on the Analysis of Anisotropic Curved Thin Beams and Anisotropic Curved Thick Beams)

  • 박원태
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.116-120
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    • 2007
  • 본 연구에서는 비등방성 두꺼운 곡선보와 얇은 곡선보의 휨문제에 대한 해석결과를 제시하였다. 비등방성 재료는 재료의 성질이 각 방향으로 다르기 때문에 거동이 복잡하여 해석해를 구하기가 어렵다. 따라서 비등방성 두꺼운 보의 미분방정식의 해를 구하기 위해 본 연구에서는 수치해석법인 유한요소법이 사용되었으며, 비등방성 두꺼운 곡선보와 얇은 곡선보의 휨문제에 대한 해석을 위해 두꺼운 보이론과 얇은 보이론이 사용되며, 비등방성 두꺼운 곡선보와 얇은 곡선보의 휨문제에 대한 해석결과를 비교 검토하였다.

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