The liquid crystal (LC) aligning capabilities treated on the Organic overcoat thin film surfaces by ion beam irradiation and rubbing method was successfully studied for the first time. The Organic overcoat layer was coated by spin-coating. In order to characterize the LC alignment, the microscope, pretilt angle, thermal stress, and atomic force microscopy (AFM) image was used. The good LC aligning capabilities treated on the Organic overcoat thin film surfaces with ion beam exposure of $45^{\circ}$ above ion beam energy density of 1200 eV can be achieved. But, the alignment of defect of NLC on the Organicovercoat surface at low energy density of 600 eV was measured. The pretilt angle of NLC on the Organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 min at energy density of 1800eV was measured about 1.13 degree. But, low pretilt angles of NLC on the Organic overcoat thin film surface with ion beam exposure at energy density of 600, 1200, 2400, and 3000 eV was measured. Also, the pretilt angle of NLC on the rubbed Organic overcoat thin film surfaces was measured about 0.04 degrees. Finally, the good thermal stability of LC alignment on the Organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 min can be measured.
Laser thin film process with a Q-switch pulsed YAG laser was performed for micro machining. In this research, we performed basic Cr thin film on glass substrates removal machining experiments. Form experiments, it happens not only evaporration of thin film but also spatter and cohesion of melting substance in working region, when machining a Cr thin film by Q-switch YAG laser beam irradiation. Critical energy of surface irradiation type by irradiation direction of laser in a face composing thin film on the glass is higher than that of back irradiation type, but the latter is favorable because of spatter appearance. In case of image formation position when laser beam is irradiated, the defocus is permitted to a certain extent within forcus depth. Ifexceeds focus depth, formation of pattern is vanishing step by step.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.806-809
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2003
Ion-induced secondary electron emission coefficient $({\gamma})$. of the patterned MgO thin film with geometrical structures has been measured by ${\gamma}$ - FIB(focused ion beam) system. The patterned MgO thin film with geometrical structures has been formed by the mask (mesh of ${\sim}$$10{\mu}m^{2})$ under electron beam evaporation method. It is found that the higher ${\gamma}$. has been achieved by the patterned MgO thin film than the normal ones without patterning.
MgO layer plays an important role for plasma display panels (PDPs). In this experiment, ion beam assisted deposition (IBAD) methode was uesed to deposit a MgO thin film and the assisting oxygen ion beam energy was varied from 100 eV to 500 eV. In order to investigate the relationship between the secondary electron emission and the defect levels of the MgO layer, we measured the cathodoluminescence (CL) spectra of the MgO thin films, and we analyzed the CL peak intensity and peak transition. The results showed that the assisting ion beam energy played an important role in the peak intensity and the peak transition of the CL spectrum. The properties of MgO thin film were also analyzed using XRD and SEM, these results showed the assisting ion beam energy had direct effect on characteristics of MgO thin film.
The InAs thin films were grown on GaAs(100) substrate with $2^{\circ}C$ tilted toward [$0\bar{1}\bar{1}$] with different As beam equivalent pressure (BEP) by using molecular beam epitaxy. Growth temperature and thickness of the InAs thin films were $480^{\circ}C$ and 0.5 ${\mu}m$, respectively. We studied the relation between the As BEP and the properties of InAs thin films. The properties of InAs thin films were observed by reflection high-energy electron diffraction (RHEED), optical microscope, and Hall effect. The growth, monitored by RHEED, was produced through an initial 2D (2-dimensional) nucleation mode which was followed by a period of 3D (3-dimensional) island growth mode. Then, the 2D growth recovered after a few minutes and the streak RHEED pattern remained clear till the end of growth. The crystal quality of InAs thin films is dependent strongly on the As BEP. When the As BEP is $3.6{\times}10^{-6}$ Torr, the InAs thin film has a high electron mobility of 10,952 $cm^2/Vs$ at room temperature.
Electro-Optical (EO) performances for the ion beam (IB) aligned twisted-nematic (TN)-liquid crystal display (LCD) with ion beam exposure on the new of diamond like carbon (DLC) thin film surface were investigated. Voltage-transmittance (V-T) curve and response time without backflow bounce in the ion beam aligned TN-LCD with ion beam exposure for 0.5 and 1min on the DLC thin film was observed. Also. the fast response time of ion beam aligned TN-LCD with ion beam exposure for 1min on the DLC thin film surface can be achieved. The residual DC voltage of the ion beam aligned TN-LCD on the DLC thin film surface was almost the same as that of the rubbing aligned TN-LCD on the polyimide(PI) surface.
The nitrogenated diamond-like carbon (NDLC) exhibits high electrical resistivity and thermal conductivity that are similar to the properties shown by diamond-like carbon (DLC) films. These diamond-like transparent properties in NDLC come in a material consisting of $sp^2$-bonded carbon versus the $sp^3$-carbon of DLC. The diamond-like properties and nondiamond-like bonding make NDLC an attractive candidate for applications. Liquid crystal (LC) alignment capabilities with ion beam exposure on NDLC thin films and electro-optical (EO) performances of the ion-beam-aligned twisted nematic liquid crystal display (TN-LCD) with oblique ion beam exposure on the NDLC thin film surface were studied. An excellent uniform alignment of the nematic liquid crystal (NLC) alignment with the ion beam exposure on the NDLC thin films was observed. In addition, it can be achieved that the good EO properties of the ion-beam-aligned TN-LCD. Finally, we will present the residual DC property of the ion-beam-aligned TN-LCD on the NDLC thin film surface.
International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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제14권1호
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pp.19-29
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2013
This paper deals with the study of buckling, vibration, and parametric instability characteristics in a damaged cross-ply and angle-ply laminated plate like beam under in-plane harmonic loading, using the finite element approach. Damage is modelled using an anisotropic damage formulation, based on the concept of reduction in stiffness. The effect of damage on free vibration and buckling characteristics of a thin plate like beam has been studied. It has been observed that damage shows a strong orthogonality and in general deteriorates the static and dynamic characteristics. For the harmonic type of loading, analysis was carried out on a thin plate like beam by solving the governing differential equation which is of Mathieu-Hill type, using the method of multiple scales (MMS). The effects of damage and its location on dynamic stability characteristics have been presented. The results indicate that, compared to the undamaged plate like beam, heavily damaged beams show steeper deviations in simple and combination resonance characteristics.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.802-805
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2003
The ion-induced secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ for MgO thin film with $O_{2}$ plasma treatment has been investigated by ${\gamma}$-FIB (focused ion beam) system. The MgO thin film deposited from sintered material with $O_2$ plasma treatment is found to have higher ${\gamma}$ than that without $O_{2}$ plasma treatment. The energy of $Ne^{+}$ ions used has been ranged from 100eV to 200eV throughout this experiment. It is found that the highest secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ has been achieved for 10 minutes of $O_{2}$ plasma treatment.
본 연구에서는 일축대칭 단면을 갖는 박벽 원형곡선보의 자유진동해석을 수행할 수 있는 유한요소 이론 및 엄밀해를 제시하기 위하여, 가상일의 원리를 이용한 3차원 연속체? 운동방정식을 제시한다. 박벽단면의 구속된 비틂(restrained warping)효과를 고려하는 곡선보의 운동방정식을 얻는다. 단순지지되고 일축대칭 단면을 갖는 박벽 곡선보의 면외 고유진동에 대한 엄밀해를 제시하고 박벽 곡선보를 유한요소로 분할하여 요소의 변위장을 요소 변위벡터에 관한 3차의 Hermitian 다항식으로 나타내어 운동방정식에 대입함으로써 탄성강도행렬과 질량행렬을 유도한다. 또한 본 연구에서 얻어진 엄밀해와 박벽 곡선보요소를 이용한 유한요소 해석결과를 직선박벽보요소를 이용한 해석결과와 비교 검토를 함으로써 본 연구의 타당성을 입증한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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