Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.17
no.3
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pp.71-77
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2010
Mg alloys have been used in automobile industry, aerospace, mobile phone and computer parts owing to low density. However, they have a restricted application because of low mechanical and poor corrosion properties. Thus, improved surface treatments are required to produce protective films. Environmental friendly Plasma Electrolytic Oxidation(PEO) was used to produce protective films on magnesium alloys. PEO process is combined electrochemical oxidation with plasma treatment in the aqueous solution. In this study, the effects of applied voltage and applied current on the surface morphologies were investigated. Also, the effects of Direct Current(DC) and Pulse Current(PC) were compared. PC and constant current control gave the dense coating on the Mg alloy. The potentiodynamic polarization tests were carried out for the analysis of corrosion properties of specimens. The surface hardness was 5 times higher than that of untreated AZ91D.
Kumar, Ajeet;Yoon, Jang Yuel;Thakre, Atul;Peddigari, Mahesh;Jeong, Dae-Yong;Kong, Young-Min;Ryu, Jungho
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.56
no.4
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pp.412-420
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2019
In this study, the dielectric and polarization properties of manganese (Mn% = 0.0, 0.1, 0.2, 0.5) doped (Pb0.93La0.07)(Zr0.82Ti0.18)O3 (PLZT 7/82/18) anti-ferroelectric ceramics were studied for energy storage capacitor and pyroelectric applications. A systematic investigation demonstrated that the electric properties of PLZT 7/82/18 ceramics are affected significantly by the Mn-doping content. A maximum dielectric constant of ~ 2,128 at 1 kHz was found for 0.1% Mn-doped PLZT ceramics with a low dielectric loss of 0.018. The bipolar polarization versus electric field (P-E) hysteresis loops were traced for all compositions showing a typical anti-ferroelectric nature. The breakdown field was found to decrease with Mn-doping. The energy storage density and efficiency were found to be 460 J/㎤ and ~ 63%, respectively, for 0.2% Mn-doped PLZT ceramics. The pyroelectric coefficient of PLZT ceramics shows an increase based on the amount of Mn-doping.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.25
no.4
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pp.160-165
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2015
Lead-free piezoelectric materials have been actively studied to substitute for conventional PZT based solid solution, $Pb(Zr_xTi_{1-x}O_3)$, which occurs unavoidable PbO during the sintering process. Among them, Bismuth Sodium Titanate, $Na_{0.5}Bi_{0.5}TiO_3$ (abbreviated as NBT) based solid solution is attracted for the one of excellent candidates which shows the strong ferroelectricity, Curie temperature (Tc), remnant polarization (Pr) and coercive field (Ec). Especially, the solid solution of rhombohedral phase NBT with tetragonal perovskite phase has a rhombohedral - tetragonal morphotropic phase boundary. Modified NBT with tetragonal perovskite at the region of MPB can be applied for high frequency ultrasonic application because of not only its low permittivity, high electrocoupling factor and high mechanical strength, but also effective piezoelectric activity by poling. In this study, solid state ceramic processing of NBT and modified NBT, $(Na_{0.5}Bi_{0.5})_{0.93}Ba_{0.7}TiO_3$ (abbreviated as NBT-7BT), at the region of MPB using 7 % $BaTiO_3$ as a tetragonal perovskite was introduced and the structure between NBT and NBT-7BT were analyzed using rietveld refinement. Also, the ferroelectric and piezoelectric properties of NBT-7BT such as permittivity, piezoelectric constant, polarization hysteresis and strain hysteresis loop were compared with those of pure NBT.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.13
no.1
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pp.53-59
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1999
The ceramic capacitor was fabricated by $(Ba_{0.85}Ca_(0.15)TiO_3+ZnO$ + ZnO(from 0.1 to 0.4 mol ratio). The electrical and structural properties of ceramic capacitor for high voltage application was studied in this study. The relative rensity of ceramics capacitor has shown high in all specimen. The grain was a small size from $1.0[\mum]$ to $1.22[\mum]$ and it was increased with ZnO at 0.3 mol ratio. It was stabilized that the temperature coefficient of ceramic capacitor to change temperature had below 100[ppm] at 0.12~10[kHz]. The dielectric reIaxation time was decreased by interface polarization over $110[^{\circ}C]$ and it was increased by space polarization of paraelectric layer below $110[^{\circ}C]$. The insulating layer was increased with ZnO and dielectric constant to voltage was stabilized by 0.1[%].0.1[%].
Akram, Fazli;Malik, Rizwan Ahmed;Lee, Soonil;Pasha, Riffat Asim;Kim, Myong Ho
Korean Journal of Materials Research
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v.28
no.9
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pp.489-494
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2018
Lead free $(1-x)(0.675BiFeO_3-0.325BaTiO_3)-xLiTaO_3$ (BFBTLT, x = 0, 0.01, 0.02, and 0.03, with 0.6 mol% $MnO_2$ and 0.4 mol% CuO) were prepared by a solid state reaction method, followed by air quenching and their crystalline phase, morphology, dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties were explored. An X-ray diffraction study indicates that lithium (Li) and tantalum (Ta) were fully incorporated in the BFBT materials with the absence of any secondary phases. Dense ceramic samples (> 92 %) with a wide range of grain sizes from $3.70{\mu}m$ to $1.82{\mu}m$ were obtained in the selected compositions ($0{\leq}x{\leq}0.03$) of BFBTLT system. The maximum temperatures ($T_{max}$) were mostly higher than $420^{\circ}C$ in the studied composition range. The maximum values of maximum polarization ($P_{max}{\approx}31.01{\mu}C/cm^2$), remnant polarization ($P_{rem}{\approx}22.82{\mu}C/cm^2$) and static piezoelectric constant ($d_{33}{\approx}145pC/N$) were obtained at BFBT-0.01LT composition with 0.6 mol% $MnO_2$ and 0.4 mol% CuO. This study demonstrates that the high $T_{max}$ and $d_{33}$ for BFBTLT ceramics are favorable for industrial applications.
Kim, Jong-Guk;Kim, Sang-Su;Choe, Eun-Gyeong;Kim, Jin-Heung;Song, Tae-Gwon;Kim, In-Seong
Korean Journal of Materials Research
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v.11
no.11
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pp.960-964
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2001
$Bi_{3.99}Ti_{2.97}V_{0.03}O_{12}$ (BTV) thin films with 3 mol% vanadium doping were Prepared on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by sol-gel method. X-ray diffraction analysis indicated that single-phase layered perovskite were obtained and preferred orientation was not observed. Under the annealing temperature at $600^{\circ}C$, the surface morphology of the BTV thin films had fine-rounded particles and then changed plate-like at $650^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$. The remanent polarization $(2P_r)$ and coercive field $(2E_c)$ of $700^{\circ}C$ annealed BTV thin film were 25 $\mu$C/cm$^2$ and 116 kV/cm, respectively. In addition, BTV thin film showed little polarization fatigue during $10_9$ switching cycles. These improved ferroelectric properties were attributed to the increased rattling space and reduced oxygen vacancies by substitution $Ti^{4+}$ ion (68 pm) with smaller $V^{5+}$ ion (59 pm). The dielectric constant and loss were measured 130 and 0.03 at 10 kHz, respectively.
Byeong-Jun Park;Ji-Su Yuk;Sam-Haeng Yi;Myung-Gyu Lee;Joo-Seok Park;Sung-Gap Lee
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.37
no.3
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pp.297-303
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2024
In this study, KTN heterolayer thin films were fabricated by alternately stacking films of K(Ta0.70Nb0.30)O3 and K(Ta0.55Nb0.45)O3 synthesized using the sol-gel method. The sintering temperature and time were 750℃ and 1 hour, respectively. All specimens exhibited a polycrystalline pseudo-cubic crystal structure, with a lattice constant of approximately 0.398 nm. The average grain size was around 130~150 nm, indicating relatively uniform sizes regardless of the number of coatings. The average thickness of a single-coated film was approximately 70 nm. The phase transition temperature of the KTN heterolayer films was found to be approximately 8~12℃. Moreover, the 6-coated KTN heterolayer film displayed an excellent dielectric constant of about 11,000. As the number of coatings increased, and consequently the film thickness, the remanent polarization increased, while the coercive field decreased. The 6-coated KTN heterolayer film exhibited a remanent polarization and coercive field of 11.4 μC/cm2 and 69.3 kV/cm at room temperature, respectively. ΔT showed the highest value at a temperature slightly above the Curie temperature, and for the 6-coated KTN heterolayer film, the ΔT and ΔT/ΔE were approximately 1.93 K and 0.128×10-6 K·m/V around 40℃, respectively.
An optical current sensor device that measures electric current by the principle of the Faraday effect was designed and fabricated. The polarization-rotated reflection interferometer and the quadrature phase interferometer were introduced so as to improve the operational stability. Complex structures containing diverse optical components were integrated in a polymeric optical integrated circuit and manufactured in a small size. This structure allows sensing operation without extra bias feedback control, and reduces the phase change due to environmental temperature changes and vibration. However, the Verdet constant, which determines the Faraday effect, still exhibits an inherent temperature dependence. In this work, we tried to eliminate the residual temperature dependence of the optical current sensor based on polarization-rotated reflection interferometry. By varying the length of the fiber-optic wave plate, which is one of the optical components of the interferometer, we could compensate for the temperature dependence of the Verdet constant. The proposed optical current sensor exhibited measurement errors maintained within 0.2% over a temperature range, from 25℃ to 85℃.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.34
no.6
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pp.442-448
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2021
In this work, the (K1-xAgx)(Ta0.8Nb0.2)O3 (x=0.1-0.4) ceramics were fabricated using mixed-oxide method, and their structural and electrical properties were measured. All specimens represented a pseudo cubic structure with the lattice constant of 0.3989 nm. When 0.4 mol of Ag was added, second phases induced from metallic Ag and K2(Ta,Nb)6O16 phase were observed. Dielectric constant and dielectric loss of K(Ta0.8Nb0.2)O3 specimen doped with 0.3 mol of Ag were 2,737 and 0.446, respectively. The curie temperature was about -5℃, which does not change with Ag addition. The remanent polarization began to decrease sharply around 12~15℃, and the temperature at which the remanent polarization began to decrease as the applied voltage increased shifted to the high temperature side. The electrocaloric effect (ΔT) and electrocaloric efficiency (ΔT/ΔE) of the (K0.7Ag0.3)(Ta0.8Nb0.2)O3 ceramics were 0.01024℃ and 0.01825 KmV-1, respectively.
The performance of polymer electrolyte membrane fuel cell could be decreased due to coolant leaked from connection part. Micro pump was used to put small amount of coolant and investigate the effect on fuel cell. The stoichiometric ratio of hydrogen/air was 1.5/2.0, both side of gas was fully humidified, and current density of $400mA/cm^2$ was used as standard condition in this experiment. Constant current method was used to check performance recovery from coolant effect in 3 cell stack. The performance was recovered when coolant was injected in cathode side. On the other hand, the performance was not recovered when coolant was injected in anode side. Ethylene glycol could be converted to CO in oxidation process and cause poisoning effect on platinum catalyst or be adhered on GDL and cause gas diffusion block effect resulting performance decrease. Water with nitrogen gas was supplied in anode side to check performance recovery. Polarization curve, cyclic voltammetry, electrochemical impedance spectroscopy was used to check performance, and gas chromatography was used to check coolant concentration. Constant current method was not enough in full recovery of performance. However, water injection method was proved good method in full recovery of performance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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