Buserties are known to have layer structures with variable C dimension which depended on the nature interlayer catious and contents of water molecular between edge-sharing [MnO6] octabedral layers. Na-, Ca-, Mg-, and Zn-buserties were synthesized in the laboratory and studied for to know the structural states of water molecules and the role of catious in the buserite structures. With lowering the relative humidity(RH), Ca-buserite begins to dehydrate at 27% RH and proceeds further very slowly. Mg- and Zn- buserite also slow dehydration above 2% RH. With gradual ineveasing temperature Ca- and Zn-buserite show abrupt shifting of 10$\AA$ peak (10$\AA$-phare) toward 7$\AA$ peak. All of 7$\AA$-phare are further dehydrated to 5$\AA$-phare by further increasing temperature. It suggests that interlayer catious play a crucial role in the dehydration behavious of buserites. Simulation of one-dimensional X-ray diffraction patterns of buserties show that buserites have three layers of water molecules of different types: the very loosely bound and tightly bend waters, instead of two layers that was regarded by previous authers. The very loosely bound water is sited I open space of the interlayer, the loosely bound water is bound on the tightly bound water by hydrogen bond, and the tightly bond water in coodinately bound on the interlayer catious.
It has been shown that the initial conditions of bacterial cultivation are extremely important for the successful production of hyaluronic acid (HA) by fermentation. We investigated several parameters that affect cell growth rate and the productivity and molecular weight of hyaluronic acid--i.e., agitation speed, aeration rate, culture temperature, pH, and pressure--to determine how to optimize the production of HA by Streptococcus zooepidemicus on an industrial scale. Using a 30-1 jar fermentor under laboratory conditions, we achieved maximum HA productivity and biomass when the agitation speed and aeration rate were increased simultaneously. By shifting the temperature downward from 35$^{\circ}C$ to 32$^{\circ}C$ at key levels of cell growth during the fermentation process, we were able to obtain HA with a molecular weight of $2.8{\times}10^6$ at a productivity of 5.3 g/l. Moreover, we reproduced these optimized conditions successfully in three 30-1 jar fermentors. By reproducing these conditions in a 3-$m^3$ fermentor, we were able to produce HA with a molecular weight of $2.9{\times}10^6$ at a productivity of 5.4 g/l under large-scale conditions.
We investigated the effect of ionic component on crystalline morphology development during isothermal annealing in a sodium neutralized sulfonated poly(ethylene terephthalate) ionomer (Ion-PET) by time-resolved small-angle x-ray scattering (TR-SAX S) using synchrotron radiation. At early stage in Ion-PET, SAXS intensity at a low annealing temperature (Ta = 120 $^{\circ}C)$ decreased monotonously with scattering angle for a while. Then SAXS profile showed a peak and the peak position progressively moved to wider angles with isothermal annealing time. Finally, the peak intensity decreased, shifting the peak angle to wider angle. It is revealed that ionic aggregates (multiplets structure) of several nm, calculated by Debye-Bueche plot, are formed at early stage. They seem to accelerate the crystallization rate and make fine crystallites without spherulite formation (supported by optical microscopy observation). From decrease of peak intensity in SAXS,it is suggested that new lamellae are inserted between the preformed lamellae so that the concentration of ionic multiplets in amorphous region decreases to lower the electron density difference between lamellar crystal and amorphous region. In addition, analysis on the annealing at a high temperature (Ta = 210 $^{\circ}C)$ by optical microscopy, light scattering and transmission electron microscopy shows a formation of spherulite, no ionic aggregates, the retarded crystallization rate and a high level of lamellar orientation.
Mitogen activated protein kinase (MAPK) are known to get activated during various stress signals and transduce the message from the cell membrane to the nucleus for appropriate cellular reorganization. Though, a certain basal activity of MAPK is often observed in the control plants. Prolonged exposure of rice plants to lowered or elevated temperature exhibited a rhythm in the activation of MAPKs. We analyzed existence of a possible endogenous rhythm in the activity of MAPKs in rice plants. The plants growing at constant temperature entrained in 16/8 h day-night cycle showed diurnal rhythm in activity. When the activation of MAPK was tested under continuous conditions by shifting plants to continuous darkness for a period of 72 h, the periodic rhythm persisted and followed a circadian pattern. Analysis of the transcripts of group A, B and C members of MAPKs under above conditions by quantitative real time PCR revealed that the members of group C exhibit periodic rhythm. Our data indicates that the MAP kinase activity in rice follows rhythmic expression in a circadian manner.
Lee, Chung Hyeon;Min, Juhee;Lee, Hyun-Gwan;Kim, Kwang Young
ALGAE
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v.36
no.4
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pp.285-298
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2021
The amount of CO2 absorbed by the oceans continues to rise, resulting in further acidification, altering some functional traits of phytoplankton. To understand the effect of elevated partial pressures of CO2 (pCO2) on functional traits of dinoflagellates Alexandrium affine and A. pacificum, the cardinal temperatures and chain formation extent were examined under two pCO2 (400 and 1,000 µatm) over the range of temperature expected to be associated with growth. The growth rate and chain formation extent of A. affine increased with higher pCO2, showing significant changes in cardinal temperatures and a substantial increase in middle chain-length (4-8 cells) fractionation under elevated pCO2 condition. By contrast, there were no significant differences in specific growth rate and any chain-length fractionation of A. pacificum between ambient and elevated pCO2 conditions. The observed interspecies variation in the functional traits may reflect differences in ability of species to respond to environmental change with plasticity. Moreover, it allows us to understand the shifting biogeography of marine phytoplankton and predict their phenology in the Korea Strait.
High-crystallinity poly(3-hexylthiophene) (P3HT) thin films were prepared by aging the precursor solutions, prepared using a good solvent, chloroform, at low temperatures prior to spin-casting. Lower solution temperatures significantly improved the molecular ordering in the spin-cast P3HT films and, therefore, the electrical properties of field-effect transistors prepared using these films. Solution cooling enhanced the electrical properties by shifting the P3HT configuration equilibrium away from random coils and toward more ordered aggregates. At room temperature, the P3HT molecules were completely solvated in chloroform and adopted a random coil conformation. Upon cooling, however, the chloroform poorly solvated the P3HT molecules, favoring the formation of ordered P3HT aggregates, which then yielded more highly crystalline molecular ordering in the P3HT thin films produced from the solution.
We have developed a modified gene replacement method using PCR products containing short homologous sequences of 40- to 50-nt. The method required $\lambda$-Red recombination functions provided under the control of a temperature-sensitive CI857 repressor expressed from the $P_{lac}$ promoter in the presence of IPTG on an easily curable helper plasmid. The method promoted the targeted gene replacements in the Escherichia coli chromosome after shifting cultures of the recombinogenic host, which carries the helper plasmid, to $42^{\circ}C$ for 15 min. Since this method employs $\lambda$-Red recombination functions expressed from the easily curable helper plasmid, multiple rounds of gene replacements in the E. coli chromosome would be possible. The procedures described herein are expected to be widely used for metabolic engineering of E. coli and other bacteria.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.4
no.4
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pp.26-29
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2003
To discover electrical properties of individual single wall nanotube(SWNT), a number of SWNT-based tubeFETs have been fabricated. The device consists of a single semiconducting SWNT on an insulating substrate, contacted at each end by metal electrodes. It presents high transconductances, and charge storage phenomenon, which is the operations of injecting electrons from the nanotube channel of a tubeFET into charge traps on the surface of the $SiO_2$ gate dielectric, thus shifting the threshold voltage. This phenomenon can be repeated many times, and maintained for the hundreds of seconds at room temperature. We will report this phenomenon as the memory effects of the SWNT, and attempt to use this property for the memory device.
Pentacene thin film transistors fabricated without photolithographic patterning were fabricated on the plastic substrates. Both the organic/inorganic thin films and metallic electrode were patterned by shifting the position of the shadow mask which accompanies the substrate throughout the deposition process. By using an optically transparent zirconium oxide ($ZrO_2$) as a gate insulator and octadecyltrimethoxysilane (OTMS) as an organic molecule for self-assembled monolayer (SAM) to increase the adhesion between the plastic substrate and gate insulator and the mobility with surface treatment, high-performance transistor with field effect mobility $.66\;cm^2$/V s and $I_{on}/I_{off}$>$10^5$ was formed on the plastic substrate. This technique will be applicable to all structure deposited at low temperature and suitable for an easy process for flexible display.
Diamond-like carbon(DLC) thin films with interlayer were deposited on silicon substrate using a reactive sputtering method. The thermal stability of the films was investigated by annealing the films for 1hr in air in the range of 100 to $500^{\circ}C$. The $I_D/I_G$ ratio increased with increasing temperature as related to the $sp^3-to-sp^2$transition. Accordingly, G-position shifting started from $150^{\circ}C$ in the DLC films and from $270^{\circ}C$ in the a-Si/DLC films. Moreover, in the case of the a-Si/DLC films the film still observed even after annealing at $500^{\circ}C$. The thermal stability of the reactive sputtered DLC films appeared to be improved by the a-Si interlayer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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