• 제목/요약/키워드: switching speed

검색결과 1,041건 처리시간 0.084초

신호 성상도 상의 신뢰구간을 활용한 하이브리드 오차 발생 알고리즘 (A Hybrid Error Generation Algorithm Using Confidence Intervals on Signal Constellation)

  • 오길남
    • 전자공학회논문지
    • /
    • 제51권11호
    • /
    • pp.19-25
    • /
    • 2014
  • 효과적인 블라인드 등화기 갱신을 위해, 등화 초기에 요구되는 빠른 수렴 속도와 정상상태에서 요구되는 낮은 오차 레벨을 만족하면서, 또한 등화 초기와 정상상태 간의 완만하면서도 가역적인 전환 특성을 가지는 적응 알고리즘을 제안한다. 제안 방법에서는 신호의 등화 상태를 구분하는 세 기준을 제시하고, 이 기준에 따라 세 오차 중 하나를 발생시키는 하이브리드 오차발생 알고리즘을 사용하여 등화기를 차등적으로 갱신한다. 이때 신호의 등화 상태를 판단하는 기준으로 신호 성상도 상의 신뢰구간을 이용하였으며, 등화기 출력이 놓이는 신뢰구간에 따라 오차를 다르게 발생시켜 등화기를 갱신함으로써 빠르게 그리고 낮은 오차 레벨에 수렴할 수 있음을 보였다. 제안 아이디어의 유용성을 검증하기 위해 모의실험을 통해 기존 방법의 성능과 비교하였다.

낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR) (4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR) for Low Forward Voltage drop)

  • 배동우;김광수
    • 전기전자학회논문지
    • /
    • 제21권1호
    • /
    • pp.73-76
    • /
    • 2017
  • 실리콘카바이드 소자는 넓은 밴드갭을 갖는 물질로서 많은 주목을 받아왔다. 특히 4H-SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 빠른 스위칭 속도와 낮은 순방향 전압강하의 특성으로 인해 널리 사용되고 있다. 그러나 쇼트키 배리어 다이오드의 낮은 신뢰성으로 인한 문제로 대안인 Super Barrier Rectifier(SBR)가 연구되었다. 본 논문은 4H-SiC trench-type accumulation super barrier rectifier(TASBR)를 분석하고 제안한다. 2D 시뮬레이션을 통해 본 구조는 심각한 역방향 저지전압의 감소와 누설전류의 증가가 없는 동시에 순방향 전압 강하는 21.06% 향상됨을 확인 할 수 있었다. 이러한 새로운 정류기 구조를 이용하면 전력손실이 적은 애플리케이션을 기대할 수 있다.

ATM 기반 IP 패킷 포워딩 엔진을 위한 고성능 룩업 제어기 (A High PErformance Lookup Controller for ATM based IP Packet Forwarding Engine)

  • 최병철;곽동용;이정태
    • 한국통신학회논문지
    • /
    • 제28권4B호
    • /
    • pp.298-305
    • /
    • 2003
  • 본 논문에서는 ATM 기반 레이블 에지 라우터의 IP 패킷 포워딩 엔진을 위한 고성능 룩업 제어기를 제안하였다. 제안한 룩업 제어기는 IP 패킷에 대한 Best Effort 서비스 뿐만 아니라 MPLS(Multiprotocol Label Switching), VPN(Virtual Private Network), ELL(Emulated Leased Line), RT(Real Time) 서비스 등의 차별화된 서비스들을 제공할 수 있도록 설계하였다. 고속의 IP 주소 검색을 위하여 소프트웨어 기반의 알고리즘 방식을 사용하지 않고 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 기반의 하드웨어 방식을 적용하였으며, IP 패킷 헤더 처리 및 룩업 제어 기능을 고속으로 수행하기 위하여 룩업 제어 기능을 FPGA(Field Programmable Gate Array)로 구현하였다. 룩업 제어기는 사용자의 차별화된 다양한 요구를 수용할 수 있으며, 성능 향상을 위하여 파이프라인 기법으로 처리되도록 설계하였다. 또한 패킷 헤더의 여러 영역을 조합한 비교키에 대한 룩업 기능을 수행하기 위하여 2단계 검색 메카니즘을 가지며, 시뮬레이션을 통하여 제안한 룩업 제어기는 약 16Mpps의 성능을 보였다.

MPLS에서 차등화 서비스를 지원하기 위한 E-LSP의 확장 (Extension of E-LSP for Supporting Differentiated Service in MPLS)

  • 박기범;정재일
    • 한국통신학회논문지
    • /
    • 제28권12B호
    • /
    • pp.1081-1090
    • /
    • 2003
  • 차세대 인터넷은 QoS(Quality of Service)의 보장과 초고속 전송을 특징으로 하는데 그 대표적인 구조가 DiffServ(Differentiated Service)와 MPLS(Multi-Protocol Label Switching)이다. 차세대 인터넷에서 종단간 QoS를 보장하기 위해서 DiffServ와 MPLS를 연동하기 위한 기술에 관한 연구가 필수적이고, 현재 이에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다. IETF(Internet Engineering Task Force)의 MPLS WG(Working Group)에서는 이를 위하여 E-LSP(EXP inferred-PSC LSPs)와 L-LSP(Label-Only-Inferred-PSC LSPs) 방안을 제안했는데, 두 가지 방법 모두 MPLS에서 DiffServ의 서비스 클래스를 지원하는데 문제점을 가지고 있다. 본 논문에서는 기존의 E-LPS를 확장하여 DiffServ의 이론적인 모든 클래스와 ECN(Explicit Congestion Notification)을 비롯한 실험적인 기능을 지원하는 확장 E-LSP를 제안한다. 제안된 확장 E-LSP를 이용한 MPLS망에서 보다 세분화된 DiffServ 클래스를 지원할 경우 서비스 품질을 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.

A Study on Characteristic Improvement of IGBT with P-floating Layer

  • Kyoung, Sinsu;Jung, Eun Sik;Kang, Ey Goo
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
    • /
    • 제9권2호
    • /
    • pp.686-694
    • /
    • 2014
  • A power semiconductor device, usually used as a switch or rectifier, is very significant in the modern power industry. The power semiconductor, in terms of its physical properties, requires a high breakdown voltage to turn off, a low on-state resistance to reduce static loss, and a fast switching speed to reduce dynamic loss. Among those parameters, the breakdown voltage and on-state resistance rely on the doping concentration of the drift region in the power semiconductor, this effect can be more important for a higher voltage device. Although the low doping concentration in the drift region increases the breakdown voltage, the on-state resistance that is increased along with it makes the static loss characteristic deteriorate. On the other hand, although the high doping concentration in the drift region reduces on-state resistance, the breakdown voltage is decreased, which limits the scope of its applications. This addresses the fact that breakdown voltage and on-state resistance are in a trade-off relationship with a parameter of the doping concentration in the drift region. Such a trade-off relationship is a hindrance to the development of power semiconductor devices that have idealistic characteristics. In this study, a novel structure is proposed for the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device that uses conductivity modulation, which makes it possible to increase the breakdown voltage without changing the on-state resistance through use of a P-floating layer. More specifically in the proposed IGBT structure, a P-floating layer was inserted into the drift region, which results in an alleviation of the trade-off relationship between the on-state resistance and the breakdown voltage. The increase of breakdown voltage in the proposed IGBT structure has been analyzed both theoretically and through simulations, and it is verified through measurement of actual samples.

중성점전압보상 방식을 이용한 브러시리스직류전동기의 회전자위치 추정 (A Rotor Position Estimation of Brushless DC Motors using Neutral Voltage Compensation Method)

  • 송중호
    • 전력전자학회논문지
    • /
    • 제9권5호
    • /
    • pp.491-497
    • /
    • 2004
  • 본 논문은 브러시리스직류전동기의 새로운 회전자위치추정 방법에 관한 것이다. 회전자 위치추정이 부정확하게 이루어졌을 때, 역기전력과 상전류 사이의 위상차가 나타나고 이는 다시 전동기의 토크리플을 일으킨다는 사실은 알려져 있다. 이러한 추정오차를 줄이기 위하여 인버터의 정상모드 기간 중에 나타나는 중성점전압을 기반으로 하는 새로운 방법을 제안하고 있다. 이 중성점전압이 효과적인 회전자 위치 추정오차의 한 지표임을 확인하고, 중성점전압의 발생, 획득방법, 보상방법 등을 다루고 있다. 본 알고리즘은 전동기 단자전압센서와 단일 직류링크 전류센서 만을 이용하여 실현할 수 있으며, 관련 시뮬레이션 및 실험결과는 그 타당성을 보여주고 있다.

모바일 기기의 전원 무결성을 위한 설계 연구 (Design Study for Power Integrity in Mobile Devices)

  • 사기동;임영석
    • 한국전자통신학회논문지
    • /
    • 제14권5호
    • /
    • pp.927-934
    • /
    • 2019
  • 최근 모바일 기기는 사용자 요구에 따라 다양한 기능이 있는 소형 컴퓨터의 형태로 발전하였다. 모바일 기기의 다양한 기능을 구현하기 위해 실장되는 AP(: Application processor)와 무선통신용 모뎀 및 고성능 카메라 외 다양한 인터페이스를 위한 IC 들의 안정적인 동작을 위해서는 전원 공급 네트워크 설계에 주의가 필요하다. 본 논문에서는 실장 밀도 제한으로 인해 배선형으로 설계해야하는 모바일 기기의 전원 공급 네트워크의 안정성 확보를 위해 드라이버 IC 칩에서 요구하는 목표 임피던스를 만족하도록 디커플링 캐패시터의 위치, 용량, 개수 등의 설계 파라메터를 최적화하는 방법에 대해 분석하고 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 본 논문을 통해 제안된 배선형 전원 공급 네트워크 설계 방법은 모바일 어플리케이션 외 고속신호 전송선로가 포함되는 다양한 응용분야에 확대 적용될 수 있을 것으로 판단된다.

Smart grid and nuclear power plant security by integrating cryptographic hardware chip

  • Kumar, Niraj;Mishra, Vishnu Mohan;Kumar, Adesh
    • Nuclear Engineering and Technology
    • /
    • 제53권10호
    • /
    • pp.3327-3334
    • /
    • 2021
  • Present electric grids are advanced to integrate smart grids, distributed resources, high-speed sensing and control, and other advanced metering technologies. Cybersecurity is one of the challenges of the smart grid and nuclear plant digital system. It affects the advanced metering infrastructure (AMI), for grid data communication and controls the information in real-time. The research article is emphasized solving the nuclear and smart grid hardware security issues with the integration of field programmable gate array (FPGA), and implementing the latest Time Authenticated Cryptographic Identity Transmission (TACIT) cryptographic algorithm in the chip. The cryptographic-based encryption and decryption approach can be used for a smart grid distribution system embedding with FPGA hardware. The chip design is carried in Xilinx ISE 14.7 and synthesized on Virtex-5 FPGA hardware. The state of the art of work is that the algorithm is implemented on FPGA hardware that provides the scalable design with different key sizes, and its integration enhances the grid hardware security and switching. It has been reported by similar state-of-the-art approaches, that the algorithm was limited in software, not implemented in a hardware chip. The main finding of the research work is that the design predicts the utilization of hardware parameters such as slices, LUTs, flip-flops, memory, input/output blocks, and timing information for Virtex-5 FPGA synthesis before the chip fabrication. The information is extracted for 8-bit to 128-bit key and grid data with initial parameters. TACIT security chip supports 400 MHz frequency for 128-bit key. The research work is an effort to provide the solution for the industries working towards embedded hardware security for the smart grid, power plants, and nuclear applications.

ZnO 스퍼터링에서 기판전압의 변화에 의한 성장 조절 (Control of ZnO Sputtering Growth by Changing Substrate Bias Voltage)

  • ;최재원;전원진;조중열
    • 반도체디스플레이기술학회지
    • /
    • 제16권2호
    • /
    • pp.94-97
    • /
    • 2017
  • Amorphous Si has been used for data processing circuits in flat panel displays. However, low mobility of the amorphous Si is a limiting factor for the data transmission speed. Metal oxides such as ZnO have been studied to replace the amorphous Si. ZnO is a wide bandgap (3.3 eV) semiconductor with high mobility and good optical transparency. When ZnO is grown by sputtering with $O_2$ as an oxidizer, there can be many ion species arising from $O_2$ decomposition. $O^+$, $O_2{^+}$, and $O^-$ ions are expected to be the most abundant species, and it is not clear which one contributes to the ZnO growth. We applied alternating substrate voltage (0 V and -70 V) during sputtering growth. We studied changes in transistor characteristics induced by the voltage switching. We also compared ZnO grown by dc and rf sputtering. ZnO film was grown at $450^{\circ}C$ substrate temperature. ZnO thin-film transistor grown with these methods showed $7.5cm^2/Vsec$ mobility, $10^6$ on-off ratio, and -2 V threshold voltage.

  • PDF

통신서비스산업에서 경쟁상황을 반영한 시장점유율 예측 (Market Share Forecast Reflecting Competitive Situations in the Telecommunication Service Industry)

  • 김태환;이기광
    • 산업경영시스템학회지
    • /
    • 제42권3호
    • /
    • pp.109-115
    • /
    • 2019
  • Most demand forecasting studies for telecommunication services have focused on estimating market size at the introductory stage of new products or services, or on suggesting improvement methods of forecasting models. Although such studies forecast business growth and market sizes through demand forecasting for new technologies and overall demands in markets, they have not suggested more specific information like relative market share, customers' preferences on technologies or service, and potential sales power. This study focuses on the telecommunication service industry and explores ways to calculate the relative market shares between competitors, considering competitive situations at the introductory stage of a new mobile telecommunication service provider. To reflect the competitive characteristics of the telecommunication markets, suggested is an extended conjoint analysis using service coverage and service switching rates as modification variables. This study is considered to be able to provide strategic implications to businesses offering existing service and ones planning to launch new services. The result of analysis shows that the new service provider has the greatest market share at the competitive situation where the new service covers the whole country, offers about 50% of existing service price, and allows all cellphones except a few while the existing service carrier maintains its price and service and has no response to the new service introduction. This means that the market share of the new service provider soars when it is highly competitive with fast network speed and low price.