• 대한소아치과학회지
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• 제49권1호
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• pp.104-112
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• 2022

이 연구의 목적은 생리적 조건에서 파절편 재부착 시 레진재료 및 유지형태에 따른 파절편의 파절저항성을 분석하는 것이다. 발거된 64개의 전치부 치아에 사선 방향의 단순치관파절을 재현하였다. 복합레진 재료에 따라서는 유동성 복합레진 및 응축형 복합레진을 이용하여 재부착을 실시하였다. 유지형태로는 단순 재부착, 1.0 mm × 1.0 mm 순측 chamfer bevel, 1.0 mm × 1.0 mm 설측 chamfer bevel 및 1.0 mm × 1.0 mm circumferential chamfer bevel을 부여한 후 재부착을 실시하였다. 만능재료시험기를 이용하여 재부착된 치아의 설측면에 정상 아동의 절치간각인 125°로 부하를 가하였다. 저작압 조건에서는 유동성 레진과 응축형 레진군 모두 설측 chamfer군의 파절저항강도는 28.28 ± 7.41 MPa과 27.54 ± 4.45 MPa로 단순 재부착군의 파절저항성강도인 17.21 ± 5.87 MPa과 20.10 ± 6.00 MPa보다 유의하게 더 높았다. 생리적인 저작압과 유사한 설측 방향의 힘을 고려 시 파절편 재부착치의 파절편 유지력은 단순 재부착술보다 설측 chamfer 유지형태를 형성하였을 때 유의하게 더 큰 유지력을 나타내었다. 이에 임상가는 파절편 재부착술 시 저작압에 대한 파절 저항성을 향상시키기 위해 설측 chamfer 유지형태의 설계를 고려할 수 있을 것이다.

• 접착 및 계면
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• 제13권3호
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• pp.109-115
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• 2012

2단계 유화중합에 의한 단분산의 블루칼라 착색 poly(styrene-co-acrylic acid) 라텍스를 성공적으로 제조하였다. 0.21 ${\mu}m$의 polystyrene 시드를 이용하여 중합 2단계에서 Blue 606 염료와 acrylic acid의 중합으로 carboxyl 음이온을 갖는 블루칼라 라텍스를 합성하였다. 본 연구에서 제조한 블루칼라 라텍스는 모두 1.01 이하의 우수한 단분산도를 가지며 0.25~0.42 ${\mu}m$ 범위의 입자경을 나타내었다. 중합 2단계에서 acrylic acid 부가시간이 늘어남에 따라 입자경은 증가하였고 30 min 이상으로 늘어남에 따라 콜로이드 안정성을 갖는 블루칼라 라텍스가 제조되었다. 20 wt% AA 농도에서 -145 mV의 제타전위와 $-9.4{\times}10^{-6}\;cm^2/Vs$의 전기영동이동도를 나타내었다. 25 wt% DVB 농도하에서 396.7 K의 높은 유리전이온도를 나타내었다.

• 공업화학
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• 제21권4호
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• pp.430-434
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• 2010

금속분말에 바인더, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone을 혼합한 슬러리를 이용하여 전자파 차폐용 시트를 제조하였으며, 이때 전기전도성이 높은 carbon nanotube (CNT)를 첨가하여 차폐효율을 증가시키고자 하였다. 제조된 시트는 주사전자현미경(SEM)과 energy dispersive spectroscopy (EDS)를 이용하여 표면분석과 성분분석을 실시하였다. 시트의 전기적 특성과 차폐효율은 4-Point Probe와 전자파차폐효율측정기를 이용하여 측정하였다. 전기저항은 CNT를 2% 첨가한 시트가 $13.13{\Omega}{\cdot}cm$로 가장 낮은 값을 나타내었으며, 전자파 차폐 효율 역시 CNT를 2%첨가한 시트가 63 dB로 가장 높은 값을 가지는 것으로 평가되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.343-344
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• 2012

It has been known since the mid 1960s that Ag can be photodissolved in chalcogenide glasses to form materials with interesting technological properties. In the 40 years since, this effect has been used in diverse applications such as the fabrication of relief images in optical elements, micro photolithographic schemes, and for direct imaging by photoinduced Ag surface deposition. ReRAM, also known as conductive bridging RAM (CBRAM), is a resistive switching memory based on non-volatile formation and dissolution of a conductive filament in a solid electrolyte. Especially, Ag-doped chalcogenide glasses and thin films have become attractive materials for fundamental research of their structure, properties, and preparation. Ag-doped chalcogenide glasses have been used in the formation of solid electrolyte which is the active medium in ReRAM devices. In this paper, we investigated the nature of thin films formed by the photo-dissolution of Ag into Ge-Se glasses for use in ReRAM devices. These devices rely on ion transport in the film so produced to create electrically programmable resistance states. [1-3] We have demonstrated functionalities of Ag doped chalcogenide glasses based on their capabilities as solid electrolytes. Formation of such amorphous systems by the introduction of Ag+ ions photo-induced diffusion in thin chalcogenide films is considered. The influence of Ag+ ions is regarded in terms of diffusion kinetics and Ag saturation is related to the composition of the hosting material. Saturated Ag+ ions have been used in the formation of conductive filaments at the solid electrolyte which is the active medium in ReRAM devices. Following fabrication, the cell displays a metal-insulator-metal structure. We measured the I-V characteristics of a cell, similar results were obtained with different via sizes, due to the filamentary nature of resistance switching in ReRAM cell. As the voltage is swept from 0 V to a positive top electrode voltage, the device switches from a high resistive to a low resistive, or set. The low conducting, or reset, state can be restored by means of a negative voltage sweep where the switch-off of the device usually occurs.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권3호
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• pp.57-62
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• 2017

하이드로퀴논 환원제를 사용하는 무전해 은도금 방법으로 은(Ag)코팅 구리(Cu) 플레이크를 제조하는 공정에서 전처리 용액, 반응온도, pH, Ag 도금액 조성 및 주입속도, 펄프농도 등 여러 변수를 변화시켜가며 우수한 품질의 Ag 코팅이 형성되는 공정조건들을 확보하였다. Cu 플레이크 표면의 산화층을 제거하기 위한 효과적인 전처리 용액이 제시되었고, 낮은 반응온도, 4.34 수준의 pH값, 느린 Ag 도금액 주입속도, Ag 도금액에서 증류수 제거, 높은 펄프농도 조건에서 분리형 미세 Ag 입자들의 생성이 억제되고, Cu 표면 커버리지가 우수한 Ag 코팅층이 형성됨을 확인할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권4호
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• pp.172-178
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• 2007

수평회전식 수열법에 의해 운모 분말을 합성하였다. 수열조건은 출발원료로 $K_2O,\;Al(OH)_3$ 그리고 $SiO_2$의 비는 1 : 3 : 3mol%로 하고 수열용매로 8mol%의 KOH를 함께 추가하여 $260^{\circ}C$에서 72시간 동안 반응시켰다. 합성한 분말은 수직형 수열처리법에 의한 은나노 코팅 운모 제조를 위해 사용하였다. 은나노 코팅의 처리를 위한 수열조건은 출발원료로 합성한 분말로 하고, 수열용매로 $0.5{\ell}$ 3차 증류수, 그리고 1,000ppm의 은나노 졸을 코팅원료로 사용하여 $160{\sim}260^{\circ}C$ 범위에서 72시간 동안 반응시켰다. 처리 후 결정구조, 은나노 코팅 여부 및 코팅된 운모의 특성은 XRD, SEM, TEH-EDX 및 shake plask법을 통해 분석하였다.

• 한국재료학회지
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• 제26권4호
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• pp.207-211
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• 2016

Ti films were deposited on glass substrates under various preparation conditions in a chamber of two-facing-target type dc sputtering; after deposition, the electric resistivity values were measured using a conventional four-probe method. Crystallographic orientations and microstructures, including the texture and columnar structure, were also investigated for the Ti films. The morphological features, including the columnar structures and surface roughness, are well explained on the basis of Thornton's zone model. The electric resistivity and the thermal coefficient of the resistivity vary with the sputtering gas pressure. The minimum value of resistivity was around 0.4 Pa for both the $0.5{\mu}m$ and $3.0{\mu}m$ thick films; the apparent tendencies are almost the same for the two films, with a small difference in resistivity because of the different film thicknesses. The films deposited at high gas pressures show higher resistivities. The maximum of TCR is also around 0.4 Pa, which is the same as that obtained from the relationship between the resistivity and the gas pressure. The lattice spacing also decreases with increasing sputtering gas pressure for both the $0.5{\mu}m$ and $3.0{\mu}m$ thick films. Because they are strongly related to the sputtering gas pressures for Ti films that have a crystallographic anisotropy that is different from cubic symmetry, these changes are well explained on the basis of the film microstructures. It is shown that resistivity measurement can serve as a promising monitor for microstructures in sputtered Ti films.

• 자원리싸이클링
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• 제27권5호
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• pp.23-29
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• 2018

일반적으로 탄산니켈을 제조하기 위한 원료로 $NiSO_4$ 및 $NiCl_2$가 사용되었다. 제조된 탄산니켈의 경우 표면 및 내부에 있어 $Na_2SO_4$ 및 NaCl이 생성되어 탄산니켈의 순도를 감소시키는 원인이 되고 있으며, 이러한 불순물의 제거정도에 따라 고순도 탄산니켈을 제조할 수 있다. 본 연구에서는 니켈MHP 용매추출 공정으로 제조된 $NiCl_2$를 이용하여 탄산니켈제조 연구를 진행하였다. 실험은 니켈염과 탄산염 당량비에 따른 제조, 탄산니켈 수세에 따른 탄산니켈 내 Na 및 Cl 감소 및 수세용수의 온도에 따른 Na 및 Cl의 감소에 대한 조건을 실험하여 고순도 탄산니켈을 제조할 수 있었다.

• Carbon letters
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• 제25권
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• pp.14-24
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• 2018

Electrochemical properties and performance of composites performed by incorporating metal oxide or metal hydroxide on carbon materials based on graphene and carbon nanotube (CNT) were analyzed. From the surface analysis by field emission scanning electron microscopy and field emission transmission electron microscopy, it was confirmed that graphene, CNT and metal materials are well dispersed in the ternary composites. In addition, structural and elemental analyses of the composite were conducted. The electrochemical characteristics of the ternary composites were analyzed by cyclic voltammetry, galvanostatic charge-discharge tests, and electrochemical impedance spectroscopy in 6 M KOH, or $1M\;Na_2SO_4$ electrolyte solution. The highest specific capacitance was $1622F\;g^{-1}$ obtained for NiCo-containing graphene with NiCo ratio of 2 to 1 (GNiCo 2:1) and the GNS/single-walled carbon $nanotubes/Ni(OH)_2$ (20 wt%) composite had the maximum specific capacitance of $1149F\;g^{-1}$. The specific capacitance and rate-capability of the $CNT/MnO_2/reduced$ graphene oxide (RGO) composites were improved as compared to the $MnO_2/RGO$ composites without CNTs. The $MnO_2/RGO$ composite containing 20 wt% CNT with reference to RGO exhibited the best specific capacitance of $208.9F\;g^{-1}$ at a current density of $0.5A\;g^{-1}$ and 77.2% capacitance retention at a current density of $10A\;g^{-1}$.

• KSBB Journal
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• 제25권2호
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• pp.137-141
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• 2010

신맛이 요구되는 식품에 일반적으로 첨가되는 구연산의 산미 기능과 첨가물로써 물성을 향상시키기 위하여 식물성 유지를 이용하여 코팅 수율이 95%이상이며 코팅물질함량은 총 조성물 중 20~33% 내외인 코팅구연산 제조공정을 개발하였다. 개발된 코팅구연산 (coated citric acid)은 식품에 투입되었을 때 최종제품에서 본 식품의 물성을 변화시키지 않고 구연산 본래의 신맛을 감소시키며, 제품이 입에서 녹을 시점에서 자극적이지 않은 신맛을 서서히 방출 시키는 특징을 기대할 수 있다. 본 연구를 통하여 개발된 코팅 구연산은 식품산업 및 향장품 등 다양한 관련 산업분야적용이 가능함으로써, 고부가가치 제품으로 수입대체 및 해외수출 등 관련 산업 분야로의 파급효과가 클 것으로 기대된다.