Exitech has developed a range of advanced laser ablation tools for the manufacture of display device structures on super large glass and plastic substrates. Technical information and cost of ownership data about these tools together with key areas of application are presented
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.115-116
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2012
The demand for flexible electronic systems such as wearable computers, E-paper, and flexible displays has increased due to their advantages of excellent portability, conformal contact with curved surfaces, light weight, and human friendly interfaces over present rigid electronic systems. This seminar introduces three recent progresses that can extend the application of high performance flexible inorganic electronics. The first part of this seminar will introduce a RRAM with a one transistor-one memristor (1T-1M) arrays on flexible substrates. Flexible memory is an essential part of electronics for data processing, storage, and radio frequency (RF) communication and thus a key element to realize such flexible electronic systems. Although several emerging memory technologies, including resistive switching memory, have been proposed, the cell-to-cell interference issue has to be overcome for flexible and high performance nonvolatile memory applications. The cell-to-cell interference between neighbouring memory cells occurs due to leakage current paths through adjacent low resistance state cells and induces not only unnecessary power consumption but also a misreading problem, a fatal obstacle in memory operation. To fabricate a fully functional flexible memory and prevent these unwanted effects, we integrated high performance flexible single crystal silicon transistors with an amorphous titanium oxide (a-TiO2) based memristor to control the logic state of memory. The $8{\times}8$ NOR type 1T-1M RRAM demonstrated the first random access memory operation on flexible substrates by controlling each memory unit cell independently. The second part of the seminar will discuss the flexible GaN LED on LCP substrates for implantable biosensor. Inorganic III-V light emitting diodes (LEDs) have superior characteristics, such as long-term stability, high efficiency, and strong brightness compared to conventional incandescent lamps and OLED. However, due to the brittle property of bulk inorganic semiconductor materials, III-V LED limits its applications in the field of high performance flexible electronics. This seminar introduces the first flexible and implantable GaN LED on plastic substrates that is transferred from bulk GaN on Si substrates. The superb properties of the flexible GaN thin film in terms of its wide band gap and high efficiency enable the dramatic extension of not only consumer electronic applications but also the biosensing scale. The flexible white LEDs are demonstrated for the feasibility of using a white light source for future flexible BLU devices. Finally a water-resist and a biocompatible PTFE-coated flexible LED biosensor can detect PSA at a detection limit of 1 ng/mL. These results show that the nitride-based flexible LED can be used as the future flexible display technology and a type of implantable LED biosensor for a therapy tool. The final part of this seminar will introduce a highly efficient and printable BaTiO3 thin film nanogenerator on plastic substrates. Energy harvesting technologies converting external biomechanical energy sources (such as heart beat, blood flow, muscle stretching and animal movements) into electrical energy is recently a highly demanding issue in the materials science community. Herein, we describe procedure suitable for generating and printing a lead-free microstructured BaTiO3 thin film nanogenerator on plastic substrates to overcome limitations appeared in conventional flexible ferroelectric devices. Flexible BaTiO3 thin film nanogenerator was fabricated and the piezoelectric properties and mechanically stability of ferroelectric devices were characterized. From the results, we demonstrate the highly efficient and stable performance of BaTiO3 thin film nanogenerator.
We have synthesized carbon nanotubes by thermal chemical vapor deposition of $C_2H_2$ on transition metal-coated silicon substrates. Carbon nanotubes are uniformly synthesized on a large area of the plain Si substrates, different from Previously reported porous Si substrates. It is observed that surface modification of transition metals deposited on substrates by either etching with dipping in a HF solution and/or $NH_3$ pretreatment is a crucial step for the nanotube growth prior to the reaction of $C_2H_2$ gas. We will demonstrate that the diameters of carbon naotubes can be controlled by applying the different transition metals.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2009.10a
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pp.217-220
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2009
This paper presents fabrication method of nano-structured PMMA substrates as well as evaluations of their optical transmittance. For anti-reflective surface, surface coating method had been conventionally used. However, it requires high cost, complicated process and post-processing times. In this study, we suggested the fabrication method of anti-reflective surface by the hot embossing process. Using the nano patterned master fabricated by anodic aluminum oxidation process. Anodic aluminum oxide(AAO) is widely used as templates or a molds for various applications such as carbon nano tube (CNT), nano rod and nano dots. Anodic aluminum oxidation process provides highly ordered regular nano-structures on the large area, while conventional pattering methods such as E-beam and FIB can fabricate arbitrary nano-structures on small area. We fabricated a porous alumina hole array with various inter-pore distance and pore diameter. In order to replicate nano-structures using alumina nano hole array patterns, we have carried out hot-embossing process with PMMA substrates. Finally the nano-structured PMMA substrates were fabricated and their optical transmittances were measured in order to evaluate the charateristivs of anti-reflection. Anti-reflective structure can be applied to various displays and automobile components.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.42
no.5
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pp.203-207
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2009
Interaction between human osteoblast (hFOB 1.19) and CrN films was conducted in vitro. CrN films were produced by cathodic arc plasma deposition. The surface was characterized by atomic force microscopy (AFM). CrN films, glass substrates and TiN films were cultured with human osteoblasts for 48 and 72 hours. Actin stress fiber patterns and cell adhesion of osteoblasts were found less organized and weak on CrN films compared to those on the glass substrates and the TiN films. Human osteoblasts also showed less proliferation and less distributed microtubule on CrN films compared to those on glass substrates and TiN films. Focal contact adhesion was not observed in the cells cultured on CrN films, whereas focal contact adhesion was observed well in the cells cultured on glass substrates and TiN films. As a result, the CrN film is a potential candidate as a surface coating to be used for implantable devices which requires minimal cellular adhesion.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.27
no.10
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pp.1480-1488
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2003
Synthesis of carbon nanomaterials on a substrate coated with metal nitrates using an ethylene fueled inverse diffusion flame was illustrated. The effects of radial distance, residence time of the substrate, and hydrocarbon composition on the synthesis of carbon nanomaterials were investigated. The effects of catalyst metal particles were also studied using SUS304 substrates coated with Fe(NO$_3$)$_3$ (ferric nitrate, nonahydrate) and Ni(NO$_3$)$_2$(nickel nitrate, hexahydrate), and Cu substrate. Carbon nanomaterials, with diameters ranging from 30 - 70 nm, were observed on the substrate for both cases of using substrates only and using them with metal nitrates. In case of using the substrate with metal nitrates, the formation and growth of carbon nanomaterials were occurred in the lower temperature region than that of using the substrates only due to the easy activation of the metal particles coated on the surface of the substrates.
A kinetic study on nucleophilic substitution reactions of phenyl Y-substituted-phenyl carbonates (5a-5j) with ethylamine in 80 mol % $H_2O$/20 mol % DMSO at $25.0{\pm}0.1^{\circ}C$ is reported. The plots of $k_{obsd}$ vs. [amine] are linear for the reactions of substrates possessing a strong electron-withdrawing group (EWG) but curve upward for those of substrates bearing a weak EWG, indicating that the electronic nature of the substituent Y in the leaving group governs the reaction mechanism. The reactions have been concluded to proceed through a stepwise mechanism with one or two intermediates (a zwitterionic tetrahedral intermediate $T^{\pm}$ and its deprotonated form $T^-$) depending on the nature of the substituent Y. Analysis of Bronsted-type plots and dissection of $k_{obsd}$ into microscopic rate constants have revealed that the reactions of substrates possessing a strong EWG (e.g., 5a-5f) proceed through $T^{\pm}$ with its formation being the rate-determining step, while those of substrates bearing a weak EWG (e.g., 5g-5j) proceed through $T^{\pm}$ and $T^-$.
The effects of adhesive substrates and bottom materials on the release of fertilized eggs by the Pacific cod, (Gadus macrocephalus) were examined to find an effective release method. Palm twin as an adhesive substrate displayed a significantly elevated adhesive rate compared to gulf weed. However, the survival rate of the fertilized eggs attached to palm twin was as low as 17.5% 8 days after fertilization (DAF). In contrast, fertilized eggs in the absence of adhesive substrate displayed the highest survival rate (47.0%). Concerning bottom materials, the survival rate of fertilized eggs on sand was significantly high (approximately 51.1%) on 8 and 9 DAF. The observations indicates that adhesive substrates are not needed and spawning ground bottom materials such as sand or mud should be considered when releasing fertilized eggs of Pacific cod.
Kim, Dong-Joo;Kim, Gil-Sung;Woo, Yong-Deuck;Lee, Sang-Kwon
Journal of Sensor Science and Technology
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v.22
no.3
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pp.185-190
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2013
We report on direct finding of how the morphology (i.e. filopodia width) of $CD4^+$ T lymphocytes correlates with the size of the quartz nanohohole arrays (QNHAs, 140, 200, 270, and 550 nm in diameter) via scanning electron microscopy (SEM). This research exhibits that the filopodia of $CD4^+$ T-lymphocytes extended on the QNHA substrates were observed to increase in width by increasing the size of QNHA in diameter from 140 to 550 nm. This strong linear response ($R^2$=0.988, n = 6) in filopodia's width of surface-bound $CD4^+$ T-cells with topographical structures of QNHA can be explained by contact guidance between the cells and solid-state substrates. Furthermore, this research suggests that the protruded filopodia of surface-bound T-lymphocytes can be used as a biosensor for sensing the topographical information of the nano-patterned substrates.
Lee J.;Jhin J.;Byun D.;Lee J. S.;Lee J. H.;Koh W-K.
Korean Journal of Materials Research
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v.14
no.7
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pp.494-499
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2004
The structural, electrical and optical properties of GaN epilayers grown on various ion-implanted sapphire(0001) substrates by MOCVD were investigated. Sapphire substrates have been widely adopted to grow high quality GaN epilayer despite the large differences of lattice constant and thermal expansion coefficient between them. So, GaN or AlN buffer layer and pre-treatment was indispensably introduced before the GaN epilayer growth. The ion-implanted substrate's surface had decreased internal free energies during the growth of the ions implanted sapphire(0001) substrates. The crystal and optical properties of GaN epilayers grown in ions implanted sapphire(0001) substrate were improved. Also, excessively roughened and modified surface by ions degraded the GaN epilyers. Not only the ionic radius but also the chemical species of implanted sapphire(0001) substrates could improve the properties of GaN epilayers grown by MOCVD. This result implies that higher quality of GaN epilayers was achieved by using ion-implanted sapphire(0001) substrate with various ions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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