• 한국재료학회지
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• 제17권2호
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• pp.115-120
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• 2007

Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) might be fabricated on the mica substrate and transferred to a flexible plastic substrate because mica can be easily cleaved into a thin layer. To overcome the adhesion and stress problem between poly-Si film and mica substrate, a buffer layer consisting of $SiO_x/Ta/Ti$ three layers has been developed. The $SiO_x$ layer is for electrical isolation, the Ti layer is for adhesion of $SiO_{x}$ and mica. and Ta is for stress relief between $SiO_x$ and Ti. A TFT was fabricated on the mica substrate by a conventional Si process and was successfully transferred to a plastic substrate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.38-38
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• 2010

Ever since the experimental discovery of graphene exfoiliated from the graphite flakes by Geim et at., this area has drawn a lot of attention for its possible application in IT industry. For the growth of graphene, chemical vapor deposition (CVD) has been widely used to fabricate the large area graphene. The lateral size of this graphene can be easily controlled by the size of the metal substrate though the chemical etching to remove this substrate is somewhat troublesome. Another problem which is hard to avoid is the folding at the grain boundary. We will discuss the origin of the folding first and introduce the way to avoid this folding. To solve this problem, we have used the various types of micro-thin metal foils. The precise control of hydro-carbon and the carrier gas results in the formation of the graphene on top of substrate. The thickness of graphene layers can be controlled with the control of gas flow on top of Cu substrate in contrast to the previously reported self-limiting growth $behavior^1$. Uniformity of this graphene layer has been checked by micro-raman spectroscopy and SEM. The size of grain can be enhanced by thermal treatment or use of other metal substrate. The dependence of grain size on the lattice size of the substrate will be discussed. By selecting the shape of substrate, we can grow various types of graphene. We will introduce the micron size graphene tube and its application.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권8호
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• pp.81-87
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• 1993

The growth thickness uniformity of epitaxial layers deposited using a moiecular beam epitaxy system is calculated from the arrangement of molecular beam source and the substrate and the geometric dimensions of the crucible in order to predict the optimum design conditions of the prototype MBE system. The thickness uniformity better than 5% over a 3-inch wafer can be obtained by keeping the distance between the substrate and the crucible's orifice longer than 20cm, the tapering angle of the crucible larger than 6$^{\circ}$, and the angle between the normal to the substrate at the center and the crucible axis as larger as possible. In addition, the growth yield decreases to below 51% as the distance between the substrate and the orifice becomes longer than 25cm.

• 한국결정학회지
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• 제12권3호
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• pp.166-170
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• 2001

실리콘 기판에 도핑되어 있는 도판트는 종류에 따라 코발트와 실리콘 기판과의 반응에 영향을 준다. 인은 붕소나 비소에 비해 코발트와 실리콘과의 반응을 억제하여 저온 열처리 동안에 CoSi₂대신에 CoSi가 형성되도록 한다. CoSi층 내에서의 확산원소는 Si으로, CoSi 층은 Co/CoSi 계면에서 성장하며 반응에 참여하는Si 소모에 의해 생기는 기판의 빈 공간을 태우기 위해 Si 기판쪽으로 이동한다. 게이트 측벽에서는 접촉되어 있는 게이트 산화막과의 결합에 의해 CoSi층의 이동이 억제된다. 따라서 기판의 빈 공간을 태우지 못하게 되어 게이트 측벽 아래에 기공이 형성된다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권8호
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• pp.433-437
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• 2000

We fabricated switch module of ATM(Asynchronous Transfer Mode) exchange system with MCM-C(MultiChip Module Co-fired) technology and measured its electrical characteristics. Green tape was used as substrate and Au/Ag paste was used to form the interconnect layers. The via holes were made by drill and filled with metal paste usign screen method. After manufacturing the substrate, chips and passive components were assembled on the substrate. In electrical test, the module showed the output signal of 46.9MHz synchronized with input signal. In the view of substrate size reduction, the area of MCM switch module was 35% of conventional hybrid switch module.

• 한국재료학회지
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• 제14권5호
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• pp.363-367
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• 2004

Recently ZnO epitaxial layers have been widely studied as a semiconductor material for optoelectronic devices. Sapphire and silicon are commonly selected as substrate materials for ZnO epitaxial growth. In this communication, we report the effect of the ECR plasma pretreatment of sapphire and silicon substrates on the nucleation in the ZnO ALE (atomic layer epitaxy). It was found that ECR plasma pretreatment reduces the incubation period of the ZnO nucleation. Oxygen ECR plasma enhances ZnO nucleation most effectively since it increases the hydroxyl group density at the substrate surface. The nucleation enhancing effect of the oxygen ECR plasma treatment is stronger on the sapphire substrate than on the silicon substrate since the saturation density of the hydroxyl group is lower at the sapphire surface than that at the silicon surface.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.11-20
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• 1994

분자선에피택시(molecular beam epitaxy)법을 이용하여 GaAs 및 ALGaAs layer를 undoped 반절연(100) GaAs 기판위에 성장하였고, 최적의 성장온도와 성장된 시료에 대한 전기적 및 광학적 특성을 조사 하였다. Undoped GaAs층의 성장에 있어서는 측정결과로 부터 As/Ga의유속비가 약 20, 성장온도가 $570^{\circ}C$일때 12K에서의 Photoluminescence 반폭치(FWHM)가 1.14meV인 결정성이 좋은 시료가 얻어졌으며, p형으로서 carrier 농도가 $1.5{\times}10^{14}cm^{-3}$ 미만이고, Hall 이동도가 300K에서 $579cm^2/V-s$인 양질의 에피층이 얻어졌다. 또한 이들 시료에서는 ODLTS, DLTS측정으로 부터 2개의 hole형 깊은 주위만이 관측되었다. Undoped AlGaAs층의 성장에 있어서는 As/(Ga+Al)의 유속비가 20이고 $60^{\circ}C$의 성장온도에서 표면 morphology와 결정성이 좋은 시료를 성장할 수 있었으며, 0.17~0.85eV에서 8개의 깊은 준위가 관측되엇다. Si이 도핑된 AlGaAs 층의 경우, PL 스펙트럼으로 부터 Si의 도핑효과를 관측할 수 있었으며, Hall 측정으로부터 300K에서 $1.5{\times}10^{16}cm^{-3}$일 때 Hall 이동도가 $2547cm^2/V-s$인 시료를 얻을 수 있었다.

• Tribology and Lubricants
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• 제26권6호
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• pp.317-321
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• 2010

황화주석 박막을 만들기 위해 마그네트론 스퍼터 박막증착 공정을 통해 몰리브텐 유리판위에 주석박막을 만들고, 95% 알곤 +5% 황화수소 가스 혼합물을 사용하여 아닐링 공정을 통해 황화주석 박막을 형성하위에 증착하는것이 좋은 결과를 보여주고있다. 박막면의 화학적 물리적 특성을 전자현미경, X선 분석, X 선회절을 통해 실험하였으며, 아닐링 조건에 따른황화주석 박막의 파장대 반사율의 관계를 측정하였다.

• 비파괴검사학회지
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• 제26권1호
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• pp.7-11
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• 2006

기계부품의 세라믹 코팅 층은 사용 중 그 표면특성이 변하므로 잔류수명 예측과 신뢰성 확보를 위해 비파괴적으로 세라믹 코팅 층의 특성을 평가하는 것은 매우 중요하다. 이를 위해 본 인구는 AISI 1045 강과 오스테나이트 스테인리스 304 강 모재위에 매우 얇은 TiN 세라믹 층을 코팅한 시편에 내하여 누설 레일리(Rayleigh) 표면파를 이용한 TiN 코팅부재의 특성평가를 시도하였다. 후방복사 측정기법으로 코팅 층 내의 표면파의 전파특성이 평가되었고 표면 거칠기, 코팅 층 두께, 마모조긴 둥이 다양한 시편들에 대해 후방복사 프로파일이 측정되었다. 후방복사 프로파일의 정점각과 크기는 시편의 조건들에 따라 민감하게 변하였고, 정점각의 증가는 코팅 층 접합 강도의 저하로 설명되었다. 결과들은 후방복사 기법을 이용한 표면파의 분산성 평가가 코팅 층의 특성 평가에 매우 유용함을 보여주었다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제17권5호
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• pp.672-679
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• 2014

To improve sensing capability of infrared, heat-resistance and mechanical properties, the $SiO_2$ and $TiO_2$ anti-reflective layers were coated on sapphire substrate by MOCVD. The standard wavelength was 4,600nm, and the thickness of anti-reflective layers were 379 and 758nm in case of ${\lambda}/4$ and ${\lambda}/2$ of incident angle($65^{\circ}$), respectively. The $SiO_2$ and $TiO_2$ anti-reflective layers were coated 12.6 and 9.7nm/min of deposition rates by increasing oxygen pressure to set the ideal refractive index of 1.283. In case of $SiO_2({\lambda}/2)$ coating, the transmittance increased from 55.0 to 62.7%. The transmittance of $TiO_2({\lambda}/2)$ anti-reflective layer also increased from 55.0 to 64.8%. The flexural strength of $SiO_2({\lambda}/2)$ and $TiO_2({\lambda}/2)$ layer coated sapphire increased from 337.8 to 362.9 and 371.8MPa, respectively. The flexural strength at $500^{\circ}C$ of these materials also increased respectively to 304.5, 358.2MPa from 265.9MPa. From these results, we confirmed these materials can be used as transmission window of infrared light.