The local heat/mass transfer coefficients for arrays of impinging circular air jets on a plane surface are determined by means of the naphthalene sublimation method. Spent fluid makes a crossflow in the confined space. The crossflow reduces heat/mass transfer at the small gap distance between the jet plate and impingement surface because of reentrainment of the spent fluid. The present study suggests a new exhaust system having effusion holes in the impinging jet plate. The spent air flow out after impingement just through effusion holes located in the upper plate. This system increases heat/mass transfer coefficients and uniformity for small gap distances$(H/d{\leq}2)$
BSCCO thin films are fabricated by an ion beam sputtering method, and sticking coefficients of the respective elements are evaluated. The sticking coefficient of Bi element in BSCCO film formation was observed to show a unique temperature dependence; it was almost a constant value of 0.49 below about $730^{\circ}C$ and decreased linearly over about $730^{\circ}C$. In contrast, Sr and Ca, displayed no such remarkable temperature dependence. This behavior of the sticking coefficient was explained consistently on the basis of the evaporation and sublimation processes of $Bi_{2}O_{3}$. It was concluded that Bi(2212) thin film constructs from the partial melted Bi(2201) phase with the aid of the liquid phase of $Bi_{2}O_{3}$.
Proofing is one of the inspection operations of printing and can be considered a process control step. The three main kinds of proofs are press proofs, photomechanical proofs, and digital proofs. Photomechanical and digital proofs are also generally refered to as "off-press" proofs. Off-press color proofs are more economical than press proofs. Digital proofs offer fast production time along with a much lower cost per page. Hard-copy digital proofs can be output using thermal transfer printers, ink jet printers, and color laser copiers, as well as dye sublimation and electrophotographic technology. Ink jet method is commonly using because of the reasonal price. But ink jet system is difficult to reproduce an exact color proof. This research was carried out for the purpose of optimization of ink jet color proofing, using two kinds of ink jet printers with 6 colors (C, M, Y, K, mC, mM) and 4 colors (C, M, Y, K) system.
Sublimatographic study on the method of test for sulfur in the petroleum and rubber products was as following results: (1) The relation between the heating temperature$(t_h)$ and the vacuum condensing point(V.C.P.) of sulfur at different degree of vacuum appeared as Fig.4. The results were in good agreement with those expected from the $t_h-V.C.P$ curves of sublimatographic separation of sulfur. (2) The relation between the degree of vacuum and the V.C.P. at different heating temperature of sulfur appeared as follows; $$tv.c.p.=\alpha+{\beta}logP_{va}$$ (3) The V.C.P of sulfur could be physical property comparing with melting point and boiling point. (4) The relation between the V.C.P. and the quantity of sublimation of sulfur becomes quantitative as Fig.7.
In this study, phthalocyanine thin films were prepared by vacuum sublimation method and investigated sensing characteristics of the films. The phthalocyannies used for the prepaation of the NO$_{x}$ sensors were metal-free Pc(H$_{2}$Pc) and metal Pc(CuPc, CoPc, PbPc). And the substrate temperatures maintained during the fomation of Pc films were varied between R.T. and 200$^{\circ]C$, and the base pressure was 5${\times}10^{6}$ torr. The relationships between NO$_{2}$ sensing properties and SEM analyses as a function of substrate temperatures during the formation of the films were investigated. Among the Pc films, PbPc film showed the best sensing characteristics. Particularlly, the PbPc films prepared at 70$^{\circ]C$ of the substrage temperature showen good sensitivity of 85% to 1ppm NO$_{2}$ gas at operating temperature 190$^{\circ]C$ and response time was about 24 seconds.
Zinc selenide (ZnSe) single crystals hold promise for many electro-optics, acousto-optic and green laser generation applications. This material is prepared in closed ampoules by the physical vapor transport (PVT) growth method based on the dissociative sublimation. We investigate the effects of diffusive-convection on the crystal growth rate of ZnSe with a low vapor pressure system in a horizontal configuration. Our results show that for the ratios of partial pressures, s=0.2 and 2.9, the growth rate increases with the Peclet number and the temperature differences between the source and crystal. As the ratio of partial pressures approaches the stoichiometric value of 2, the rate increases. The mass fluk based on one dimensional (1D model) flow for low vapor pressure system fall within the range of the predictions (2D model) obtained by solving the coupled set of conservation equations, which indicates the flow fields would be advective-diffusive. Therefore, the rate and the flow fields are independent of gravity acceleration levels.
BSCCO thin films are fabricated via a co-deposition process by an ion beam sputtering with an ultra-low growth rate, and sticking coefficients of the respective elements are evaluated. The sticking coefficient of Bi element exhibits a characteristics temperature dependence : almost a constant value of 0.49 below 730$^{\circ}C$ and decreases linearly with temperature over 730$^{\circ}C$. This temperature dependence can be elucidated from the evaporation and sublimation rates of bismuth oxide, Bi$_2$O$_3$ from the film surface. It is considered that the liquid phase of the bismuth oxide plays an important role in the Bi(2212) phase formation in the co-deposition process.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권2호
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pp.61-64
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2010
In this paper, we investigate the quality difference of SiC crystals grown by a conventional physical vapor transport method using various SiC powders. While the growth rate was revealed to be dependent upon the particle size of the SiC powder, the growth rate of SiC bulk crystals grown using SiC powder with a smaller particle size (20 nm) was definitely higher than those using lager particle sizes with $0.1-0.2\;{\mu}m$ and $1-10\;{\mu}m$, respectively. All grown 2 inch SiC single crystals were proven to be the polytype of 6H-SiC and the carrier concentration levels of about $10^{17}\;cm^3$ were determined from Hall measurements. It was revealed that the particle size and process method of SiC powder played an important role in obtaining a good quality, high growth rate, and to reduce growth temperature.
International Journal of Air-Conditioning and Refrigeration
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제13권4호
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pp.196-205
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2005
In this paper, recent research trend on heat transfer in impinging jet is reviewed. We focused on submerged jet that air issued into air or liquid issued into liquid. To control and enhance the heat transfer in single jet, researchers have performed a lot of experiments by considering the nozzle geometry, impinging surface and active method such as jet vibration, secondary injection and suction flow. The studies on multiple jet have been mainly focused on finding out the optimum condition and on investigating many different factors concerned with application condition (crossflow, rotation and geometry etc.) and combined techniques (rib turbulator, pin fin, dimple and effusion hole etc.). All most experiments showed the detailed heat transfer data by using liquid crystal method, infrared camera technique and naphthalene sublimation method. Many numerical calculations have been performed to investigate the flow and heat transfer characteristics in laminar jet region. Various turbulence models such as $k-\varepsilon-\bar{\nu^2}$, modified $k-\varepsilon-f_{\mu}$ were applied to the calculation for turbulent jet and the predicted results showed a good agreement with the experimental data. Although a lot of studies on impinging jet have performed consistently up to recently, further studies are still required to understand the flow and heat transfer characteristics more accurately, and to give a guideline for optimum impinging jet design in various applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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