한국농업기계학회 1996년도 International Conference on Agricultural Machinery Engineering Proceedings
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pp.918-925
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1996
The effect of structured water by dissolution of xenon was examined from the view point of the suppression of both browning and respiratory metabolism of broccoli. The structured water is formed duet to hydrophobic interaction when xenon gas dissolves into water. NMR measurements were carried out to determine proton spin-spin relaxation time, T2, for water. There was a difference in proton T2 between distilled water and structured water. This can be interpreted as the change of water structure. Fro the broccoli cut in half stored for 16 days at 279K, the section color did not change appreciably for the sample whose water was structured by dissolution of xenon whose initial partial pressure was 0.39MPa. In contrast to this, the browning of section surface was observed for the sample stored under the condition of nitrogen gas at the same partial pressure as xenon and for the sample stored under atmospheric condition . These results led to the conclusion that the suppression of b owning by oxidation was due to structured water but not to applied pressure. Adding to this, the water structured by xenon has resulted in suppression of respiratory metabolism of broccoli.
A two terminal N+/P/N+ junction device to replace the conventional selective transistor was studied as a bilateral switching device for spin transfer torque (STT) MRAM based on 3D device simulation. An N+/P/N+ junction structure with $30{\times}30nm$ area requires bi-directional current flow enough to write a data by a drain induced barrier lowering (DIBL) under a reverse bias at N+/P (or P/N+ junction), and high current on/off ratio of 106. The SiGe materials are widely used in hetero-junction bipolar transistors, bipolar compensation metal-oxide semiconductors (BiCMOS) since the band gap of SiGe materials can be controlled by changing the fraction and the strain epilayers, and the drift mobility is increased with the increasing Ge content. In this work, N+/P/N+ SiGe material based junction provides that drive current is increased from 40 to $130{\mu}A$ by increased Ge content from 10~80%. When Ge content is about 20%, the drive current density of SiGe device substantially increased to 2~3 times better than Si-based junction device in case of 28 nm P length, which is sufficient current to operation of STT-MRAM.
졸-겔 스핀코팅(sol-gel spin-coating)법을 이용하여 실리콘 기판에 ZnO 박막을 증착하였다. 증착된 졸 용액을 전열처리(pre-heat treatment) 후, 다른 속도로 상온까지 냉각시켰다. ZnO 박막의 특성 분석을 위하여 atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Raman, photoluminescence (PL)을 이용하였다. 전열처리 후 5$^{\circ}C$/min의 속도로 천천히 냉각시킨 ZnO 박막은 산맥구조(mountain chain structure)로 표면이 매우 거친 반면, 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막은 매우 매끄러운 표면을 나타내었다. 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막의 c-축 배향성(c-axis preferred orientation)이 느리게 냉각시킨 ZnO 박막의 배향성보다 더 우세하게 나타났고, 결정성도 우수하였다. 뿐만 아니라, 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막의 광학적 특성이 느리게 냉각시킨 ZnO 박막의 특성보다 우수하게 나타났다. 후열처리(post-heat treatment)에 의해 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성이 더욱 향상되었다.
The magnetic and electronic properties of Ni impurity in bcc Fe ($Ni_1Fe_{26}$) are investigated using the full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method based the generalized gradient approximation (GGA). We found that the Ni impurity in bcc Fe increases both the lattice constant and the magnetic moment of bcc Fe. The calculated equilibrium lattice constant of $Ni_1Fe_{26}$ in the ferromagnetic state was 2.84 A, which is slightly larger than that of bcc Fe (2.83 ${\AA}$). The averaged magnetic moment per atom of $Ni_1Fe_{26}$ unit cell was calculated to be $2.24{\mu}_B$, which is greater than that of bcc Fe (2.17 ${\mu}_B$). The enhancement of magnetic moment of $Ni_1Fe_{26}$ is mainly contributed by the nearest neighbor Fe atom of Ni, i.e., Fe1, and this can be explained by the spin flip of Fe1 d states. The density of states shows that Ni impurity forms a virtual bound state (VBS), which is contributed by Ni $e_{g{\downarrow}}$ states. We suggest that the VBS caused by the Ni impurity is responsible for the spin flip of Fe1 d states.
We present results of two-color VR photometry of the intermediate polar RXS J1803. The data were aquired using the Korean 1-m telescope located at Mt. Lemmon, USA. Different "high" and "low" luminosity states, similar to other intermediate polars, were discovered. No statistically significant variability of the color index with varying luminosity was detected. The orbital variability was found to be not statistically significant. Spin maxima timings were determined, as well as the photometric ephemeris for the time interval of our observations. The spin period variations, caused by interaction of the accretion structure with the rotating magnetic white dwarf, were also detected. These variations are of complicated character, and their study requires further observations. We determine the color transformation coefficients for our photometric systems, and improve on the secondary photometric standards.
The influence of the number of solution coatings on the densification of the PZT thick films was studied. PZT powder and PZT precursor solution was prepared by a sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The powder and solution of composition were (A) PZT(80/20)/PZT(20/80), (B) PZT(70/30)/PZT(30/70) and (C) PZT(60/40)/PZT(40/60), (D) PZT(52/48)/PT. The coating and drying procedure was repeated 4 times. And then the PZT precursor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5 moth and the number of coating was repeated from 0 to 6. The porosity of the thick films was decreased with increasing the number of coatings and the PZT thick films with 6-times coated showed the dense microstructure and thickness of about $60{\mu}m$. A grain size was increased with increasing the coating number. All PZT thick films showed the typical XRD patterns of a typical perovskite polycrystalline structure. The relative dielectric constant of PZT thick films was improved 30-100% as the number of coatings.
In, Jang-sik;Han,Yoon-sung;Kim, Sung-hoon;Shim, Jae-chul;Hong, Jong-ill
Journal of Magnetics
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제11권3호
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pp.115-118
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2006
Co-ferrite nanoparticles have been synthesized by the decomposition of iron(III) acetylacetonate, $Fe(acac)_3$ and Co acetylacetonate, $Co(acac)_2$ in benzyl/phenyl ether in the presence of oleic acid and oleyl amine at the refluxingtemperature of $295^{\circ}C$/$265^{\circ}C$ for 30 min. before cooling to room temperature. Particle diameter detected by PSA can be turned from 4 nm to 20 nm by seed-mediated growth and reaction conditions. Structural and magneticcharacterization of Co-ferrite were measured by use of HRTEM, SAED (selected area electron diffraction), XRD and SQUID. The as-synthesized Co-ferrite nanoparticles have a cubic spinel structure and coercivity of 20 nm $CoFe_{2}O_{4} nanoparticles reached 1 kOe at room temperature and 18 kOe at 10 K.
Tungsten oxide($WO_3$) films with uniform surface morphology are fabricated using a spin-coating method for applications of electrochromic(EC) devices. To improve the EC performances of the $WO_3$ films, we control the heating rate of the annealing process to 10, 5, and $1^{\circ}C/min$. Compared to the other samples, the $WO_3$ films fabricated at a heating rate of $5^{\circ}C/min$ shows superior EC performances for transmittance modulation(49.5 %), response speeds(8.3 s in a colored state and 11.2 s in a bleached state), and coloration efficiency($37.3cm^2/C$). This performance improvement is mainly related to formation of a uniform surface morphology with increased particle size without any cracks by an optimized annealing heating rate, which improves the electrical conductivity and electrochemical activity of the $WO_3$ films. Thus, the $WO_3$ films with a uniform surface morphology prepared by the optimized annealing heating rate can be used as a potential candidate for performance improvement of the EC devices.
The purpose of this study is to evaluate the thin fihn dielectric made of hybrid sol, which consist of barium titanate powder, polymeric sol and other polymers. This sol will be used dielectric applied to small, thin electric passive components such as MLCC(Multi Layer Ceramic Condenser), resister, inductor. This sol is composed of mixed fine barium titanate powder and polymeric sol including Ba, Ti-precursor, solvent, chelating agent, chemical reaction catalyst, the additive sols to improve fired densification and temperature reliability. First at all, we mixed hybrid sol to be dispersed and be stabilized by ball milling for 24hrs. By spin coating method, we makes thin film dielectric on the convectional green sheet for MLCC. After heat treatments, we analyzes the structure morphology, physical, electrical properties and X5R Temperature properties.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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