• Title/Summary/Keyword: spin transition

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Investigation of a New Red-Emitting, Eu3+-Activated MgAl2O4 Phosphor

  • Singh, Vijay;Haque, Masuqul;Kim, Dong-Kuk
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제28권12호
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    • pp.2477-2480
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    • 2007
  • MgAl2O4:Eu3+ red-light emitting powder phosphor was prepared at temperature as low as 500 oC within a few minutes by using the combustion route. The prepared powder was characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and Fourier-transform infrared spectrometry. The luminescence of Eu3+-activated MgAl2O4 shows a strong red emission dominant peak around 611 nm, which can be attributed to the 5D0-7F2 transition of Eu3+ ions from the synthesized phosphor particles under excitation (394 nm). Electron paramagnetic resonance (EPR) measurements at the X-band showed that no signal could be attributed to Eu2+ ions in MgAl2O4.

Suppression of superconductivity in superconductor/ferromagnet multilayers

  • Hwang, T.J.;Kim, D.H.
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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    • 제18권1호
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    • pp.33-36
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    • 2016
  • Suppression of the superconducting transition temperature ($T_c$) of NbN thin films in superconductor/ferromagnet multilayers has been investigated. Both superconducting NbN and ferromagnetic FeN layers were deposited on thermally oxidized Si substrate at room temperature by using reactive magnetron sputtering in an $Ar-N_2$ gas mixture. The thickness of FeN films was fixed at 20 nm, while the thickness of NbN films was varied from 3 nm to 90 nm. $T_c$ suppression was clearly observed in NbN layers up to 70 nm thickness when NbN layer was in proximity with FeN layer. For a given thickness of NbN layer, the magnitude of $T_c$ suppression was increased in the order of Si/FeN/NbN, Si/NbN/FeN, and Si/FeN/NbN/FeN structure. This result can be used to design a spin switch whose operation is based on the proximity effect between superconducting and ferromagnetic layers.

Phase Transitions in $KTiOPO_4$Studied by$^{31}$P Nuclear Magnetic Relaxation

  • Kim, K. S.;Lee, C. H.;Lee, Cheol-Eui;N. S. Dalal;R. Fu;S. Y. Jeong;Kim, J. N.;Kim, S. C.
    • Journal of Magnetics
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    • 제5권3호
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    • pp.73-75
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    • 2000
  • Undoped and Cr-doped samples of electrooptic material KTiOPO$_4$ were studied by $^{31}$P nuclear magnetic resonance (NMR). Spin-lattice relaxation time ($T_1$) measurements manifested phase transition behaviors that are attributed to changes in the dominant charge carriers in different temperature ranges.

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Interconversion of Electronic Spin State of p-Substituted Arylketocarbene Reactions

  • Sung, Dae-Dong;Jeong, Jin-Hee;Ryu, Zoon-Ha;Chin, Won-Bae;Lee, Ik-Choon
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제25권8호
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    • pp.1231-1237
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    • 2004
  • Rate constants for photolytic reactions of p-substituted 2-diazopropiophenones were determined in acetonitrile. The reactions show a comparatively low value of activation energy and activation enthalpy to alkylcarbenes or other arylcarbenes. The transition state corresponds to the step of a new carbonyl bond formation. The high negative ρ -values are shown in Hammett plots. The kinetics results and EPR spectrum are in accord with a phenomenon that occurs in interconversion between singlet and triplet carbenes.

First-principles Study on Magnetism of Cu in GaN

  • Kang, Byung-Sub;Heo, Chul-Min;Lyu, Kwang-Kwyun;Yu, Seong-Cho
    • Journal of Magnetics
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    • 제14권3호
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    • pp.114-116
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    • 2009
  • The electronic properties of Cu or Pd-doped GaN at several concentrations are examined using the full-potential linear muffin-tin orbital method. For ($Cu_{0.055}Ga_{0.945}$)N, the model reveals a magnetic moment of $1.47{\mu}B$ per supercell. The range of concentrations that are spin-polarized should be restricted within narrow limits. A paramagnetic to ferromagnetic phase transition is found to occur at a Cu concentration of 5.55%.

Sol-Gel법으로 제작된 PLZT박막의 Raman 연구 (Raman spectroscopy of PLZT thin films prepared by Sol-Gel processing)

  • 방선웅;장낙원;박정흠;마석범;박창엽;최형욱
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.52-55
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    • 1997
  • In this study, PLZT stock solutions were prepared by sol-gel processing to fabricate PLZT thin films. The stock solutions were spin-coated on ITO-glass and the film were annealed by rapid thermal annealing(RTA). The variation of tile crystallographic structure of the thin films and the phase transition with respect to it were observed using Raman spectra. Raman result showed that the band of spectra are broad as the amount of Zr substitution increased and specially, abrupt change occurs in the raman spectra upon crossing the tetragonal-rhombohedral phase boundry at 2/55/45 PLZT thin film. So, the fact that the crystallographic structure was transitted from tetragonal to rhombohedral structure was certified.

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벼 냉해의 초기 기작으로서 생체막과 세포질 사이의 대사 불균형 (Metabolic Imbalance between Glycolysis and Mitochondrial Respiration Induced by Low Temperature in Rice Plants)

  • 이근표;부용출;정진
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제43권4호
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    • pp.236-240
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    • 2000
  • 식물의 저온 스트레스 및 방어체계에 대한 기작론적 연구의 일환으로서, 저온에서 보이는 벼 유묘의 생장력 상실과 생체막의 상전이 및 세포질 대사 변화 간의 상관관계를 조사하였다. 주변환경의 온도가 내려감에 따라 유묘의 생장속도는 점차 감소하여 약 $13^{\circ}C$ 이하에서는 생장이 실질적으로 정지하였다. 이 온도는 미토콘드리아 내막의 물리적 상전이 온도 및 기능적 상전이 온도와 일치하였다. 또한 해당과정의 중간생성물인 glucose 6-phosphate(G6P), fructose 6-phosphate(F6P)의 함량과 온도간의 상관곡선에서 보여주는 변곡점도 $13^{\circ}C$ 부근에서 나타났다. 이들-세포생리의 생화학적, 생물물리적 특성들의 불연속적 변화를 나타내는-온도들의 일치는 저온하에서의 생장정지가 우선적으로 미토콘드리아막의 상전이에 기인하며, 이 상전이가 세포 대사의 불균형을 일으키는 주요인임을 시사한다. 저온처리된 벼를 다시 상온으로 옮겼을 때 축적된 G6P와 F6P함량의 급격한 감소가 관찰되었다. 이는 상온환원시 TCA cycle을 거쳐 호흡전자전달에 필요한 전자공여체를 짧은 시간에 과다생성시키는 요인이 되어 결과적으로 세포의 산화적 스트레스를 일으키는 원인이 되는 것으로 해석하였다.

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전이금속 원소가 치환된 준강자성체 T0.2Fe2.8O4(T = V, Cr, Mn) 화합물의 광학적 성질 분석 (Analysis on Optical Properties of Transition-metal Substituted Ferromagnetic T0.2Fe2.8O4 (T = V, Cr, Mn) Compounds)

  • 김광주
    • 한국자기학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.56-60
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    • 2011
  • 준강자성체(ferrimagnet) $Fe_3O_4$를 기반 물질로 하여 주기율표 상에서 Fe와 인접한 전이금속 원소 T(= V, Cr, Mn)가 도핑된 삼원화합물($T_{0.2}Fe_{2.8}O_4$) 박막 시료들을 제작하여 그 광학적 성질을 1~8 eV 범위 내에서 분광타원해석법(spectroscopic ellipsometry)을 이용하여 측정하고 $Fe_3O_4$에서의 결과와 비교하였다. V, Cr, Mn 도핑 시 선호되는 스피넬(spinel) 구조 상의 양이온 자리(site) 및 이온수(ionicity)와 연관된 전자구조 상의 변화에 근거하여 삼원화합물과 $Fe_3O_4$의 흡수 스펙트럼 차이의 원인을 분석하였다. $Fe_3O_4$ 및 전이금속 도핑된 화합물들에서 관측된 광학적 흡수 스펙트럼은 주로 Fe 이온의 d 전자가 관련된 이온 간의 전하이동전이(charge-transfer transition)에 의하여 발생하는 에너지 폭이 넓은 흡수구조들의 기여에 의한 것으로 해석된다. 또한, 흡수 스펙트럼에서 관측된 좁은 에너지 폭의 구조들은 사면체 자리에 존재하는 $Fe^{3+}(d^5)$ 이온 내의 d 전자들에 의한 결정장 전이(crystal-field transition)에 기인한 것으로 해석된다. 이와 같은 전이들과 관련된 전자상태들을 스핀편극된 $Fe_3O_4$ 전자구조를 토대로 기술하였다.

니켈 치환된 스피넬 LiMn2O4 박막의 구조적, 광학적 성질 (Structural and optical properties of Ni-substituted spinel $LiMn_2O_4$ thin films)

  • 이중한;김광주
    • 한국진공학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.527-533
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    • 2006
  • 졸-겔(sol-gel) 방법을 이용하여 스피넬(spinel) 구조를 가지는 $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ 박막을 x = 0.9까지 합성하였다. 니켈 치환된 박막은 작은 x 값에서는 cubic 구조가 유지되지만, $x{\geq}0.6$ 범위에서는 tetragonal 구조로 상전이가 일어남이 발견되었다. 이와 같은 cubic-tetragonal 상전이는 low-spin $(t_{2g}^6,e_g^1)$ 상태를 가지는 $N^{3+}(d^7)$ 이온이 팔면체 자리를 차지하게 됨으로써 나타나는 Jahn-Teller 효과에 의한 것으로 해석된다. 이와 같은 Ni 이온들은 +3 및 +2의 원자가를 가지고 존재함이 X-ray photoelectron spectroscopy 분석을 통하여 확인되었다. $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ 박막들에 대하여 가시광선-자외선 영역에서 spectroscopic ellipsometry(SE)를 이용하여 광학적 성질을 조사하였고, 그 결과 분석을 통하여 화합물 전자구조에 대하여 고찰하였다. SE 측정된 유전함수 스펙트럼은 주로 전하이동(charge-transfer, CT) 전이(transition)에 의한 넓은 에너지 영역을 가지는 1.9, 2.3, $2.8{\sim}3.0$, $3.4{sim}3.6eV$ 근처의 흡수구조 들로 이루어져 있는데, $O^{2-}$에서 $Mn^{4+}$ 이온의 $t_{2g}$ (1.9 eV)와 $e_g$ $(2.8{\sim}3.0\;eV)$로의 전이 즉, $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{4+}(3d)$$O^{2-}$에서 $Mn^{3+}$ 이온의 $t_{2g}$ (2.3 eV)와 $e_g$ ($3.4{\sim}3.6$ eV)로의 전이 즉, $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{3+}(3d)$ 등에 의한 것으로 해석된다. 또한, 1.6, 1.8, 1.9 eV 부근에서 관측된 좁은 에너지 영역의 흡수구조 들은 팔면체 $Mn^{3+}$ 이온 내에서의 d-d 결정장(crystal-field) 전이에 의한 것으로 해석된다. 이러한 흡수구조는 Ni 치환량이 증가함에 따라 그 강도가 감소한다. x = 0.6의 경우 $e_g$ 상태와 관련된 CT 전이구조 들이 $t_{2g}$ 상태와 관련된 전이구조 들에 비하여 큰 폭으로 감소하는데 이것은 Jahn-Teller 효과에 의해서 격자상수가 tetragonal 구조로 확장됨에 따라 $e_g$ 상태와 $O^{2-}(2p)$ 상태 간의 파동함수 중첩이 감소한 것에 기인하는 것으로 해석된다.

Hot Wall Epitaxy 방법에 의해 성장된 AgInS2 박막의 광전류 온도 의존성 (Temperature dependence of photocurrent for the AgInS2 epilayers grown by hot wall epitaxy)

  • 박창선;홍광준;이상열;유상하;이봉주
    • 센서학회지
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    • 제16권1호
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    • pp.1-6
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    • 2007
  • A silver indium sulfide ($AgInS_{2}$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the literature. The grown $AgInS_{2}$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high quality crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_{2}$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The crystal field splitting, ${\Delta}cr$, and the spin orbit splitting, ${\Delta}so$, have been obtained to be 0.150 eV and 0.009 eV at 10 K, respectively. And, the energy band gap at room temperature has been determined to be 1.868 eV. Also, the temperature dependence of the energy band gap, $E_{g}$(T), was determined.