Graphene-based materials have been considered as a promising membrane material, due to its easy processability and atomic thickness. In this study, we studied on gas permeation behavior in few-layered GO membranes prepared by spin-coating method. The GO membrane structures were varied by using different GO flake sizes and GO solutions at various pH levels. The GO membranes prepared small flake size show more permeable and selective gas separation properties than large one due to shortening tortuosity. Also gas transport behaviors of the GO membranes are sensitive to slit width for gas diffusion because the pore size of GO membranes ranged from molecular sieving to Knudsen diffusion area. In particular, due to the narrow pore size of GO membranes and highly $CO_2$-philic properties of GO nanosheets, few-layered GO membranes exhibit ultrafast and $CO_2$ selective character in comparison with other gas molecules, which lead to outstanding $CO_2$ capture properties such as $CO_2/H_2$, $CO_2/CH_4$, and $CO_2/N_2$. This unusual gas transport through multi-layered GO nanosheets can explain a unique transport mechanism followed by an adsorption-facilitated diffusion behavior (i.e., surface diffusion mechanism). These findings provide the great insights for designing $CO_2$-selective membrane materials and the practical guidelines for gas transports through slit-like pores and lamellar structures.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.13
no.4
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pp.51-56
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2006
Polymer light emitting diodes (PLEDs) with ITO/EDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al structures were prepared by the spin coating method on ITO(indium tin oxide)/glass substrates. PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with poss] was used as light emitting polymer. PVK[poly(N-vinyl carbazole)] and PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)] polymers were used as the hole injection and transport materials. The effect of PFO-poss concentration and the heating temperatures on the electrical and optical properties of the devices were investigated. At the same concentration of PFO-poss solution, the current density and luminance of PLED device tend to increase as the annealing temperature increase from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. The maximum luminance was found to be about 958 cd/m2 at 13V for the PLED device with 1.0 wt% PFO-poss at the annealing temperature of $200^{\circ}C$. In addition, the PLED device showed bluish white emission through the strong greenish peak with 523 nm in wavelength. As the concentration of PFO-poss increase from 0.5 wt% to 1.0 wt% and temperature of PLEDs increase from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$, the emission color tend to be shifted from blue with (x, y) = (0.17,0.14) to bluish white with (x, y) : (0.29,0.41) in CIE color coordinate.
Poly(4-vinyl pyridine) (PVP) and its copolymers, poly(4-vinyl pvridine- co-acrylamide) and poly(4-vinyl pyridine-co-allylamine), were synthesized and evaluated for application to organic solder-ability preservatives (OSP). The copolymers were synthesized by radical polymerization of vinyl pyridine in the presence of acrylamide or allylamine as a comonomer. Various kinds of polymers with different chemical composition were synthesized by varying the feed ratio of monomers and their low $M_w$ polymers can be obtained by adding 2-mercaptoethanol as a chain transfer agent during poly-merization. All the polymers showed good adhesion properties on Cu pad when they were spin-coated. Especially, allylamine -containing copolymers showed both good adhesion and solubility properties. Also, they exhibited better thermal stability than PVP homopolymer and such thermal properties were changed depending on the chemical composition and their $M_w$, which were evidenced by the measurement of oxygen induced temperature (OIT). From the OIT measurement, poly(4-vinyl pyridine- co-allylamine) was thermally stable up to $230^{\circ}C$ for 70 min in the 100% oxygen environment. As a result, allylamine-containing copolymers can be considered as a promising OSP coating material that has excellent thermal and adhesive properties applicable to the present microelectronic package processes.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.39
no.3
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pp.93-97
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2006
Polymer light emitting diodes (PLEDs) are expected to be commercialized as next generation displays by advantages of the fast response time, low driving voltage and easy manufacturing process for large sized flexible display. Generally, the electrical and optical properties of PLEDs are affected by the surface conditions of transparent electrode. The PLED devices with ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al structures were prepared by using the spin coating method. For this, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)) Al 4083 and PVK(N-vinylcabozole) were used as hole injection and transport layers. The PFO-poss(poly(9,9-dioctylfluorene)) was used as the emitting layer. The dependence of $O_2$ plasma treatment of ITO electrode on the electrical and optical properties of PLEDs were investigated. The sheet resistances increased slightly with an improved surface roughness of ITO electrode as the RF power increased during $O_2$ plasma treatment. The PLED devices prepared on the ITO/Glass substrates, which were plasma-treated at 40 watt in RF power for 30 seconds under 40 mtorr $O_2$ pressure, showed the maximum external emission efficiency of 0.86 lm/W and the maximum luminance of $250\;cd/m^2$, respectively. The CIE color coordinates are ranged $X\;=\;0.13{\sim}0.18$ and $Y\;=\;0.10{\sim}0.16$, showing blue color. emission.
Gong Su Cheol;Back In Jea;Yoo Jae Hyouk;Lim Hun Seung;Chang Ho Jung;Chang Gee Keun
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.2
s.35
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pp.155-159
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2005
In this report, Polymer light emitting diodes (PLEDs) with an ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al structure were prepared by spin coating method on the glass substrate patterned ITO (indium tin oxide), using PEDOT:PSS(poly(3,4=ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)) as the hole transfer material and MEH-PPV(poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4-phenylenvinylene)) having a different concentration (0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 0.9, 1.5 wt$\%$) as the emitting material. The electrical and optical properties of the prepared PLED samples were investigated. The good electrical and optical properties were observed for the PLED samples with a MEH-PPV concentration ranging from 0.5 to $0.9 wt\%$. However, the current and luminance values for PLED sample with $1.5 wt\%$ of MEH-PPV decreased greatly. The maximum luminance and light efficiency for the PLEDs with concentration of $0.5 wt\%$ MEH-PPV were $409 cd/m^2$ and 4.90 Im/W at 9 V, respectively. The emission spectrums were found to be $560{\~}585 nm$ in wavelength showing orange color.
Mohapatra, Priyaranjan;Dung, Mai Xuan;Choi, Jin-Kyu;Jeong, So-Hee;Jeong, Hyun-Dam
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.32
no.1
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pp.263-272
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2011
Highly luminescent and monodisperse InP quantum dots (QDs) were prepared by a non-organometallic approach in a non-coordinating solvent. Fatty acids with well-defined chain lengths as the ligand, a non coordinating solvent, and a thorough degassing process are all important factors for the formation of high quality InP QDs. By varying the molar concentration of indium to ligand, QDs of different size were prepared and their absorption and emission behaviors studied. By spin-coating a colloidal solution of InP QD onto a silicon wafer, InP QD thin films were obtained. The thickness of the thin films cured at 60 and $200^{\circ}C$ were nearly identical (approximately 860 nm), whereas at $300^{\circ}C$, the thickness of the thin film was found to be 760 nm. Different contrast regions (A, B, C) were observed in the TEM images, which were found to be unreacted precursors, InP QDs, and indium-rich phases, respectively, through EDX analysis. The optical properties of the thin films were measured at three different curing temperatures (60, 200, $300^{\circ}C$), which showed a blue shift with an increase in temperature. It was proposed that this blue shift may be due to a decrease in the core diameter of the InP QD by oxidation, as confirmed by the XPS studies. Oxidation also passivates the QD surface by reducing the amount of P dangling bonds, thereby increasing luminescence intensity. The dielectric properties of the thin films were also investigated by capacitance-voltage (C-V) measurements in a metal-insulator-semiconductor (MIS) device. At 60 and $300^{\circ}C$, negative flat band shifts (${\Delta}V_{fb}$) were observed, which were explained by the presence of P dangling bonds on the InP QD surface. At $300^{\circ}C$, clockwise hysteresis was observed due to trapping and detrapping of positive charges on the thin film, which was explained by proposing the existence of deep energy levels due to the indium-rich phases.
We successfully fabricated 4.7-inch organic thin film transistors array with $640{\times}480$ pixels on flexible substrate. All the processes were done by photolithography, spin coating and ink-jet printing. The OTFT-Electrophoretic (EP) pixel structure, based on a top gate OTFT, was fabricated. The mobility, ON/OFF ratio, subthreshold swing and threshold voltage of OTFT on flexible substrate are: 0.01 ^2/V-s, 1.3 V/dec, 10E5 and -3.5 V. After laminated the EP media on OTFT array, a panel of 4.7-inch $640{\times}480$ OTFT-EPD was fabricated. All of process temperature in OTFT-EPD is lower than $150^{\circ}C$. The pixel size in our panel is $150{\mu}m{\times}150{\mu}m$, and the aperture ratio is 50 %. The OTFT channel length and width is 20 um and 200um, respectively. We also used OTFT to drive EP media successfully. The operation voltages that are used on the gate bias are -30 V during the row data selection and the gate bias are 0 V during the row data hold time. The data voltages that are used on the source bias are -20 V, 0 V, and 20 V during display media operation.
Kim, Eun-Young;Myung, Sung-Hyun;Lee, Young-Hee;Kim, Han-Do
Clean Technology
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v.18
no.4
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pp.366-372
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2012
Three acrylic copolymers containing tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (AlQ3) pendant group (25 wt%), acrylateco-HEMA-$AlQ_3$ (25 wt%), were successfully synthesized by free radical polymerization from acrylates [methyl methacrylate (MMA), acrylonitrile (AN) or 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA)] with HEMA functionalized with AlQ3 pendant groups (HEMA-p-$AlQ_3$). The glass transition temperatures ($T_g$) of MMA-co-HEMA-p-$AlQ_3$ (copolymer 1), AN-co-HEMA-p-$AlQ_3$ (copolymer 2) and HEMA-co-HEMA-p-$AlQ_3$ (copolymer 3) were found to be 158, 150 and $126^{\circ}C$, respectively. They have good thermal stability: a very desirable feature for the stability of OLEDs. Their solubility, thermal properties, UV-visible absorption and photoluminescence behaviors were investigated. They were found to be soluble in various organic solvents such as tetrahydrofuran (THF), dimethylformamide (DMF), toluene and chloroform. It was also found that the UV-visible absorption and photoluminescence behaviors of these copolymers were similar to those of pristine $AlQ_3$. Green organic light-emitting diodes (OLEDs) have also been fabricated using these copolymers as light emission/electron transport components obtained easily by spin coating, and their current density voltage (J-V) curves were compared. The OLED device of the copolymer 3 had the lowest turn-on voltage of about 2 V compared to other copolymer types devices.
We prepared the side-chain type nonlinear optical NPP(N-(6-nitrophenyl)-(L)-prolinol) polymer films by spin coating method. Ellipsometric spectra were in situ collected by using spectroscopic phase modulated ellipsometer while the NPP polymer films were being corona poled at the temperature above glass transition. We calculated film thickness and the refractive index dispersion by modeling the spectro-ellipsometry data in transparent region. We also calculated the refractive index and the extinction coefficient of the polymer films by numerically inverting the spectro-ellipsometry data in absorbing region, while the previously determined film thickness was used. The independently determined extinction coefficient spectra from the analysis of transmission spectra were compared with those by spectro-ellipsometry and they showed an excellent agreement with each other. From the analysis of the complex refractive index change of the NPP polymer thin films induced by the corona poling, we could determine the vertical complex refractive index and the horizontal complex refractive index separately. Using the volume fraction of the vertical component f⊥, the degree of poling of poled NPP polymer films was quantitatively addressed. It is suggested that the present method can be used to quantitatively address the degree of poling in an absolute manner and to depth profile the poled fraction of thick polymer films. It will be useful to understand the structural change of polymer films and hence the poling mechanism during the poling process.
Kim, Yeong-Min;Gang, Il;Ryu, Seong-Rim;Gwon, Sun-Yong;Jang, Geon-Ik
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.279-279
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2007
비휘발성 메모리 Fe-RAM은 빠른 정보처리 속도와 전원공급이 차단되었을 때도 계속 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 특징과 더불어 저전압, 저전력 구동의 장점이 있어서, 차세대 메모리로 많은 주목을 받고 있다. FeRAM에 사용되는 강유전체는 주로 Pb(Zr,Ti)$O_3$가 적용되었는데, 최근에는 비납계 강유전체의 연구도 활발히 이루어지고 있다. 이러한 비납계 강유전체 중에서 가장 특성이 우수한 물질은 $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}$ (BLT) 이다. 그런데 BLT는 결정 방향에 따른 강한 이방성의 강유전 특성을 나타내기 때문에 BLT 박막을 이용하여 Fe-RAM 소자 등을 제작하기 위해서는 결정의 방향성을 세심하게 제어하는 것이 매우 중요하다. 지금까지 연구된 BLT 박막의 방향성 조절결과를 보면, BLT 박막을 스핀 코팅 법 (spin coating method)으로 증착하고, 핵생성 열처리 단계를 조절하여 무작위 방향성을 갖는 박막을 제조하는 방법이 일반적이었다. 그런데 이러한 스핀 코팅법에서의 핵생성 단계의 제어는 공정 조건 확보가 너무 어려운 단점이 있다. 이러한 어려움을 극복할 수 있는 대안은 스퍼터링 증착법(sputtering deposition method), PLD (pulsed laser deposition)법 등과 같은 PVD (physical vapor deposition) 법의 증착방법을 적용하는 것이다. PVD 법으로 증착하는 경우에는 이미 박막 내에 무수한 결정핵이 존재하기 때문에 핵생성 단계가 필요가 없게 된다. PVD 증착법의 적용을 위해서는 타겟의 제조 및 평가 실험이 선행되어야 한다. 그런데 벌크 BLT 재료의 소결공정 조건과 전기적 특성에 관한 연구 결과는 거의 발표가 되지 않고 있다. 본 실험에서는 $Bi_2O_3,\;TiO_2,\;La_2O_3,\;Nb_2O_5\;and\;Al_2O_3$ 분말들을 이용하여 최적의 조성을 구하기 위하여 $Nb^{+5}$ 와 $Al^{+3}$을 $Ti^{+4}$ 자리에 소량 치환시켜 제조하였다. 혼합된 분말을 하소 후 pellet 형태로 성형하여 소결을 실시하였다. 시편을 1mm 두께로 연마하고, 양면에 silver 전극을 인쇄하여 전기적 특성을 측정하였다. 측정결과 $Ti^{+4}$ 자리에 $Nb^{+5}$를 치환하여 제조한 시편에서 $2P_r{\sim}31\;{\mu}c/cm^2$정도의 매우 우수한 특성을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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