The effect of C12A7 and OH group on the synthesis of C3A by the sol-gel process using aluminum-sec-butoxide and calcium nitrate was studied. C3A by sol-gel method was compared with C3A obtained by the conventional method with respect to their reactivity of formation and crystal size. The sol-gel process for initial formation of C12A7 and C3A at lower temperature (1100, 1200$^{\circ}C$) was superior, but that for complete crystallization of C3A at higher temperature (1300, 1400$^{\circ}C$) was inferior to oxide mixture process. When heat treated under the atmosphere oxygen-free dried nitrogen eliminate the influence of OH group in C12A7, the reactivity of C3A from sol-gel sample incorporated OH group were poor, whereas that from oxide mixture sample showed remarkable effect. The poor crystallization of C3A at higher temperature is presumed to be due to the fact that incorporated OH group in C12A7 formed at lowr temperature might interrupt the diffusion of CaO to C12A7 to from C3A. The crystal size and the hydration characteristics of both C3A obtained by different processes exhibited almost the same results.
졸겔법중 딥코팅법을 이용하여 조성비 2Fe/Ba=5.25 졸로부터 바륨페라이트 박막을 제조하였다. 졸의 겔화과정은 4단계로 구분할 수 있으며, 8$0^{\circ}C$에서 90분간 반응시켜 제조한 졸이 코팅용 졸로서 가장 적합한 특성을 나타내었다. 박막층에 형성된 침상 형태의 입자들은 기판에 수평 하게 위치하고 있었으며, 박막 두께가 증가함에 따라 그 경향은 증가하였다. 침상형 입자의 자화용이축 방향은 장축 방향이었다.
The (0.8PPV+0.2DMPPV) copolymer and silica/borosilicate composites were synthesized by sol-gel process. The organic-inorganic hybrid solution was prepared by using of (0.8PPV+0.2DMPPV) copolymer precursor solution as a raw material for organic components and TEOS and TMB for glass components. Then by drying the solution in vacuum at 5$0^{\circ}C$ for 7days and subsequent heat treatment in vacuum at 15$0^{\circ}C$~30$0^{\circ}C$ for 2h~72h with heating rate of 0.2$^{\circ}C$/min and 1.8$^{\circ}C$/min, the organic-inorganic composites were synthesized. Microstructural evolution of the composites was characterized by DSC, IR spectrocopy, UV/VIS spectroscopy, and TEM. Elimination of the polymer precursor and degradation of the polymer were observed by DSC and Si-O and trans C=C absorption peaks were identified by IR spectra. The polymer was found to be successfully incorporated into the glass matrix and it was confirmed by the absorption peaks from the polymer in the UV/VIS spectra and the TEM results. The absorption peak of the composites was found to shift toward short wavelength side compared to that of the pure polymer and the amount of the blue shift increased with increasing the heat treatment temperature and heat treatment time and with decreasing the heating rate.
Phase transition, dielectric properties, and leakage current characteristics of Ta2O5 thin film fabricated by sol-gel process with tantalum penta-n-butoxide were studied as a function of annealing temperature in O2 atmoshpere. Although Ta2O5 thin film annealed at temperatures below 700$^{\circ}C$ for 1 hr was amorphous, it was crystallized to ${\beta}$-Ta2O5 of orthorhombic phase by annealing at temperatures higher than 750$^{\circ}C$. With increasing annealing temperature from 500$^{\circ}C$ to 900$^{\circ}C$, dielectric constant of sol-gel processed Ta2O5 thin film was changed from 17.6 to 15.3 due to the increase of SiO2 thickness at Ta2O5/Si interface. For Ta2O5 thin film annealed at 500$^{\circ}C$ to 800$^{\circ}C$ for 1 hr in O2 atmosphere, leakage current was remarkably reduced and breakdown strength was increased with higher annealing temperature. For Ta2O5 film annealed at 800$^{\circ}C$, breakdown did not occur even at electric field strength of 30${\times}$105V/cm and leakage current was maintained lower than 10-8A/$\textrm{cm}^2$.
The transparent organic-inorganic hybrid films were prepared by the Sol-Gel process. PVP(polyvinylpyrrolidone) was used in organic component and TEOS(tetraethoxysilane) was used in inorganic component. HCI, $CH_{3}COOH$, and $NH_{4}OH$ were used as the Sol-Gel catalyst. The characteristics according to not only the variation of organic and inorganic contents but also the variation of catalyst species and contents were investigated. On the whole, the compatibility was remained between organic and inorganic components, and also as the TEOS contents were increased, mostly the transparency and the mechanical, thermal properties were improved. In addition, as content of catalysts was increased, the films showed characteristics that were closer to PVP than silica. Although the transparency of films was preserved in HCI and $CH_{3}COOH$, only the film containing more than 40wt% TEOS in $NH_{4}OH$ showed different phenomena.
Generally it requires high sintering temperatures more than 135$0^{\circ}C$ to make semiconductive BaTiO3 ceramics. Also it is very difficult to achieve a homogeneous mixing in solid-state reaction method. Therefore the liquid phase distributed to non-uniform dilute the characteristics of PTCR. In order to improve the uniformity this study is used the sol-gel coating method. Using this method we studied the new manufacturing process that had a high reproducibility and mass production capability. Tetraethyl orthosilicate (TEOS) was used as a source of Si. The semiconductive BaTiO3 ceramics which was produced by sol-gel method for the SiO2 addition and sintered between 124$0^{\circ}C$ and 130$0^{\circ}C$ showed almost same resistivity at room temperature among 125$0^{\circ}C$ and 130$0^{\circ}C$. As the results We could be sintered the semiconducting BaTiO3 ceramics at lower temperature even at 125$0^{\circ}C$ maintaining the same specific resistivity ratio ($\rho$max/$\rho$min) at 130$0^{\circ}C$. The specific resistivity both below and above the Curie temperature were increased by slow cooling and the steepness of the plots in the reasion of transition from low to high resistance increased as the cooling rate decreased.
Sol-gel법을 적용하여 $12CaO{\cdot}7Al_2O_3$(C12A7) 전자화물 박막을 제조하기 위해 CaO-$Al_2O_3$ sol을 제조하여 dip 코팅법을 적용하여 quartz 기판에 박막을 형성하였으며 열처리를 통해 C12A7의 박막을 제조하였다. C12A7 상의 형성 $800^{\circ}C$에서 시작되었고 $1,200^{\circ}C$ 온도에서 1시간 열처리를 통해 치밀화된 박막을 제조할 수 있었다. 제조된 C12A7 박막은 부도체였지만 수소 환원 분위기 열처리를 통해 전기전도도를 나타내기 시작했으며 $1,200^{\circ}C$ 48시간 열처리 시 120 S/cm의 전기전도도를 나타내었다.
본 연구에서 적용한 솔-젤 공정은 반응 초기에 금속 이온들과 구연산의 킬레이트화 반응에 의하여 진행되었다. 솔젤과 열처리 과정을 거쳐 얻은 젤 분말의 열분석 결과, YAG를 얻기 위한 젤 분말의 소성온도는 $900^{\circ}C$ 이상 되어야 하며 소성온도가 증가함에 따라 생성되는 YAG의 결정도가 향상되었다. 솔-젤 반응 시 구연산을 사용하여 얻은 젤 분말을 소성시켜 얻은 YAG는 불규칙한 다공성 구조를 가진 조각들로 구성되었으며, YAG 입자크기 조절을 위하여 유기첨가물의 영향을 고찰하였다. 유기산 보조제인 에틸렌 글리콜은 솔-젤 반응 초기에 구연산과 중합반응을 통하여 그물 망상구조를 형성하여 용액 내 금속이온들의 반응영역을 효과적으로 분리시켜 YAG를 미세화 시켰으며, 계면활성제인 Igepal 630은 에멀젼에 의한 용액 내 방울(droplet)을 형성하여 YAG 응집체를 구성하는 입자들의 크기를 증가시켰다. 그러나 YAG형태는 크게 개선되지 않았기 때문에 젤 분말로부터 균일한 YAG를 제조하기 위하여, 응집체 크기 감소와 균질 크기를 갖도록 젤 분말을 건식분쇄 하였다. 이러한 결과로부터 솔-젤 반응을 거쳐 얻은 젤 분말을 소성 전에 분쇄하는 것은 최종 YAG산화물의 입도제어에 아주 중요한 공정임을 알 수 있었다.
The rapid thermal annealing effects of Sol-Gel derived ferroelectric PZT thin films were investigated. It was found that rapid thermal annealing(RTA) of spin coated thin films on silicon typically >$800^{\circ}C$ for about 1 min. was changed to the perovskite phase. Rapid thermally annealed films recorded maximum remanent polarization of about 5 .mu.C/cm$^{2}$, coercive field of around 30kV/cm. The switching time for polarization reversal was about 220ns. The films of RTA process showed smooth surface, and high breakdown voltages of over 1 MV/cm and resistivity of $1{\times}{10^12}$ .ohm.cm at 1 MV/cm. It was verified that the polarization reversal of the PZT film was varied partially with applying the multiple short pulse.
Kim, Sang-Jin;Yun, Seok-Min;Kim, Hyuk;Kim, Jong-Gyu;Lee, Young-Seak
Carbon letters
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제10권2호
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pp.123-130
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2009
Multi-elements doped $TiO_2$ was prepared as a new photocatalyst in order to decrease the band gap of $TiO_2$ by sol-gel process which can provide the large active sites of $TiO_2$. Multi-elements were doped by using a single precursor, tetraethylammonium tetrafluoroborate (TEATFB). By the benefit of large specific surface area of $TiO_2$ prepared by sol-gel process, catalysts showed initial fast removal of dye. The photoactivity showed that the doped catalysts significantly promote the light reactivity than undoped $TiO_2$. The commendable photoactivity of prepared catalysts is predominantly attributable to the doping of anions which may reduce the band gap.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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