• 제목/요약/키워드: small signal gain

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XeCl 레이저 증폭기의 활성기체 압력에 따른 포화 에너지 밀도와 소신호 이득계수 측정 (Measurements of Saturation Energy Denity and Small Signal Gain Coefficient Dependent on the Active Gas Pressure in XeCl Laser Amplifier)

  • 김규옥;김용평
    • 한국광학회지
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    • 제5권4호
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    • pp.457-460
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    • 1994
  • XeCl 레이저 증폭기의 포화 에너지 밀도와 소신호 이득계수를 활성기체의 압력을 변화시키면서 측정하였다. Xe이 30mb, He이 2000mb일 때, HCl이 34, 52, 73, 92으로 압력이 높아짐에 따라 포화 에너지 밀도는 1.3, 1.45, 2.0, $2.3mJ/\textrm{cm}^2$로 거의 선형적으로 증가하였지만 소신호 이득계수는 6.5, 7.5, 7.0, 7.0%/cm로 거의 변화하지 않았다.

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이득-제어 가능한 정밀 전파 정류기에 관한 연구 (A study for gain-controllable precision full-wave rectifier)

  • 이주찬;박동권;차형우
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.1149-1152
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    • 1999
  • A gain controllable precision full-wave rectifier for the measurements of small-signal voltage is presented. It consists of gain controllable inverter superdiode and noninverter superdiode. The results of simulation with PSpice and experiment on breadboard show that the proposed rectifier has the characteristic of precise rectification and amplification for small signal voltage.

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An Accurate Small Signal Modeling of Cylindrical/Surrounded Gate MOSFET for High Frequency Applications

  • Ghosh, Pujarini;Haldar, Subhasis;Gupta, R.S.;Gupta, Mridula
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제12권4호
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    • pp.377-387
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    • 2012
  • An intrinsic small signal equivalent circuit model of Cylindrical/Surrounded gate MOSFET is proposed. Admittance parameters of the device are extracted from circuit analysis and intrinsic circuit elements are presented in terms of real and imaginary parts of the admittance parameters. S parameters are then evaluated and justified with the simulated data extracted from 3D device simulation.

Small-Signal Analysis of a Differential Two-Stage Folded-Cascode CMOS Op Amp

  • Yu, Sang Dae
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권6호
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    • pp.768-776
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    • 2014
  • Using a simplified high-frequency small-signal equivalent circuit model for BSIM3 MOSFET, the fully differential two-stage folded-cascode CMOS operational amplifier is analyzed to obtain its small-signal voltage transfer function. As a result, the expressions for dc gain, five zero frequencies, five pole frequencies, unity-gain frequency, and phase margin are derived for op amp design using design equations. Then the analysis result is verified through the comparison with Spice simulations of both a high speed op amp and a low power op amp designed for the $0.13{\mu}m$ CMOS process.

셀레늄증기 다중광선레이저의 헬륨 순도에 따른 광이득과 출력특성 (optical gain and output characteristic of selenium vapour multiline laser on purity of helium)

  • 최상태
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.60-65
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    • 2002
  • 본 연구의 목적은 헬륨의 순도가 셀레늄증기 레이저에서의 출력특성과 광이득에 미치는 영향을 측정, 비교해보는 것이다. 헬륨의 순도는 특수 헬륨필터로써 개선하였다. 본 측정에서는 개개의 선들이 복굴절필터에 의해서 선택 되어졌다. 대부분의 선들이 헬륨필터를 사용한 레이저에서 더 높은 output-coupling 출력과 소신호 이득을 보여 주고, 특히 강력한 선들(497.6 nm, 499.3 nm, 506.9 nm, 517.6 nm, 522.8 nm, 530.5 nm)과 청색선(460.4 nm, 464.8 nm)및 적색선(644.4 nm, 649.1 nm)에서 현저히 더 높은 값을 보여 준다.

헬륨 동위원소를 사용한 셀레늄증기레이저에서의 광이득과 출력틀성에 관한 연구 (A study on optical gain and output-coupling power of selenium vapour laser using isotope helium)

  • 최상태
    • 한국광학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.114-118
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    • 2000
  • 현재까지 62개의 레이저선이 발견된 셀레늄증기 다중광선레이저에서 일반적으로 사용하는 $^4He$ 대신에 동위원소인 $^3He$을 펌핑가스로 최초로 사용하여 개개의 레이저선들에 대한 광이득과 레이저의 출력특성을 연구하였다. 대부분의 선들이 $^4He$ 방전보다 $^3He$ 방전에서 더 높은 output-coupling 출력과 소신호 이득을 보여 주었고, 특히 갈력한 설들(497.6 nm, 499.3 nm, 506.9 nm, 517.6 nm, 522.8 nm, 530.5 nm)은 2배의 output-coupling출력과 25% 더 높은 소신호 이득을 보여 주었다.

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헬륨 동위원소 및 헬륨필터를 사용한 셀레늄증기 다중광선레이저의 출력특성에 관한 연구 (A study on output power characteristic of selenium vapour multiline laser using isotope helium and helium filter)

  • 최상태
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제18권2호
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    • pp.16-22
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    • 2004
  • 다중광선레이저인 셀레늄증기레이저에서 일반적으로 사용하는 $^4$He 대신에 동위원소인 $^3$He 펌핑가스로 사용하여 개개의 레이저선들에 대한 광이득과 레이저의 출력특성을 연구하였다. 또한 출력에 영향을 주는 헬륨의 순도는 특수 헬륨필터로써 개선하였다. Output-coupling 출력과 소신호이득은 $^4$He의 경우 보다 $^3$He을 사용한 경우에 대부분의 선들에서 더 높게 나타났다. 특히 강력한 선들(497.6 nm, 499.3 nm, 506.9 nm, 517.6 nm, 522.8 nm, 530.5 nm)에서는 소신호 이득이 약 30% 더 높게, Output-coupling 출력은 2 배에서 3 배까지 더 높은 값을 보여 주었다.

전력용 AlGaAs/GaAs HBT의 제작과 소신호 등가 회로 추출에 관한 연구 (A study on the fabrication and the extraction of small signal equivalent circuit of power AlGaAs/GaAs HBTs)

  • 이제희;우효승;원태영
    • 전자공학회논문지A
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    • 제33A권6호
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    • pp.164-171
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    • 1996
  • We report the experimental resutls on AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with carbon-doped base structure. To characterize the output power, load-pull mehtod was employed. By characterizing the devices with HP8510C, we extracted the small-signal equivalent circuit. The HBTs were fabricated employing wet mesa etching and lift-off process of ohmic metals. the implementation of polyimide into the fabriction process was accomplished to obtain the lower dielectric constant resultig in significant reduction of interconnect routing capacitance. The fabricated HBTs with an emitter area of 6${\times}14{\mu}m^{2}$ exhibited current gain of 45, BV$_{CEO}$ of 10V, cut-off frequency of 30GHz and power gain of 1 3dBm. To extract the small signal equivalent circuit, the de-embedded method was applied for parasitic parameters and the calculation of circuit equations for intrinsic parameters.

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Simulation and Experimental Validation of Gain-Control Parallel Hybrid Fiber Amplifier

  • Ali, Mudhafar Hussein;Abdullah, Fairuz;Jamaludin, Md. Zaini;Al-Mansoori, Mohammed Hayder;Al-Mashhadani, Thamer Fahad;Abass, Abdulla Khudiar
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제18권6호
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    • pp.657-662
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    • 2014
  • We demonstrate a simulation of a parallel hybrid fiber amplifier in the C+L-band with a gain controlling technique. A variable optical coupler is used to control the input signal power for both EDFA and RFA branches. The gain spectra of the C+L-band are flattened by optimizing the coupling ratio of the input signal power. In order to enhance the pump conversion efficiency, the EDFA branch was pumped by the residual Raman pump power. A gain bandwidth of 60 nm from 1530 nm to 1590 nm is obtained with large input signal power less than -5 dBm. The gain variation is about 1.06 dB at a small input signal power of -30 dBm, and it is reduced to 0.77 dB at the large input signal power of -5 dBm. The experimental results show close agreement with the simulation results.

Cavity-dumping형 Nd:glass laser의 제작 및 특성 조사 (Investigation on the characteristics of a cavity-dumped Nd:glass laser)

  • 차용호;강응철;남창희
    • 한국광학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.130-134
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    • 1995
  • 이득 선폭이 넓고 가공이 쉬원 고출력 제이저의 증폭 이득 매질로 유리한 Nd:glass 이득 매질의 소신호 이득 계수를 측정하고 이 Nd:glass를 이용하여 제작한 cavity-dumping형 레이저의 출력 특성을 조사하였다. 소신호 이득 계수를 측정하기 위해 Nd:glass, Pockels cell, 편광분할기 등을 포함하는 공진기를 구성하였으며, 측정된 소신호 이극 계수는 전기 입력 에너지가 100J일 때 $0.088 cm_{-1}$ 공진기의 왕복 내부 손실은 56%였다. Cavity-dumping형 레이저 공진기는 곡률반경이 2m인 두개의 전반사경과 Nd:glass, Pickels cell, 편광분할기, $\lambda/4$ plate 등으로 구성되었으며 제작된 레이저의 출력 에너지는 전기 입력 에너지가 140J일 때, 최대 0.85J이었고 출력 레이저 펄스폭은 8ns였다.

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