Dependence of Low-frequency Noise and Device Characteristics on Initial Oxidation Method of Plasma-nitride Oxide for Nano-scale CMOSFET (Nano-CMOSFET를 위한 플라즈마-질화막의 초기 산화막 성장방법에 따른 소자 특성과 저주파 잡음 특성 분석)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.20 no.1
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- pp.1-7
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- 2007