Characteristics of Metal-Oxide- Semiconductor (MOS) Devices with Tungsten Silicide for Alternate Gate Metal (텅스텐 실리사이드를 차세대 게이트 전극으로 이용한 MOS 소자의 특성 분석)
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- Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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- v.38 no.7
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- pp.513-519
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- 2001