• 제목/요약/키워드: shift device

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Layer Thickness-dependent Electrical and Optical Properties of Bottom- and Top-emission Organic Light-emitting Diodes

  • An, Hui-Chul;Na, Su-Hwan;Joo, Hyun-Woo;Kim, Tae-Wan
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제10권1호
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    • pp.28-30
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    • 2009
  • We have studied organic layer-thickness dependent electrical and optical properties of bottom- and top-emission devices. Bottom-emission device was made in a structure of ITO(170 nm)/TPD(x nm)/$Alq_3$(y nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm), and a top-emission device in a structure of glass/Al(100 nm)/TPD(x nm)/$Alq_3$(y nm)/LiF(0.5 nm)/Al(25 nm). A hole-transport layer of TPD (N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine) was thermally deposited in a range of 35 nm and 65 nm, and an emissive layer of $Alq_3$ (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum) was successively deposited in a range of 50 nm and 100 nm. Thickness ratio between the hole-transport layer and the emissive layer was maintained to be 2:3, and a whole layer thickness was made to be in a range of 85 and 165 nm. From the current density-luminance-voltage characteristics of the bottom-emission devices, a proper thickness of the organic layer (55 nm thick TPD and 85 nm thick $Alq_3$ layer) was able to be determined. From the view-angle dependent emission spectrum of the bottom-emission device, the peak wavelength of the spectrum does not shift as the view angle increases. However, for the top-emission device, there is a blue shift in peak wavelength as the view angle increases when the total layer thickness is thicker than 140 nm. This blue shift is thought to be due to a microcavity effect in organic light-emitting diodes.

변속기 및 모터 손실을 고려한 TMED Type DCT PHEV의 CS 모드 주행 시 변속맵 개발 (Development of Shift Map for TMED Type DCT PHEV in Charge Sustaining Mode considering Transmission and Motor Losses)

  • 전성배;배경국;위준범;남궁철;구창기;이지석;황성호;김현수
    • 한국자동차공학회논문집
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    • 제25권3호
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    • pp.367-373
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    • 2017
  • In this paper, a new shift map was proposed to improve the fuel economy of a transmission mounted electric device(TMED) type dual clutch transmission(DCT) plug-in hybrid electric vehicle(PHEV) by considering transmission and motor losses. To construct the shift map, powertrain efficiencies of the engine-DCT-motor were obtained at each gear step. A shift map that provides the highest powertrain efficiency was constructed for the given wheel torque and vehicle speed. Simulation results showed that the fuel economy of the target PHEV can be improved by the new shift map compared with the existing engine optimal operating line(OOL) shift control.

휴대용 멀티미디어 디바이스를 위한 TPO(Time, Place, Occasion)-Shift 시스템 설계에 대한 연구 (Research on the Design of TPO(Time, Place, 0Occasion)-Shift System for Mobile Multimedia Devices)

  • 김대진;최홍섭
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.9-16
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    • 2009
  • 광대역 네트워크의 발달과 함께 멀티미디어 산업의 발달은 IPTV와 같은 디지털 콘텐츠 시장의 확산을 가져오고 있다. 이러한 배경 속에서 멀티미디어에 대한 욕구를 만족시키기 위해 Time-Shift 시스템이 개발되었다. 이 시스템은 시간(Time)에 대한 독립적 특성만 강조되었기 때문에 장소(Place)와 상황(Occasion)에 대해서는 독립적이지 못하다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 본 논문에서는 휴대용 멀티미디어 디바이스를 위한 TPO(Time, Place, Occasion)-Shift 시스템에 대한 설계를 제안한다. 휴대용 멀티미디어 디바이스에서 지원 가능한 프로파일과 일반 셋탑박스에서 지원 가능한 프로파일은 다르고, 휴대용 디바이스에서는 대용량의 멀티미디어 데이터를 무한정으로 저장할 수 없기 때문에 한정된 양의 데이터를 원하는 프로파일로 계속저장하는 것이 설계의 핵심이다. 따라서 보다 효율적인 버퍼 관리를 위해서 지정시간 단위의 바스켓을 구성하고, 바스켓의 파일이름에 시간정보를 삽입함으로써 새로운 콘텐츠 구성을 위한 DTS(Decoding Time Stamp) 정보로 파일이름을 사용할 수 있다. 따라서 트랜스코딩을 통하여 데이터 변환할 때, DTS정보를 이용하여 새로운 포맷의 콘텐츠를 휴대용 멀티미디어 디바이스에 구성할 수 있게 된다. 또한 바스켓 기반의 버퍼시스템를 이용하여 모바일 디바이스에 실시간으로 컨텐츠를 구성하고 셋탑박스내에서 메모리를 적게 사용한다. 본 논문에서 제안한 TPO-Shift시스템은 윈도우즈 비스타의 환경에서 다이렉트쇼(Directshow) 재생기를 이용한 셋탑박스, 그리고 휴대용 디바이스인 MS340 단말기로 구현하였으며, 실시간으로 TPO-Shift 시스템을 충분히 실행함을 확인할 수 있었다.

소자열화로 인한 Static 형 입력버퍼의 성능저하 (The Performance Degradation of Static Type Input Buffers due to Device Degradation)

  • 김한기;윤병오
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.561-564
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    • 1998
  • This paper describes a performance degradation of static type input buffer due to the device degradation in menory devices using $0.8\mu\textrm{m}$ CMOS process. experimental results shows that the degradation of MOS device affects the Trip Point shift in static type input buffer. We have performed the spice simulation and calculated the Trip Point with model parameter and measurement data so that how much the Trip Point(VLT) variate.

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적색 도펀트가 도핑된 발광층을 갖는 유기발광다이오드에서의 컬러 시프트 메커니즘 연구 (Study on Color Shifting Mechanism for Organic Light Emitting Diode with Red Dopant-doped Emitting Layer)

  • 이호년;오태식
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제12권10호
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    • pp.4590-4599
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    • 2011
  • 컬러 시프트 현상은 다양한 색상을 생성하는 유기발광다이오드 소자에 있어서 발광 색상의 순도를 저하시키는 주요 원인으로 작용되어지고 있다. 본 연구에 적용한 유기발광다이오드 소자의 기본 구조는 ITO/${\alpha}$-NPD/$Alq_3$:DCJTB [wt%]/$Alq_3$/Mg:Ag로 구성되어지며, 컬러 시프트가 일어나는 메커니즘을 규명하기 위하여 유기발광다이오드 소자 내에서의 전기광학적인 특성 요인들을 수치 해석하였다. 또한 DCJTB[wt%]의 도핑 농도 비율을 변화시켜 가면서 컬러 시프트의 원인을 조사하였다. 그 결과, 발광층과 정공 수송층의 경계면에서 발생되어지는 호스트에 트랩된 전자들과 자유 정공들 그리고 게스트에 트랩된 정공들과 자유 전자들에 의한 재결합율의 변화가 컬러 시프트 현상의 주요 요인들 중의 하나임을 확인하였다.

간단한 Analog 기억장치의 제작과 그 응용 (A Simple Fast Analog Storage Device and Its Applications)

  • 배인태;최규원;김하석
    • 대한화학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.103-109
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    • 1981
  • 큰 입력지향을 갖는 20개의 sample and hold가 MOSFET으로 switching되는 간편하면서도 비용이 적게드는 analog 기억장치를 제작하였다. 이것은 digital로 3KHz.까지 임의로 조절되는 shift register로 연결되어 있다. 이 장치의 유용성을 보이기 위해 square와 sine파 및 fast-scan voltammetry와 differential pulse polarography의 전류-시간 변화와 같은 전기화학적 실험을 행하였다.

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표면 EMG신호의 상관함수를 이용한 손의 움직임 검출 (Detection of Hand Motions using Cross-correlation of Surface EMG)

  • 이용희;최천호;김순석;김동호
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제29권3호
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    • pp.205-211
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    • 2008
  • A method of detecting the specific patterns related to hand motions using the surface EMG(electromyogram) on an arm is proposed and tested. To do this, we obtain separately modeling parameters based on the LP, Prony estimator, and calculate the latency shift value between channels by cross-correlation function. Then, the coefficients and latency shift value are applied to the detection method to classify the EMG signals related to hand motions. Compared with the conventional methods, the present method are more useful to detect the motion intention of the user as an input device in the mobile and wearable computing environments. And, We expect that the results of this study are helpful in the development of rehabilitation devices for the handicapped.

An Optical Graphene-silicon Resonator Phase Shifter Suitable for Universal Linear Circuits

  • Liu, Changling;Wang, Jianping;Chen, Hongyao;Li, Zizheng
    • Current Optics and Photonics
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    • 제6권1호
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    • pp.15-22
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    • 2022
  • This paper describes the construction of a phase shifter with low loss and small volume. To construct it, we use the two graphene layers that are separated by a hexagonal boron nitride (hBN) and embedded in a silicon waveguide. The refractive index of the waveguide is adjusted by applying a bias voltage to the graphene sheet to create an optical phase shift. This waveguide is a compact device that only has a radius of 5 ㎛. It has a phase shift of 6π. In addition, the extinction ratio (ER) is 11.6 dB and the insertion loss (IL) is 0.031 dB. Due to its unique characteristics, this device has great potential in silicon on-chip optical interconnection and all-optical multiple-input multiple-output processing.

Modular Backpropagation Network to Diagnosing Plasma Processing Equipment

  • Kim, Byungwhan
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2002년도 ICCAS
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    • pp.32.5-32
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    • 2002
  • Processing plasmas are playing a crucial role in either depositing thin films or etching fine patterns. Any variability in process factors (such as radio frequency power or pressure) can cause a significant shift in plasma state. When this shift becomes large enough to change operating condition beyond an acceptable level, overall product quality can greatly be jeopardized. Thus, timely and accurate diagnosis of plasma malfunction is crucial to maintaining device yield and throughput. Many diagnostic systems have been developed, including HIPOCRATES [1] and PIES [2]. Plasma equipment was also diagnosed by combining neural network and expert system called Dempster-Schafer Theory [3]. A fact c...

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폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석 (Analysis of Short-Channel Effect due to the 2D QM effect in the poly gate of Double-Gate MOSFETs)

  • 박지선;신형순
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.691-694
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    • 2003
  • Density gradient method is used to analyze the quantum effect in MOSFET, Quantization effect in the poly gate leads to a negative threshold voltage shift, which is opposed to the positive shift caused by quantization effect in the channel. Quantization effects in the poly gate are investigated using the density gradient method, and the impact on the short channel effect of double gate device is more significant.

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