Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.13
no.5
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pp.235-240
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2003
The development of large area GaN substrates is one of important issues in expanding of GaN-based applications. In order to investigate the possibility, GaN thick films were grown by a sublimation technique, using MOCVD-GaN films grown on a sapphire as a seed-crystal substrate and a commercial GaN powder as a source material. The pressure in chamber under the fixed flow rate of $N_2$ gas and $NH_3$ gas was kept at 1 atmosphere and the effects of the various processing parameters such as the distance between source material and seed crystal, the temperature of top- and bottom heater and the growth time during the growth of GaN thick film were investigated. The growth feature and microstructure of the GaN thick films were observed by SEM and XRD. The optical bandgap properties and the defects were evaluated by the PL measurement. By these results, the growth conditions such as the distance between the GaN source and the seed substrate, the growth temperature and the growth time were determined for the satisfied growth of GaN thick films.
The present study was undertaken to investigate the crystal growth onto human enamel mineral and synthetic hydroxyapatite(HA) seeds in media resembling the enamel fluid composition. Effects of fluoride at high concentrations on the precipitation were also examined in a bench-top crystal growth model adopting a miniaturized reaction column. The Ca, P and F concentrations and pH values of the inlet and outlet solutions were determined. The recovered solid samples were weighed to assess the amount of minerals precipitated during the experimental period, and finally viewed under a scanning electron microscope. Remarkable findings were that 1) both biological and synthetic seeds with the same total surface areas yielded similar amounts of crystal growth, 2) the amount of crystal growth was accelerated in a manner depending on fluoride concentrations in the media, 3) SEM observations disclosed that without the addition of fluoride, precipitation of thin, plate-like OCP crystals became prominent, but by increasing the fluoride concentration(beyond 1ppm F), rod-like crystals having a pointed edge were most frequently observed, without any evidence for precipitation of the plate-like crystals. Furthermore, the dimension of rod-like crystals was increased in proportion to fluoride concentrations, 4) there was no difference in the morphological feature of precipitated mineral phase upon seeding between human enamel seed and synthetic HA seed. The overall results support the view that the seeded crystal growth model is of value to gain insight into the mechanism of enamel crystal growth under fluoride regimens.
Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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1999.02a
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pp.43-46
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1999
The microstructure of Top Seed Milt-Processed $YBa_{2}$$Cu_{3}$$O_{7-\delta}$ single crystal was studied. It was presumed that the segregation of Y211 is due to the difference of growth rates between a, b axis and c axis in crystal direction. Corn kernel lide structure which was grown by the diffusion of Y211 was observed. At the near corner of the seed crystal, the diagonal line on Y123 cry crystal is formed by the corn kernel like structure.
Nd : YAl3(BO3)4 (NYAB) single crystal has been developed for green laser. In this experiment, we found K2O/3MoO3/0.5B2O3 to be a suitable flux for NYAB crystal growth, and grew NYAB crystal by TSSG method using this flux. By varying the cooling rate of solution, seed orientation, and rotation speed, the effects of these growth conditions on the crystal quality and its morphology were examined. Suitable growth conditiions were a cooling rate slower than 2.4$^{\circ}C$/day, the rotation speed of 25~30 rpm, and the <001> seed orienttion. The phases of grown crystal, coexisting and volatile materials were investigated by X-ray diffraction. In addition, the possiblity of laser action was examined by UV analysis.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.32
no.5
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pp.212-217
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2022
Large thermal stress due to the difference between silicon carbide and graphite's coefficients of thermal expansion could be formed during crystal growing process of silicon carbide (SiC) at high temperature. The large thermal stress could separate the SiC seed crystals from graphite components, which bring about the drop of the seed crystal during crystal growth. However, the bonding properties of SiC seed crystal module has hardly reported so far. In this study, SiC and graphite were bonded using 3 types of bonding agents and a three-point bending tests using a mixed-mode flexure test were conducted for the bonded samples to evaluate the bonding characteristics between SiC and graphite. Raman spectroscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy, and X-ray Computed Tomography were used to analyze the bonding characteristics and the microstructures of the SiC-graphite interfaces bonded with the bonding agents. As results, an excellent bonding agent was chosen to fabricate SiC seed crystal module with 50 mm in diameter. An SiC single crystal with 50 mm in diameter was successfully grown without falling out during top seeded solution growth of SiC at high temperature.
Lim, Tae Seop;Kim, Sung Jun;Kim, Sang Dong;Yang, Seung Cheol;Jung, Yeon Gil
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.4
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pp.123-130
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2020
Nano seed incorporated in micro-sized 4BS (Tetrabasic lead Sulfate) seed was applied to the positive electrode active material and compared with Nano 4BS seed (NS). The dispersion of NS decreased due to the aggregation phenomenon, while the nano seed incorporated in micro-sized 4BS seed (INS) could confirm excellent dispersion. As the content of INS increased, the particle size of the active material became small and constant, which was confirmed through SEM and particle size analysis. The specific surface area for the reaction was increased and the high-rate discharge and lifetime characteristics were improved. In order to confirm the variation in particle size distribution in the plate manufacturing process, internal resistance and voltage were measured for 200 AGM lead-acid batteries, and it was confirmed that batteries quality variation decreased.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.26
no.1
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pp.49-52
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2016
The effect of process parameters such as the growth pressure and temperature on the AlN crystal growth has been investigated. AlN crystal was grown onto 6H-SiC seed crystal using PVT (Physical Vapor Transport) method. Crystal properties and morphology of AlN crystal was changed with growth pressure and temperature. Raman analysis confirmed that AlN crystals with different orientation were successfully grown on SiC seed crystal.
This study was performed to evaluate the feasibility of industrial by-products such as converter slag, olivine, red mud and fly ash as a seed crystal of struvite crystallization for the removal of highly concentrated $NH_4-N$ and $PO_4-P$. In the kinetic experiments, more than 90% of $NH_4-N$ and $PO_4-P$ was eliminated by struvite crystallization within 30 minutes of reaction time. The pH range in meta-stable region of struvite crystallization was found to be pH 7.0~9.0 under the Mg:N:P=1:1:1 equi-molar condition with 100 mg/L of $NH_4-N$. Total removal efficiencies of $NH_4-N$ and $PO_4-P$ by both struvite precipitation and crystallization were increased with the increase of pH. Removal efficiencies of $NH_4-N$ and $PO_4-P$ were significantly enhanced by struvite crystallization using industrial by-products as a seed crystal compared with those by struvite precipitation without seed crystal. Red mud, converter slag, olivine and fly ash enhanced the removal efficiencies of $NH_4-N$ by 40.9%, 37.7%, 28.4% and 16.4%, respectively. Removal efficiencies of $PO_4-P$ for converter slag, red mud, fly ash, olivine were increased by 3.7 times, 2.6 times, 72.4% and 68.0%, respectively. Converter slag and red mud showed higher feasibility as a seed crystal than others for the removal of highly concentrated $NH_4-N$ and $PO_4-P$. In particular, converter slag might have a high capacity of phosphorus removal.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.2
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pp.166-176
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1996
The fundamental conditions for growing $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal, new nonlinear optical material, were investigated. Stoichiometirc mixture of $CsLiB_{6}O_{10}$ composition resulted in the crystal of the same composition in the process of heating at the temperature above $600^{\circ}C$. No phase transition was observed in the $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal in the temperature range of $600^{\circ}C~800^{\circ}C$, and $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal melted congruently at $850^{\circ}C$. When the melt of this composition was cooled at rates of $1~150^{\circ}C/hr$, glass state ingot was formed regardless of cooling rates. However, $CsLiB_{6}O_{10}$ crystals were formed directly from the melt at any cooling rate in the presence of $CsLiB_{6}O_{10}$ seed crystal in the melt. Transparent $CsLiB_{6}O_{10}$ single crystal was grown from the melt using the seed crystal at the growing rate of 0.06 mm/hr in the furnace having the temperature gradient of $100^{\circ}C/cm$. Analysis of the single crystal showed that the crystal belonged to the noncentrosymmetric tetragonal space group 142d and unit cell dimensions were $a=10.467(1)\;{\AA},\;c=8.972(1)\;{\AA}\;and\;V=983.0(2)\;{\AA}^3$. Optical absorption edge of the crystal was observed at 180mm and the crystal showed a good optical transparency (70% transmittance, sample thickness 0.5 mm) in the wide wavelength range above 300 nm.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.15
no.4
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pp.141-144
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2005
[ $(Y_{0.5}Sm_{0.25}Nd_{0.25})Ba_2Cu_3O_y$ ] [(YSN)-123] high $T_c$ composite superconductors with $CeO_2$ addition were systematically investigated by top seeded melt growth (TSMG) process in air atmosphere. A melt textured $NdBa_2Cu_3O_y$ (Nd-123) single crystal was used as a seed for achieving the c-axis alignment large grains perpendicular to the surface of (YSN)-123 composite oxides. The size of $(Y_{0.5}Sm_{0.25}Nd_{0.25})_2BaCuO_5$ [(YSN)211] nonsuperconducting inclusions of the melt textured (YSN)-123 samples with $CeO_2$ addition were remarkably reduced and uniformly distributed within the (YSN)123 superconducting matrix except in the region very close to the Nd-123 seed crystal. The sample showed a sharp superconducting transition of 91 K.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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