We used an etching process to control the line-width of screen printed Ag paste patterns. Ag paste was printed on anodized Al substrate to produce a high power LED. In general, Ag paste spreads or diffuses on anodized Al substrate in the process of screen printing; therefore, the line-width of the printed Ag paste pattern increases in contrast with the ideal line-width of the pattern. Smudges of Ag paste on anodized Al substrate were removed by neutral etching process without surface damage of the anodized Al substrate. Accordingly, the line-width of the printed Ag paste pattern was controlled as close as possible to the ideal line-width. When the etched Ag paste pattern was used as a seed layer for electroless Ni plating, the line width of the plated Ni film was similar to the line-width of the etched Ag paste pattern. Finally, in pattern formation by Ag paste screen printing, we found that the accuracy of the line-width of the pattern can be effectively improved by using an etching process before electroless Ni plating.
Bi$\_$0.7/Pb$\_$0.3/Sr$_1$Ca$_1$Cu$\_$1.8/Ox thick films were screen printed on magnesia(MgO), silver and yttrium stabilized zirconia (YSZ) substrates and were sintered in a boat with cover to prevent the evaporation. The high-Tc phase increase and the low-Tc phase and Ca$_2$PbO$_4$ decrease with an increase in sintering temperature from 835$^{\circ}C$ to 860$^{\circ}C$. YSZ substrate interact strongly with the oxide resulting in poor superconductor, while the Ag and MgO substrates were satisfactory to make screen printed superconductors. The Bi$\_$0.7/Pb$\_$0.3/Sr$_1$Ca$_1$Cu$\_$1.8/Ox thick films screen printed both on Ag and MgO substrates show high Tc phase of ~85% and Tc of 96K.
열 소결 공정 중 소결 온도와 시간을 다르게 하여 제작된 은 인쇄회로의 전기적 거동과 유연성을 분석하였다. 은 인쇄회로의 비저항값과 고주파 전송 특성을 4-포인트 프로브 및 네트워크 분석기를 사용하여 각각 측정하였다. 비저항값은 DC 전류가 회로에 흐를 때의 전기 저항을, 고주파 전송 특성은 은 회로의 신호 전송 특성을 의미한다. 은 인쇄회로의 유연성은 IPC 슬라이딩 테스트 중 발생하는 회로 저항의 변화를 실시간으로 측정하여 평가하였다. 은 인쇄회로의 파괴 모드는 주사전자 현미경과 광학 현미경을 통해 관측하였다. 폴리이미드 기판 위에 인쇄된 은 회로의 비저항값은 소결 온도와 소결 시간이 증가함에 따라 급격하게 감소하였다. $250^{\circ}C$에서 45분간 열 소결된 은 인쇄회로의 비저항값이 가장 낮았으며 그 때의 값은 $3.8{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$였다. 은 인쇄회로에서 발생한 균열은 슬라이딩 테스트 10만번 이후의 길이가 2.5만번 테스트 후의 균열보다 열 배는 더 길게 측정되었다. 측정된 전송계수와 반사계수는 전산모사 결과와 그 경향이 거의 일치하였으며 슬라이딩 테스트가 진행될수록 은 회로의 전송손실은 증가하였다.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.917-919
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2009
Effects of nano-silver contents(15~50wt%) on screen printed-etched gate electrodes and electrical characteristics of OTFTs were investigated. As Ag contents increased, the screen-printed film was transferred exactly without spreading and obtained the densely-packed layer with a stable and excellent conductivity but, its thickness was increased and surface became rougher. It was found that the leakage current of MIM devices and off-state currents of OTFTs became larger due to poor step coverage of PVP dielectric layer on the thick and rough gate electrodes for nano-Ag inks with Ag contents more than 30wt%.
인쇄전자소자 금속 배선의 고온 신뢰성 평가를 위해 스크린 프린팅 기법으로 도포된 Ag 박막과 폴리이미드 기판 사이의 계면접착력을 $200^{\circ}C$ 후속 열처리 시간에 따라 $180^{\circ}$ 필 테스트를 통해 평가하였고, 박리 계면 미세구조를 분석하였다. 후속 열처리 전 필 강도는 약 16.7 gf/mm 이었고, 열처리 24 시간 후 필 강도는 29.4 gf/mm까지 증가하였는데, 이는 초기 열처리에 의해 접합계면에서 Ag-O-C 화학 결합의 증가와 바인더의 organic bridges 효과가 주 원인인 것으로 판단된다. 한편, 열처리 시간이 48, 100, 250, 500 시간으로 더욱 증가함에 따라 필 강도는 각각 22.3, 3.6, 0.6, 0.1 gf/mm으로 급격히 감소하는 거동을 보였다. 이는 $200^{\circ}C$의 고온에서 장시간 노출되었을 때 Cu/Ag 계면 산화막 형성이 주 원인인 것으로 판단된다.
인쇄전자소자의 금속배선 적용을 위해 스크린 프린팅 Ag/폴리이미드(polyimide, PI) 사이의 계면접착력을 85℃/85% 상대습도의 고온/고습 처리 시간에 따라 PI 필링을 통한 90° 필 테스트로 평가하였다. 고온/고습 처리 전 필 강도는 약 25.99±1.47 gf/mm이었고, 500시간 동안 고온/고습 처리 후 필 강도는 6.05±0.54 gf/mm까지 지속적으로 감소하였다. 박리 파면에 대해 X-선 광전자 분광법 분석 결과, 이는 Ag/PI 계면으로 수분이 지속적으로 침투하여 계면 근처 PI 일부가 가수분해되어 weak boundary layer를 형성하기 때문이고, 이로 인해 고온/고습 처리 전 Ag/PI 계면 박리모드가 고온/고습 처리 후 계면 근처 PI의 얕은 내부 박리 모드로 변경된 것으로 판단된다.
Characteristics of Pb(Mg, Nb)O$_3$-Pb(Zr, Ti)O$_3$system thick films fabricated by a screen printing method were investigated. The buffer layer were coated with various thickness of Ag-Pd by screen printing to investigate the effect as a diffusion barrier and deposited Pt as a electrode by sputtering on Ag-Pb layer. The printed thick films were burned out at 650$\^{C}$ and sintered at 950$\^{C}$ in O$_2$condition for each 20, 60min after printing with 350mesh screen. The thickness of piezoelectric thick film was 15∼20㎛ and Ag-Pb layer acted as a diffusion barrier above 3㎛ thickness. The PMN-PZT thick films were screen printed on Pt/Ag-Pb(6m) and sintered by 2nd step (650$\^{C}$/20min and 950$\^{C}$/1h) using paste mixed PMN-PZT and binder in the ratio of 70:30, and the remnant polarization of thick film was 9.1$\mu$C/㎠ in this conditions.
We have fabricated the source-drain electrodes for OTFTs by screen printing method and manufactured Ag pastes as conductive paste. To obtain excellent conductivity and screen-printability of Ag pastes, the dispersion characteristics of Ag pastes prepared from two types of acryl resins with different molecular structures and Ag powder treated with caprylic acid, triethanol amine and dodecane thiol as surfactant respectively were investigated. The Ag pastes containing Ag powder treated with dodecane thiol having thiol as anchor group or AA4123 with carboxyl group(COOH) of hydrophilic group as binder resin exhibited excellent dispersity. But, Ag pastes(CA-41, TA-41, DT-41) prepared from AA4123 fabricated the insulating layer since the strong interaction between surface of Ag powder and carboxyl group(COOH) of AA4123 interfered with the formation of conduction path among Ag powders. The viscosity behavior of Ag pastes exhibited shear-thinning flow in the high shear rate range and the pastes with bad dispersion characteristic demonstrated higher shear-thinning index than those with good dispersity due to the weak flocculated network structure. The output curve of OTFT device with a channel length of 107 ${\mu}m$ using screen-printed S-D electrodes from DT-30 showed good saturation behavior and no significant contact resistance. And this device exhibited a saturation mobility of $4.0{\times}10^{-3}$$cm^2/Vs$, on/off current ratio of about $10^5$ and a threshold voltage of about 0.7 V.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.629-632
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2008
Printed organic thin-film transistors (OTFTs) were used in the fabrication of a screen- printed gate, source and drain electrodes on flexible plastic substrates using silver pastes, a coated polyvinylphenol dielectrics, and jetted bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene) organic semiconductor. The OTFTs printed using screen printing and soluble processes made it was possible to fabricate a printed OTFT with a channel length as small as $13\;{\mu}m$ on plastic substrates; this was not possible using previous traditional printing techniques.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.889-892
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2009
We have developed a practical printing technology for the gate electrode of organic thin film transistors(OTFTs) by combining screen-printing with wet-etching process using nano-silver ink as a conducting material. The screen-printed and wet-etched Ag electrode exhibited a minimum line width of ~5 um, the thickness of ~65 nm, and a resistivity of ${\sim}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm$, producing good geometrical and electrical characteristics for gate electrode. The OTFTs with the screen-printed and wet-etched Ag electrode produced the saturation mobility of $0.13cm^2$/Vs and current on/off ratio of $1.79{\times}10^6$, being comparable to those of OTFT with the thermally evaporated Al gate electrode.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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